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依托南京某深基坑工程,采用有限元软件MIDAS GTS研究深基坑施工对邻近桥墩变形的影响,通过对比现场监测结果与数值模拟结果,验证了数值模型的可靠性。利用已验证的模型,通过数值模拟,分析了各个施工阶段下围护结构及桥墩的变形规律,探讨了深基坑与既有桥墩距离对桥墩变形的影响。结果表明:围护结构的水平变形形态与基坑开挖深度及支撑结构有关,水平变形沿深度方向呈现先增大后减小的规律,最大水平变形量为15.8mm,未超过控制值±30mm,基坑围护结构整体稳定;桥墩承台沉降量最大值为1.5mm,桥墩倾斜率为1.08‰,未超过控制值±2‰,结构安全稳定;基坑周边土体注浆加固及增大桥墩与基坑距离可有效减小桥墩的变形,桥墩变形与桥墩距基坑距离反相关。 相似文献
44.
通过分析目前消化道无线内窥镜的发展状况,提出了一种全新的双向、数字化的微型无线内窥镜系统方案设计,该系统具有实时观察病人图像、全消化道检查以及提供三维深度图像数据等功能,并对方案中各硬件模块及其关键技术进行了详细的论述,设计了该系统的FPGA验证环境,验证了整个方案的正确性。系统胶囊内的数模混合芯片已采用0.18μm CMOS工艺流片。 相似文献
45.
提出了一种开关电容流水线结构A/D转换器(ADC)的速度分析方法。流水线结构ADC的速度取决于其级电路中开关电容反馈放大器的建立速度。根据流水线结构的特点,推导出输入等效阶跃电压的计算公式。将建立过程划分为大信号和小信号工作区,分别用不同的跨导运放(OTA)模型进行分析,得出了OTA指标、采样电容值等电路参数与建立时间之间的关系式。通过对一个10 bit流水线结构ADC的MATLAB进行仿真,验证了所提出的分析方法和得到的关系式的有效性。 相似文献
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47.
叠层复合磁致伸缩材料驱动器的输出位移特性 总被引:1,自引:1,他引:1
采用树脂粘结法制备了叠层复合Terfenol-D棒状材料,并使Terfenol-D层的叠片方向垂直于Terfenol-D的<112>轴向.研究了基于此材料的驱动器的输出位移特性,同时还研究了驱动器的涡流损耗.研究结果表明:当驱动磁场频率为2 500~3 000 Hz时,驱动器输出位移最大峰-峰值达到最大25.0~26.0 μm,同时输出位移波形随频率也有明显变化;直流偏置磁场对输出位移的影响规律随工作频率不同而不同;基于叠层复合Terfenol-D的驱动器的涡流损耗较基于块状Terfenol-D的驱动器的涡流损耗大大降低. 相似文献
49.
不同程度水洗油层聚合物驱适应性室内实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
基于大庆油田杏12-3-检3222井葡Ⅰ3层取心解释资料,选取水驱油效率分别为70~80%、40~50%及10~20%的强、中、弱三种不同水洗程度天然岩心,测定黏度相同(40~45 mPa.s)、浓度不同(1.5、1.3、1.1 g/L)、名义相对分子质量M不同(1.7×107,2.5×107,3.5×107)的大庆HPAM聚合物溶液产生的残余阻力系数,均小于20,即均未引起岩心堵塞,考虑流量~压差曲线,排除了M最小的聚合物。在接长至30 cm的洗油天然岩心上进行驱油实验,分别注入M、浓度(g/L)、45℃工作黏度(mPa.s)分别为2.5×107、2.0、194和3.5×107、15、173的聚合物溶液0.54 PV,采收率分别比水驱增加4.513%和4.003%。强、中、弱水洗程度的3支30 cm岩心并联驱油,分别注入聚合物溶液(M=2.5×107,浓度1.3 g/L),聚合物凝胶调剖剂(至1/3、1/2岩心长度) 聚合物,注入化学剂总量0.64 PV,采收率分别提高17.06%、21.12%、22.03%,调剖 聚驱使中水洗特别是弱水洗岩心的采出程度明显增大。给出了半径1/3调剖 聚驱的采收率、含水、岩心分流率曲线。M=2.5×107的聚合物较能适应大庆不同水洗油层,聚合物驱前深部调剖可提高中等和弱水洗油层的动用程度。图3表5参4。 相似文献
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This paper presents a 50 Hz 15-bit analog-to-digital converter(ADC) for pixel-level implementation in CMOS image sensors.The ADC is based on charge packets counting and adopts a voltage reset technique to inject charge packets.The core circuit for charge/pulse conversion is specially optimized for low power,low noise and small area.An experimental chip with ten pixel-level ADCs has been fabricated and tested for verification.The measurement result shows a standard deviation of 1.8 LSB for full-scale output.The ADC has an area of 4545 m2 and consumes less than 2 W in a standard 1P-6M 0.18 m CMOS process. 相似文献