中心导磁体对S-枪特性影响的计算与实验研究

本文提出用不同的中心导磁体使S-枪获得靶面附近较佳的磁场分布,从而改善S-枪的性能。计算了四种导磁体结构S-枪的磁场分布,并就场分布对S-枪工作特性的影响进行了实验研究。结果表明,合适的中心导磁体不但可以展平靶面磁力线分布,而且可以增大表面场强。并且给出了S-枪工作特性与表面磁场的关系。     

大功率LED照明行业执行者说——如何更好地提升功率型LED的可靠性

20世纪末,Lumileds Lighting公司封装出世界上第一个瓦级大功率LED,使LED的功率从几十毫瓦一跃超过1000毫瓦,单个LED器件的光通量也从不到1m飞跃达到十几lm。目前,高亮度白光LED在实验室中已经达到100lm／W的水平,50lm／W的大功率白光LED也进入商业化。对于瓦级（≥1W）高功率LED而言。目前的电光转换效率约为15％,剩余的85％转化为热能,而芯片尺寸仅为1mm×1mm～2．5mm×2．5mm,也就是说芯片的功率密度很大,如何提高大功率LED的散热能力。是LED器件封装和器件应用设计要解决的核心问题。     

对提高交换设备网络接通率的分析

本文主要分析了交换机系统数据、网络参数及硬件故障等主要影响网络接通率的因素 ,并结合C &C08交换机 ,针对性提出了解决问题有效途径     

关于真空激光减薄薄膜技术的研究

本文提出了一种新颖的可精确、快速、清洁的减薄薄膜的技术--真空激光减薄技术.即指利用激光器发出的脉冲激光束聚焦成直径很小的光斑,调节到适当的能量密度,对真空环境中的薄膜层进行高速扫描,从而减薄膜层.实验中,将此种技术对石英晶片表面膜层进行减薄.根据石英晶振谐振频率与其表面膜层厚度之间的反比关系,来间接测量激光对于石英晶振的膜厚减薄量.实验证实了真空激光减薄方法的可行性.膜层减薄厚度最小可达15.9 A,对应频率改变量为12 Hz,亦即频率改变量可达2 ppm以下.减薄速率可达到每秒1～2个石英晶振片.     

微秒脉冲激光诱导硅表面微结构的研究

分别在空气和SF6环境下,使用波长为1064 nm的半导体微秒脉冲激光器扫描辐照单晶Si制备出微米量级的硅表面微结构,并利用扫描电子显微镜和可见—近红外分光光度计观测激光辐照后的硅表面形貌和光学特性。结果表明,当硅表面每激光光斑面积累积辐照的微秒脉冲数达到1600个,即可在硅表面形成平均高度为30μm、数密度约为3.0×105spike/cm2的锥形微结构;硅表面在SF6气氛中形成的微结构表面光滑,纵横比为2,而空气中的微结构表面粗糙,纵横比为1,表明SF6气氛更有利于锥形微结构形成;微秒激光辐射后的硅在0.2~2.5μm波段内反射率大幅下降,空气中制备的微结构硅平均反射率10%,SF6中制备的低至2.8%;还探讨了硅表面形貌的演化过程,认为激光辅助化学刻蚀和再沉积机制对于微秒激光诱导硅表面微结构的生长起着重要作用。     

工业用巨型磁控溅射靶电源反馈控制的研究

磁控溅射技术在薄膜制备领域的应用十分广泛，而溅射靶电流的稳定性极大的影响溅射镀膜的膜层质量。本文对于工业用巨型磁控溅射靶电流的不稳定因素进行了分析，设计并实现了靶电压的反馈控制系统，大大改善靶电压与反应气体流量之间的迟滞回线，增强了靶电压的可控制性，并在实际生产中得到成功应用。     

PZT压电蜂鸣片溅射金属化的研究

采用直流磁控溅射工艺实现了PZT压电蜂鸣片的金属化,分别研究了Cr/Cu/Ag、Ti/Cu/Ag、Cu/Ag 3种复合膜系电极薄膜的微观结构和电学性能差异,并与丝网印刷银浆再高温烧结(简称丝印烧结)金属化工艺进行了比较。研究结果表明,用溅射金属化工艺制备的压电蜂鸣片,其电极膜层致密、均匀,一致性好,电学性能普遍优于丝印烧结工艺,其中又以Ti/Cu/Ag膜系为最佳,最大抗拉强度达到13.5 MPa、平均谐振电阻小于25Ω、机电耦合系数大于0.7,而金属化膜厚仅为丝印烧结工艺的1/4,另外电容量和谐振频率等指标均符合蜂鸣器的标准,各项性能全面优于丝印烧结金属化工艺,具有全过程无污染、生产成本低、可控性强,适合于产业化生产等优点,可以取代丝印烧结工艺。     

晶振电极激光减薄调频技术的研究

石英晶振的谐振频率在出厂前都需要进行微调,使之达到需要的标称值。本文提出激光调频的新技术,利用适当激光能量使电极膜层汽化减薄,从而使晶振的频率精确升高到预期值,重点研究了激光器的工作电流和Q脉冲宽度等参数对晶振频率微调的影响。实验结果表明:当工作电流太小(10A)或Q脉冲宽度太大(10μs)时,激光脉冲的峰值能量密度太小不足以有效实现频率微调;当工作电流和Q脉冲宽度比较合适(电流约为11A,Q脉冲宽度为4～10μs)时,石英晶振的谐振频率可以被线性地调节,此时对晶振其它电性能参数影响很小;当工作电流过大(11A)或Q脉冲宽度过小(4μs)时,激光脉冲能量密度过大,很容易对电极膜造成损伤而导致不能起振。     

微波介质陶瓷谐振器磁控溅射金属化

微波介质陶瓷谐振器在无线通信基站中有广泛的应用,其品质因数(Q值)主要由材料的介质损耗和金属膜的电导损耗所决定的,传统丝印烧结的金属化膜损耗较大,已成为限制谐振器Q值的主要因素。本文采用直流磁控溅射对相对介电常数为45的微波介质陶瓷进行金属化处理,研究了不同的清洗工艺和复合膜系对介质谐振器性能的影响。实验结果表明,1表面精细打磨和等离子清洗工艺有利于提高膜层结合力,其中Cr/Cu/Ag复合膜系性能最佳,溅射金属化膜层结合力可达6.4MPa,优于丝印工艺的1.8MPa;250~100nm厚度的过渡层金属Cr对Q值几乎无影响,因此可用Cr层提高结合力,且不会牺牲器件Q值;3溅射后器件的Q值最大可达到2673,明显优于丝印烧结工艺的2268。     

铁氧体磁芯的磁控溅射金属化工艺的研究

铁氧体贴片电感要求金属化薄膜具有高的抗拉强度和高温焊接性,传统金属化工艺不能满足要求.本文采用磁控溅射技术对铁氧体电感磁芯进行金属化,研究了不同金属膜系以及不同工艺对薄膜抗拉强度和高温焊接性能的影响,结果表明磁控溅射金属化在抗拉强度及耐焊性方面明显优于电镀和蒸发,结合强度高达70N以上.推荐膜层结构是Cr/NiCu/Ag,其中NiCu厚度150～200 nm较宜.金属化膜焊接情况较符合凝固模型,金属间化合物会降低焊接性和抗拉强度,但是可以起到阻挡作用.更好的相结构是形成固溶体组织,并设计膜层结构来防止反浸蚀.该技术已经成功应用于国内最大铁氧体贴片电感厂的规模化生产中.