微扰和标定技术测量薄膜微波介电常数

提出了一种测量介质薄膜微波段介电常数的方法.该方法基于金属空腔谐振器微扰理论,用已知介电常数的基片作为标样,标定测量系统的有关参数,然后分别测量空腔、基片插入空腔、镀有介质薄膜的基片插入空腔三种情况下的谐振腔谐振频率,计算出镀覆于基片上介质薄膜的微波复介电常数.本文SiO2和MgTiO3-CaTiO3(MCT)介质陶瓷薄膜作了实验测量验证,结果表明该方法具有良好的测量精度(小于6%).     

真空和大气退火对ITO膜特性的影响

ＩＴＯ膜主要受溅射过程中溅射参数的影响．本文分析和验证真空和大气退火也改善和提高ＩＴＯ的特性，根据我们的实验条件，本文主要研究退火工艺对ＩＴＯ膜的面电阻、可见光透过率、热稳定性及晶向结构等特性的影响．     

横横式压电变压器的理论建模

与传统的电磁变压器相比,压电变压器具有高升压、无电磁污染等特点。由于压电变压器的工作原理复杂,除了Rosen型压电变压器,对于其他压电变压器的理论研究较少。对一种驱动部分以及发电部分都是横场模式的横横式压电变压器进行了理论研究。从Mosen等效电路出发,利用泰勒展开,建立了能反映压电变压器实际工作情况的集总式等效电路图;并在此基础上,给出了一种只用机械品质因数Qm、电学品质因数Qe及机电耦合系数k三个量来表征变压器电学性能的方法。由于Qm、Qe、k的测量方法早已标准化,尺寸、负载对变压器的影响可归结为Qe对电学性能的函数,因此有望简化设计过程。     

薄膜声体波谐振器的电磁场建模与仿真

为了模拟薄膜声体波谐振器（FBAR）的电磁场(EM)分布特性，提出了一种新的FBAR建模方法.该方法从基本的一维弹性压电方程和三维麦克斯韦尔方程出发，结合电极与压电薄膜交界处机械应力与机械位移连续的边界条件，推导出了FBAR等效复介电常数的严格解.将电磁场和声场等效到一个复介电常数中，用等效复介电常数的形式来包含电声效应.并基于有限元方法对FBAR全波段进行了仿真.结果表明，该方法的仿真结果与实测数据基本一致，具有很好的准确性.与传统的电路模型比较，由该方法得到的模型能够实现场的不连续仿真和FBAR的电磁场分布与压电效应的实时仿真.     

压电变压器外围电路的最新研究进展

压电变压器的外围电路也应突出无电磁污染、易小型化等特点,详细介绍了外围驱动电路和反馈控制电路。列举并分析了不同驱动电路和反馈控制电路的设计原理和工作特点,并对未来外围电路的发展做了简单的预测。     

涡轮分子泵的“内加热”除气法

本文研究了涡轮分子泵的一种新颖除气法“内加热法”。详细介绍了此法的工作原理、装置结构、除气效果以及它对泵所产生的影啊。实践表明,这种除气法具有结构简单、操作方便、除气彻底、工作效率高、达到极限真空时间短并能实现快速制动等优点。     

铁氧体表面无铅焊接薄膜的磁控溅射制备研究

随着环保要求的不断提高,特别是2006年欧盟新环保指令禁止电子产品含有铅、六价铬等重金属,铁氧体以往的电镀焊接薄膜将被明确禁止。本文采用磁控溅射技术在铁氧体表面制备无铅焊接复合薄膜,从理论和实验上研究分析了薄膜的结构、厚度与膜层的结合、焊接性能。研究发现：当膜层结构为Cr（150 nm）/Ni-Cu（460 nm）/Ag（200 nm）时,其平均抗拉强度可达6.15 MPa,焊接合格率大于98%,能经受450℃1、0 s的高温无铅焊锡熔蚀,性能远远好于电镀膜层,而且工艺无污染。     

大功率LED封装散热技术研究

LED被称为第四代照明光源或者绿色光源,广泛地应用于手机闪光灯、大中尺寸显示器光源模块以及特殊用途照明系统,并将被扩展至一般照明系统设备.由于LED结温的高低直接影响到LED的出光效率、器件寿命、发光波长和可靠性等,因此如何提高散热能力是大功率LED实现产业化亟待解决的关键技术之一.介绍并分析了国内外大功率LED散热封装技术的研究现状,总结了其发展趋势并提出减少内部热沉的热阻可能是今后的发展方向.     

射频功率放大器数字预失真技术及其发展趋势

3G无线通信系统对功率放大器的设计提出了更加严格的要求。为了有效地利用宝贵的频谱资源,功率放大器既要保证高线性度以减小带外发射功率以及误码率,又要有较高的效率以减少电源消耗。在众多功放线性化高效率技术中,数字预失真技术被认为是最有效的解决方案,受到越来越多的关注。本文对数字预失真技术作了详细介绍,结合实例分析了当前主要的几种预失真模型和对应的预失真方案,并展望了Doherty放大器技术与数字预失真结合的应用方向。