硝酸盐的去除(第18届国际水道会议特别议题)

1 引言 以地下水为水源的饮用水中,硝酸盐浓度是许多国家共同关注的问题。荷兰饮用水2/3源于地下水,其中有1/4硝酸盐问题突出,主要原因是农业大量采用氮肥,而对施肥加以限制和合理利用土地以降低硝酸盐浓度,尚未引起足够重视。与此相应的是饮用水水质根据1980年EC指令(EC directive)硝酸盐最大允许浓度(maximun admissible concentration MAC)为50～100mg NO_3~-,通常需控制在25mg/L以下。现就分离扬水法、硫黄——石灰石过滤法、离子交换法等三种去除硝酸盐浓度的方法,逐一进行分析。     

工艺路线文字表达式的研究

工艺尺寸式是工艺尺寸关系的文字表达式。对工艺尺寸式的结构特征作了进一步分析研究．得出了“工艺尺寸式蕴藏着零件机械加工工艺路线”的结论,使工艺路线有了一种文字表达方法,有利于工艺路线的优化,最后给出了工艺尺寸式还原成工艺路线的规则。     

交流继电保护动作性能在多馈入直流系统中适应性仿真分析

直流系统故障时的输出特性与传统同步机存在差异,如直流系统的非线性、低惯量等.直流系统的接入给传统交流保护的理想工作环境带来了诸多不确定性因素,尤其是多馈入直流情况下,这种不确定性因素可能通过网络互相耦合,更加复杂.但目前直流系统并没有适合交流保护研究的等值电路,难以通过定量解析方式进行研究.鉴于以上情况,建立基于实际系...     

配电终端质量管控

随着经济发展,配电自动化建设规模逐步增大,配电终端是实现配电自动化的基础设备。针对配电终端在使用过程中暴露出遥测值精度低、通信异常、遥信不上送等问题,介绍了配电终端的测试方法,依据配电终端的结构及测试方法给出了配电终端质量的评估指标,并结合工作情况对宁夏配电网配电终端质量管控提出了相应建议。     

半导体激光器阵列隔离槽的湿法腐蚀

研究了几种腐蚀液对半导体激光器阵列外延材料的腐蚀过程,其中HF(40 %) /CrO3 (33wt%)腐蚀液比较适合,用扫描电子显微镜(SEM)对其腐蚀情况进行了分析,并给出了利用这种腐蚀液进行腐蚀的半导体激光器阵列隔离槽的图像.通过调节HF/CrO3 腐蚀液的体积比(从0 0 2到0 2 ) ,确定了AlxGa1-xAs组分渐变材料的腐蚀条件(室温2 3℃,腐蚀时间4min)以及最佳配比(体积比为0 1) .利用这种腐蚀液得到的腐蚀图形可以满足激光器阵列的要求.     

高压BCD工艺优化对NLDMOS管的性能影响

基于SMIC 0.18 μm HVBCD工艺,移除了3层掩模板。调整器件的结构参数,对横向双扩散MOS管(NLDMOS)进行了分批流片。该NLDMOS通过了电学性能合格测试。对源漏击穿电压BVds、比导通电阻Ron进行了测试和分析。结果表明,BVds达到59.2 V,Ron为50.5 mΩ·mm²。与原有的HVBCD工艺的电参数保持一致。该NLDMOS的栅极耐压值达到40 V,同时降低了成本,缩短了生产周期。     

基于工艺尺寸式优选工艺方案的研究

根据工艺路线所限制的位置公差,用英文字母表示位置关系,建立位置关系的工艺尺寸式,通过对不同工艺路线的工艺尺寸式的判断分析,得到最优的工艺方案。     

940nm20％占空比InGaAs／AIGaAs大功率LD线阵

采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术，制作了AlGaAs/InGaAs/GaAs大功率20％占空比半导体激光器。采用良好的封装方式，激光器直接封装在高效导热载体上，对载体水冷散热，在脉冲频率500Hz，脉冲宽度400μs下，驱动电流105A时输出功率高达90.6W，最高电一光转换效率42.3％，斜率效率0.94W/A。器件中心激射波长941.8nm，光谱半高全宽3.3nm。     

应用晶片键合技术制作激光器

针对于普通外延生长GaAs衬底激光器材料中存在的位错严重、热胀系数不匹配等问题,总结了国外键合工艺,将其应用于发光波长为850nm的AlGaAs脊波导量子阱激光器的制造,并提出了键合过程中各项关键步骤应注意的问题和解决方法.