平均电流密度对脉冲镀镍钨合金微观形貌和性能的影响

在硫酸镍15 g/L,钨酸钠30 g/L,柠檬酸35 g/L,烷基有机添加剂1.5 g/L,pH为7,温度65℃的条件下,研究了平均电流密度对脉冲镀镍钨合金镀层的外观、结合力、显微硬度、沉积速率,镀层中钨含量及表面微观形貌的影响.结果发现,随着平均电流密度的增大,镀层中钨含量增加,镀层硬度先增大而后趋于恒值.过高和过低的平均电流密度都会引起镀层缺陷,最佳的平均电流密度为5～8A/dm2.     

低压力下环保型络合剂和氧化剂对铝合金化学机械抛光的影响

在低平坦化压力下用壳寡糖(COS)环保型络合剂及H₂O₂氧化剂化学机械抛光铝合金,用原子力显微镜观测抛光后的表面质量,并用X射线光电子能谱仪分析其表面的钝化膜元素,用纳米压痕仪分析钝化膜的力学性能,研究COS及H₂O₂对铝合金CMP的作用机理。结果表明:H₂O₂质量分数为2%时,材料去除率随COS含量的增加而增大,当COS质量分数为0.32%时,材料的去除速率达861 nm/min,表面粗糙度最低为2.50 nm;COS质量分数为0.50%时,材料去除率随H₂O₂含量的增加先增大后减小,当H₂O₂质量分数为1.2%时,材料的抛光去除速率达840 nm/min,同时其表面粗糙度为3.52 nm。加入COS络合剂会在铝合金表面形成主要成分为Al-COS、Al₂O₃和Al(OH)₃的弱钝化膜。      

基于遗传算法优化神经网络的镁合金化学机械抛光材料去除模型与仿真

镁合金化学机械抛光(CMP)的材料去除与其工艺参数具有高度非线性的特点,难以采用精确的数学模型来描述。以遗传算法(GA)优化神经网络(NN)建模为基础,利用正交试验设计获取镁合金CMP材料去除样本数据和测试数据,建立镁合金CMP材料去除模型。该模型以抛光压力、抛光盘转速、抛光液流量和抛光时间为输入参数,以材料去除速率为输出目标。结果表明：GA NN协同模型能够构建镁合金CMP工艺参数与材料去除速率的基本关系;其拟合度波动范围为93.22%~97.97%,大大高于NN模型的拟合度波动范围71.56%~93.56%,因而具有更优的预测能力,基本满足工程实际的需求。     

压裂返排液水质在线检测控制技术研究及应用

对压裂返排液在线水质检测方法进行了分析。同时,详细讲述了压裂返排液在线离子检测的难点、检测工艺、控制算法及压裂返排液在线检测控制系统应用情况。压裂返排液在线检测控制系统具有运行稳定、节省药剂、可靠性高等优点,保证了压裂返排液处理后出水的稳定性。     

也谈砖混结构工程常见裂逢产生的原因及防治措施

目前,砖混结构仍然是某些地区的建筑主流,但是,由于该种结构是由两种性质不同的材料所构成,也就造成了这种结构的先天不足,经常出现的一些质量通病给工程带来了隐患,也给用户带来了不必要的麻烦.尤其是砖砌体出现裂缝是对建筑物危害较大的质量通病,轻者影响外形美观和使用功能,损坏结构整体性,降低工程寿命;重者使建筑物失去使用价值,甚至倒塌.     

压裂返排液处理精密固体给料装置研制

为了保证压裂返排液处理过程中固体药剂连续、精确、自动添加,建立了精密固体给料装置的数学模型。通过计算确定了自动加料装置的技术参数,设计了在线监测装置与精确计量装置,实现了实时自动精确添加。通过调试实验和现场应用验证了压裂返排液处理精密固体给料装置的技术指标的正确性。     

干摩擦和水润滑条件下单晶硅的摩擦磨损性能研究

在UMT-2微摩擦试验机上,对单晶硅片进行了干摩擦和水润滑两种状态下的摩擦磨损试验,分析讨论了载荷和滑动速度对单晶硅片的摩擦因数和磨损率的影响规律;运用扫描电子显微镜,观察和分析了其磨损表面形貌。结果表明:干摩擦条件下的磨损机理主要表现为黏着磨损,水润滑条件下的磨损机理主要表现为机械控制化学作用下的原子/分子去除过程;水润滑条件下的摩擦因数和磨损量均较小,最小磨损率仅为10μm3/s;在水润滑条件下,载荷和滑动速度达到一定值时,硅片表面将发生摩擦化学反应,生成具有润滑作用的Si(OH)4膜,即机械作用在一定条件下对化学反应具有促进作用。     

一种利用耦合阻抗改善天线阵列匹配的方法

提出一种利用无源辐射贴片寄生阵与阵列单元之间互耦效应Smnqp(第mn个天线单元与第qp个无源贴片之间的耦合系数),改善天线阵驻波特性的方法.分析Smnqp与天线阵单元之间耦合系数Smn(m≠n),增益,回波损耗Smn(m=n)的关系,可以得出适当的Smnqp可以降低天线驻波,而根据文献(10)的描述,在天线增益不变的情况下,Smn(m≠n)应该增大.实际应用中,可以通过修改贴片尺寸改变Smnqp.如果合理应用,可以优化天线性能.基于上述理论,设计3×3矩阵并对HFSS仿真结果进行分析,得出Smnqp对天线回波损耗,增益,等各种性能的影响.     

锡催化生长氧化硅纳米线的制备和表征

使用高纯SnO2粉和石墨粉混合物作为锡催化剂的来源,硅片作为硅的来源和产物生长的基底,用化学气相沉积法在硅片上准备了有序排列的氧化硅纳米线组成的微米结构,用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线能谱仪(EDX)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射谱图(SAED)对其进行了表征.结果表明:直径为5-15 μm,长度达到5...     

AB5型与AB3.5型贮氢合金的电化学性能对比研究

为了对比研究AB5型与AB3.5型贮氢合金的电化学及动力学特性,以AB5型MlNi3.68Mn0.32Co0.73Al0.27和AB3.5型Ml0.80Mg0.20 （NiMnAlCu）3.6、La0.6 Mg0.4 Ni3.5为研究对象.采用XRD分析了合金的相结构,利用电化学方法测试合金的电化学及动力学特性.结果发现,MlNi3.68 Mn0.32Co0.73Al0.27合金由单相LaNi5相组成,而Ml0.80Mg0.20（NiMnAlCu）3.6、La0.6Mg0.4Ni3.5均有LaNi5相和La2Ni7相组成.AB3.5型合金的放电容量、荷电保持率以及动力学特性高于AB5型合金.