一种自动化测试工具使用问题的分析与解决

随着信息科学技术的发展,如今的软件日益复杂。在如此严峻形势下为了保证软件质量,软件测试必然要扮演越来越重要的角色,尤其对在现代的商业公司开发的大型软件。现在,自动化测试在一定程度上可以将繁琐的测试更加高效。SilkTest就是一款自动化测试软件,它的优势显而易见,但是有时也会产生一些意想不到的错误。该文将给出一些解决方法,使该软件更加高效。     

光热驱动多孔氧化铈热化学循环解水制氢非热质平衡模型

热化学循环太阳燃料技术过程所涉及的多孔介质中复杂反应及热质传递过程,尚未建立较为完善的数学模型。以多孔氧化铈热化学循环解水过程为研究对象,将颗粒尺度的氧输运与宏观尺度的热质输运相耦合,提出完整的光热驱动条件下多孔介质非热质平衡模型,实验数据对比验证了动力学及热质输运模型的可靠性,分析了两种尺度(颗粒及床层)下,非热平衡效应、入射辐射热流、反应物浓度对动态过程的影响。入射辐射在床层的体积效应下,轴向的温度梯度使得缺陷反应的热力学平衡控制最大氧空位浓度出现在床层前侧,在缺陷反应的动态过程中,氧化过程相较于还原反应更快,提高多孔载氧体反应器的产物H₂浓度应主要从还原阶段中反应过程及条件出发。可为该类问题的建模和过程设计提供较为完整的理论基础和参考路径。     

基于分布参数模型的塔式熔盐吸热器换热过程动态特性研究

文章以塔式太阳能热发电站中的圆柱形外露管式吸热器为研究对象,利用分布参数方法建立了对流-辐射传热吸热器的非稳态传热模型。基于此模型,分别研究了当辐射热流密度、熔盐流量、熔盐进口温度和环境风速等参数发生阶跃变化时,圆柱形外露管式吸热器的动态特性。研究结果表明:当上述参数发生阶跃变化时,熔盐出口温度的动态变化过程存在不同的时间常数;辐射热流密度、熔盐进口温度和熔盐流量是影响熔盐出口温度的主要因素,瞬时风对熔盐出口温度影响较小。     

纳米金刚石抛光液中磨料的可控性团聚研究现状

纳米金刚石抛光液在超精密抛光中应用广泛,但纳米金刚石极易发生团聚,限制了它在抛光领域中的应用。对纳米金刚石抛光液中磨料的分散机理、分散方法以及国内外在纳米金刚石抛光液制备中的一些研究现状进行了综述,提出了纳米金刚石抛光液的研究方向。     

超声波以及分散剂对纳米金刚石在水性介质中分散行为的影响

研究了不同的超声波时间和分散剂对纳米金刚石颗粒分散性能的影响。分别使用相同的超声波功率不同的超声波时间,以及在相同的超声波时间及功率下使用不同的分散剂对纳米金刚石的分散行为进行研究。实验结果表明:随着超声波时间的延长,纳米金刚石抛光液中磨料平均粒径有明显下降趋势。不同的分散剂对纳米金刚石分散的效果不同。实现纳米金刚石颗粒的分散需要机械力和化学力的双重作用。在超声波功率为650 W,超声时间240min,加入分散剂STH可以得到一个平均粒径为167.4nm的稳定的纳米金刚石分散体系。     

叶黄素对老年痴呆小鼠学习记忆能力的改善作用

目的探讨叶黄素对老年痴呆(AD)模型小鼠学习记忆能力的影响及相关作用机制。方法采用5月龄雄性快速老化痴呆模型小鼠(SAMP8)作为自然发病的AD模型,随机分为AD模型组和3个叶黄素剂量组(15、30、60 mg/kg BW),采用正常老化小鼠(SAMR1)作为正常对照组,连续灌胃8周。灌胃结束后采用Morris水迷宫对小鼠进行学习记忆能力测验,取小鼠脑组织检测超氧化物歧化酶(SOD)、过氧化氢酶(CAT)、谷胱甘肽(GSH)、丙二醛(MDA)和乙酰胆碱酯酶(Ach E)水平,取小鼠海马组织进行病理学观察。结果与AD模型组比较,叶黄素中、高剂量组的潜伏期明显缩短,差异有统计学意义(P0.05);3个叶黄素剂量组的CAT、Ach E活性均明显升高,GSH含量明显增加,MDA含量明显降低,差异均有统计学意义(P0.05);叶黄素高剂量组海马组织细胞异常明显减少。结论叶黄素可改善快速老化痴呆模型小鼠的学习记忆能力,其作用机制之一可能是提升小鼠的抗氧化能力,减少氧化应激损伤。     

近地大气532 nm激光散射的实验与计算

通过实验测出532 nm激光在近地大气的角散射系数,对Junge和Deirmendjian两种模型的气溶胶系统在不同的系统参数、不同的折射率的情况下的散射相函数进行了计算,发现与实验所测得的曲线有明显的差异,这两种模型都不存在散射次极峰.通过对不同半径粒子的散射相函数的计算,说明实验所测的气溶胶系统在粒子尺寸较大的区间的密度要比Junge和Deirmendjian两种模型的密度要大得多,在假定大粒子服从正态分布的前提下,拟合出了气溶胶的分布函数.     

受激布里渊散射的阈值效应

本文讨论了受激布里渊散射的阈值效应对后向受激散射光（泵浦光的相位共轭波）线宽、发射角、脉宽、能量集中度的影响,利用其阈值效应可以获得一个面积尽量小的共轭光斑。     

A Low On-Resistance SOI LDMOS using a Trench Gate and a Recessed Drain Ge Rui(葛锐), Luo Xiaorong(罗小蓉)?, Jiang Yongheng(蒋永恒), Zhou Kun(周坤),

本文提出了一种超低比导通电阻(R_on,sp) SOI槽栅凹漏MOSFET(TGRD MOSFET)。正向导通时,槽栅和凹漏的结构增加了导电区域,缩短了电流流经的路径,从而降低了比导通电阻。并且此结构中采用了RESURF结构提高了漂移区浓度,进一步降低了比导通电阻。当TGRD MOSFET的半个元胞尺寸为6.5μm时,它的击穿电压为97V,R_on,sp为0.985mΩ.cm₂。与SOI槽栅MOSFET(TG MOSFET)和常规MOSFET(Conventional MOSFET)相比,在相同的BV下,TGRD MOSFET的R_on,sp分别地降低了46%和83%。或者在相同的R_on,sp下,与SOI槽栅槽漏MOSFET(TGTD MOSFET)相比, BV提高了37%。     

连杆螺栓二次装配断裂分析

通过对螺栓断口宏观和微观形貌的观察，结合加工方法和装配工艺，发现过度酸洗引起螺栓表面渗氢，一次装配后，在静拉伸应力作用下，氢向螺栓头部与杆部连接部位的应力集中处聚集，萌生氢致裂纹并缓慢扩展，二次装配预紧时，在扭距作用下，裂纹快速扩展，产生脆性断裂。