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131.
穿孔莱特板的吸声作用   总被引:2,自引:1,他引:2  
莱特板是采用植物纤维和水泥生产的一种新型建筑装饰板材。本文除介绍板材的物理性能外,主要介绍其穿孔板后贴无纺布和玻璃棉板及不同空腔的吸声作用。  相似文献   
132.
文中通过求解薛定谔方程得到抛物型形量子阱的变换矩阵与透射系数。利用这一结果计算透射系数可以达到任意高的精度,最后,讨论了结构变化对抛物型量子阱的共振隧穿的影响。  相似文献   
133.
<正> 近年米,随着半导体生产技术的发展,人们开发出了不少新型温度传感器集成电路。这些传感器大部分的输出信号是模拟量(电压或电流),也有少数是数字量。DS1620是8脚DIP或SOIC封装的器件,输出的是数字员。它还具有温度控制器的功能(输出三种拧制、指示信号)。这是一种功能齐全、外围元件极少的新款温度传感器及控制器。  相似文献   
134.
本文介绍了广东省长途电及网计算机辅助规划运用的计算机技术与规划方法。  相似文献   
135.
在国际电联(ITU)提出的电信管理网(TMN)信息结构和功能体系结构基础上,探讨电信管理网所面临的安全问题。  相似文献   
136.
全耗尽SOI MOSFET的阈电压的解析模型   总被引:3,自引:0,他引:3  
付军  罗台秦 《电子学报》1996,24(5):48-52
本文在近似求解全耗尽SOIMOSFET所满足的二维泊松方程的基础上,建立了阈电压的解析模型。  相似文献   
137.
刘伊犁  罗晏 《半导体学报》1996,17(5):360-364
B注入n(Si)-GaAs层,经高温退火在GaAs晶格恢复过程中,B将占据GaAs晶格中一定位置成为替位B,当B取代As位,则形成双受主BAs,,当B取代Ga位,并形成络合物BGaYAs,将促使Si占As位,形成受主SiAs和受主络合物BgaSiAs,由于所产生的受主与n层中施主SiGa的补偿,减少了n 的载流子浓度,即B的化学补偿效应,本采用霍测量及光致光发测量对B的补偿行为进行分析。  相似文献   
138.
给出利用激光激发——撞碰能最转移的方法测量铀原子的同位素位移和超精细结构宽度的数据结果。同时对激光激发——碰撞能量转移的机理进行了定性的解释。  相似文献   
139.
140.
氧离子注入p型(Be)-GaAs形成高阻层的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用氧离子注入在p型(Be)-GaAs层中形成高阻层.根据I—V测量,光致发光测量,以及TEM方法观察的结果,得知载流子补偿主要与氧注入引入的损伤相关.当退火温度高于600℃时,由于损伤的恢复,所形成的高阻层开始向原来p型层转变.由于铍与氧的相互作用,高温退火将促进二次缺陷的形成与长大,使铍、氧共注入层的导电状态难以恢复到来注氧时的导电状态.  相似文献   
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