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NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
12.
本文运用一典型的人工神经网络模型─“反向传播”模型,对高氧化态(Ⅱ─Ⅳ)三核金属簇合物的构型分布进行了分析,得到了较好的分类、预报结果为化合物结构分析提供了新的工具。 相似文献
13.
介绍了以单片机8031为微处理机的加工精度统计分析仪的技术特性、工作原理、系统的硬件结构以及软件设计。 相似文献
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16.
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司传胜 《机械设计与制造工程》2002,31(6):44-46
对汽车维护信息管理系统进行了设计,制定了系统的设计目标,规划了系统的总体功能结构,定义了系统总体和各模块的数据流程,讨论了管理系统实现过程中的几个问题,通过应用举例,说明汽车维护信息管理系统是可行的。 相似文献
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<正> 半导体集成电路是在不断追求高密度和低成本的过程中发展起来的。今天,64KDRAM已发展到了全盛时期,256KDRAM 也进入了批量生产阶段。光学曝光设备也随着这些器件的发展,由接触式光刻发展到1:1反射投影式及缩小投影的分步重复式光刻,同时实现了高精度化及多功能化。上述发展的结果,导致 相似文献
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