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扫描隧道显微镜重掺硅(111)表面微缺陷研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用电化学扫描隧道显微镜(EC-STM)初步研究了重掺锑硅(111)抛光片表面的微结构.多数硅晶片表面不同部位的STM形貌相表明,表面处理过程产生的微缺陷远比晶体生长过程产生的微缺陷多;粗糙度约为几个纳米的大面积平整区域与面积虽小但缺陷密度很高而且无规则分布的微区共存.微缺陷密度与晶体完整性、掺杂浓度和抛光条件有关.轻掺锑硅(111)表面相对平整,微结构尺寸较大(100nm左右)边缘较平滑;重掺锑硅表面微缺陷密度很高,结构复杂,平整度明显降低.表面机械损伤,杂质条纹,过腐蚀等缺陷密度通过优化表面抛光条件可 相似文献
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在商业竞争社会里,作为家电企业,拥有知识产权便可在市场竞争中占有主动权。为了突显企业科技实力,达到技术垄断,推动科技进步,家电企业专利申请数量逐年提高,但随之而来,市场上也出现了仿造他人产品,实施他人专利技术的侵权行为。目前许多企业建立了市场专利监控机制,以便尽早发现并及时解决侵权问题。发现专利侵权后,企业究竟该如何操作?笔者建议专利权人不宜操之过急、急于诉讼,至少应先行走完以下六步: 相似文献
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1. Introduction Thermal oxidation of silicon monocrystalis a very important process in fabricationof metal--oxide--semiconductor (MOS) devices.In recent years it has received great atten-tion. Various proposals for oxidation modeshave been made by different groups.Now most of the authors working in thisfield hold the view that the oxidation rateof silicon obeys a typical parabolic rule,that is, the oxidation reaction is controlledby diffusion. The experimental data inRef. can be taken and a kinetic curve 相似文献