机车异常振动原因分析和控制措施研究

针对某和谐型电力机车在运营过程中存在振动过大等问题,对该型机车车轮不圆度和线路振动进行了测试。基于SIMPACK软件建立了考虑钢轨、轮对和构架弹性变形的机车-轨道刚柔耦合动力学模型,通过试验结果对模型进行了验证。利用建立的仿真模型分析了车轮多边形对机车振动和轮轨相互作用的影响,据此提出了机车车轮多边形镟修限值。试验测试发现该型机车车轮存在显著的16～19阶和24阶多边形磨耗,且车轮多边形磨耗是引起机车异常振动的根本原因。通过车轮镟修可以显著降低机车振动水平。机车关键部件的柔性对振动影响较大,在仿真计算时需予以考虑。基于轮轨垂向力限值,建议对于高阶多边形车轮,当径跳超过0.25 mm及时进行镟修。     

贵州不同海拔鱼腥草代谢产物主要特征

对贵州不同海拔鱼腥草中绿原酸、芦丁、槲皮素、槲皮苷、金丝桃苷、山奈素、异鼠李素、槲皮素-3-O-β-D-葡萄糖苷以及挥发性化学成分行研究,通过HPLC 分析绿原酸和黄酮类化合物,挥发性化学成分利用顶空固相微萃取结合气- 质联用(HS-SPME-GC/MS)进行分析,总挥发油的含量用水蒸气蒸馏提取获得。结果表明：鱼腥中绿原酸和黄酮的含量分别在海拔1400～1500m 和500～600m有较高的含量;鱼腥草精油在海拔600～700m有较高的含量,甲基正壬酮含量随海拔的增加而变化在700～800m 有较高的含量;单萜(蒎烯)、倍半萜(石竹烯(Ⅱ))、脂肪酮(甲基正壬酮)、脂肪酸(羊油酸)和脂肪酸酯(2,6,10,14- 四甲基十五酸甲酯)的含量在不同的海拔有显著的差异。     

SUN生物酶解堵剂及其在胜利海上油田的应用

SUN生物酶解堵剂含有蛋白质复合酶Noyees,生物活性物Bio-P和Bio-A,异化菌,天然生物提取物等,溶于水。3%SUN水溶液可使被掺砂原油污染的岩心恢复80%~98%的渗透率。简介了SUN的解堵和增产机理。SUN可用于油田多种措施和作业:油井(包括稠油井)解堵;洗井;清防蜡;稠油井化学吞吐;三次采油井解堵;酸化、防砂工艺前置液;注水井解堵增注等。介绍了解堵施工井选择,施工工艺,在处理半径1m、SUN溶液浓度5%~8%条件下对胜利海上油田8口油井实施解堵,效果良好,有效期超过180d。详细介绍了其中1口井的施工及效果。图1表1参1。     

锅炉运行节能降耗工作的管理与实践

江苏新海发电有限公司现有2台330 MW和2台220 MW发电机组,分别配备1 100t/h和670t/h锅炉共4台.通过基础管理、设备改造、运方优化、专题分析等手段,采取多种节能降耗措施,在节煤、节电、节水方面为公司带来可观的经济效益.     

利用地应力地理信息系统判定构造圈闭

本文提出了利用地理信息系统和应力场判据确定构造圈闭的五种方法,即:构造高、流体势、裂缝密度、平均应力分布及应力场综合构造圈闭判定。上述方法判定的构造圈闭与实际钻井情况基本吻合,采油效果较好的井均落在利用地应力进行构造圈闭判定的区域。地理信息系统用于油气勘探的各种分析、处理和对构造圈闭的判定是有效的,不仅为油田各种信息的科学化管理提供了有效的管理工具,也对局部区块构造圈闭的判定提供了分析和处理手段。     

半沥青减粘裂化试验研究

介绍了反应温度、压力以及不同的反应时间等工艺条件对半沥青减粘裂化效果的影响。不同的原料,在反应压力为0.5MPa(表)、反应温度为400～420℃的条件下,经20～40min的裂化反应,减粘率可达86％～90％,效果十分明显。河南石油勘探局根据本研究结果设计建设了一套7万t/a半沥青减粘裂化工业装置,从根本上解决了半沥青的出路问题。每年可节约调合稀释油的1.0万t,具有显著的经济效益和社会效益。     

压电粘滑驱动系统中温度变化的实验研究

压电粘滑驱动系统具有长行程(几十毫米或更多,取决于机械结构)和高精度(几纳米)的特点.摩擦在粘滑驱动器中具有积极的作用.但在驱动器运行中,摩擦也可能造成"明显的"温度变化,在微运动中,该温度变化可能影响驱动器的精度.本次研究的目的是开发一种温度测量系统来测量粘滑驱动器在运行中的温度变化.其关键技术在于如何妥善处理如此小信噪比物理信号.实验表明,通过设计合理的滤波器和选择合适的高分辨率传感器,这里开发的温度测量系统可以很好的测量出温度变化.通过实验发现,压电粘滑驱动器中温度变化既来自于摩擦又来自于压电陶瓷自身发热.由压电陶瓷自身发热导致的温度变化呈非线性,而由摩擦导致的温度变化呈线性.     

利用水平热壁CVD法生长的3C-SiC/Si的均匀性

利用新改进的水平低压热壁CVD设备,改变生长时的压力和H2流速,在50mm的Si(100)和(111)衬底上获得了3C-SiC外延膜,并对外延膜的结构均匀性、电学均匀性和厚度均匀性进行了分析.X射线衍射图中出现了强的3C-SiC的特征峰,其中3C-SiC的(200)和(111)峰的半高宽分别为0.41°和0.21°.3C-SiC外延膜方块电阻的均匀性最好可达2.15%.厚度均匀性可达±5.7%(σ/mean值).     

可用于Ⅲ族氮化物生长的50mm 3C-SiC/Si(111)衬底的制备

利用新研制出的垂直式低压CVD(LPCVD)SiC生长系统,获得了高质量的50mm 3C-SiC/Si(111)衬底材料.系统研究了3C-SiC的n型和p型原位掺杂技术,获得了生长速率和表面形貌对反应气体中SiH4流量和C/Si原子比率的依赖关系.利用Hall测试技术、非接触式方块电阻测试方法和SIMS,分别研究了3C-SiC的电学特性、均匀性和故意调制掺杂的N浓度纵向分布.利用MBE方法,在原生长的50mm 3C-SiC/Si(111)衬底上进行了GaN的外延生长,并研究了GaN材料的表面、结构和光学特性.结果表明3C-SiC是一种适合于高质量无裂纹GaN外延生长的衬底或缓冲材料.     

Si上外延的n型3C-SiC欧姆接触研究

用LPCVD在Si(111)上异质外延了n型3C-SiC,并在所外延的3C-SiC上蒸发Au/Ti,通过不同温度下的RTA(快速热退火)形成欧姆接触。用两种不同的传输线模型对Ti/3C-SiC欧姆接触的ρc(比接触电阻率)进行测量,在750°C退火后Ti/3C-SiC的ρc达到了最低值为3.68×10-5Ω·cm2,这满足了应用的要求。AES分析结果还表明由于Ti的氧化,更高温度下的退火会使ρc增大。