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31.
通过对原状、挤密黄土地基的有限元法计算及分析,探讨了原状黄土地基的变形、强度特征以及挤密对它的影响,得到了一些有益的结论。  相似文献   
32.
电动汽车牵引用永磁同步电机要求具有低速大转矩和高速恒功率的运行能力,低速大转矩运行工作点的大电流和高速弱磁导致的磁场畸变可能会导致作用于电机结构的电磁力幅值增大,容易引发较大的电磁振动噪声,从而影响电动汽车的NVH性能。本文基于Ansys多物理场有限元分析平台,研究一台20k W车用永磁同步电机的电磁噪声特性。分别建立电机的电磁场有限元模型和定子结构的3D模态有限元模型,通过仿真得出作用于电机定子齿部的电磁激振力和电机结构的低阶径向模态频率;从电磁力和电机结构两方面分析可能引发较大电磁噪声的主要来源。通过对电机定子结构的振动响应有限元仿真,得到电机定子结构的振动响应频谱;最后通过声场的有限元仿真分析车用永磁同步电机的电磁噪声特性。  相似文献   
33.
本文针对以太网的特性采用了一种简单的测试方法,能够对本网的信息流量进行统计分析,通过包过滤算法,将各信息包分类以分析网络分段的合理性,通过滑动窗口技术,较准确地捕获网络峰值,从而指导网管人员调整网络与系统配置.此方法已在多个实际网络中应用,具有良好的效果.  相似文献   
34.
介质纤维束波导电磁波传播特性分析   总被引:1,自引:1,他引:0  
介质纤维束波导是一种圆柱介质波导阵列.根据已建立的二维周期介质理论,对矩形排列的圆柱介质波导阵列进行了数值计算和分析,得出了电磁波在圆柱介质波导阵列中传播的一些特征,并且和矩形介质波导阵列电磁波传播特性作比较,结果较为满意。  相似文献   
35.
为了设计实用新型工业人机界面,提出了一种基于五点触摸校正和中位数均值滤波的Android多点触摸输入系统设计方法。采用五点触摸校正,根据触摸屏上采样的五个点,计算出校正系数,作为触屏校正参数;在mXT224控制器处理基础上,采用中位数均值阀限滤波,滤除触摸系统高斯噪声与尖峰噪声,并结合触摸校正参数校正输入坐标,逐级上传输入坐标信息,最终传递给上层应用程序。测试表明,基于优化的Android多点触摸输入系统在噪声很大环境下能够维持高信噪比(超过80∶1),并支持带手套或触笔触摸输入,反应时间小于10 ms,符合工业人机界面(HMI)设计要求。  相似文献   
36.
铜合金中含有Pb、Sn、Zn、Ni等元素,其分布和相对含量对铜合金的性能具有重要影响。本工作采用飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)法对铜合金标准样品GBW02137和GBW02140的表面进行了微区原位分析;采用束斑直径约5 μm的一次离子束轰击500 μm×500 μm区域内的混合固体合金样品,实现了Cu、Pb、Ni、Sn和Zn元素的表面成像,并测量了各元素在铜合金样品表面的分布情况;利用标样校准法对GBW02137、GBW02140中的64Zn/120Sn、208Pb/120Sn值进行相对含量分析。实验结果表明:TOF-SIMS法可用于铜合金中Cu、Pb、Ni、Sn和Zn等元素的表面成像和相对含量测定;采用标样校准法进行相对含量分析时,测得的64Zn/120Sn相对误差小于5.1%,RSD优于2.5%,208Pb/120Sn的测量相对误差较大,接近27%,但其RSD仍低于5%。  相似文献   
37.
对碳纳米管进行表面处理,利用熔融共混法制备聚丙烯/碳纳米管复合材料,经过粉碎压片后,得到样品.通过SEM观察聚丙烯/碳纳米管复合材料的断面结构.通过DSC研究聚丙烯/碳纳米管复合材料的非等温结晶过程.结果表明,经表面修饰的碳纳米管能够均匀分散于聚丙烯基体中,二者界面结合紧密;加入微量的碳纳米管就可以明显地提高复合材料的结晶温度和结晶速率.  相似文献   
38.
张家湾地区长2油层开发程度较高,但油气富集规律复杂,开发难度较大。在岩心、测井资料分析的基础上,对研究区长2油层组的沉积微相特征及各小层沉积微相平面展布特征进行了深入的研究。结果表明:张家湾地区长2油层组主要为灰色细-中粒长石砂岩,主要为三角洲平原亚相沉积,包括水下分流河道、天然堤、决口扇和泛滥平原4种沉积微相。沉积微相对储层物性和油气富集的控制作用明显,其中水下分流河道为主要微相,长22为主要含油层。  相似文献   
39.
生产管理精益求精、基层建设精雕细刻、经营细节精打细算。中石化销售华南分公司依靠"三精法"不仅各项效益逐年增长,而且全面实现了安全生产目标。2012年,中石化销售华南分公司完成管输量1594万吨,同比增长16.5%;实现销售收入2074亿元,同比增长12.9%;创造管道综合效益9.47亿元,同比增长11%。同时,全面实现了安全生产目标,连续两年被授予"中石化集团公司安全生产单位"称号。这一成绩的取得,凭的就是销售华  相似文献   
40.
三段式门极驱动抑制MOSFET关断过冲振荡的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对电机等感性负载电路中,金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconduc-tor field effect transistor,MOSFET)关断瞬间容易产生高幅值的高频电压振荡,不仅增加了系统的电压应力,还为系统带来严重的电磁干扰的问题,对MOSFET的关断行为进行研究,通过分析低侧功率驱动电路中门极电压对MOSFET关断过程的影响,推导出了关断过冲电压随门极电压变化的关系式;基于分析提出了闭环的三段式门极电压控制方法,并设计了电路,电路在漏极电压首次超过母线电压的瞬间,自动生成一段辅助电平信号,并施加至门极,用以抑制电压过冲和振荡。分析及实验结果表明,该电路简单、灵活、动态响应迅速,可以非常有效的抑制高幅值的高频电压振荡。  相似文献   
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