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研究了液相外延生长的高铝含量的Al_xGa_(1-x)/GaAs结构中的Mg掺杂特性,测量了各种接触扩散时间所对应的载流子浓度分布和表面质量。表明用Mg掺杂和接触扩散,能得到合适的结深和较高的载流子浓度的P-GaAs层。如果母液组份和生长温度恒定,并适当控制接触扩散时间,可以制备出重复性好的均匀高质量P-N结。 相似文献
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我们利用X射线形貌技术,对GaAs衬底上外延生长的GalnAs、GaAlAs、GaAlAsP结构的失配位错等缺陷进行了观察和分析,也对InGaAsP/InP结构进行了初步观察。X射线形貌相的观察表明,GaAs衬底的异质外延结构中的失配位错,主要是在失配应力作用下位错的弯曲和滑移所致。尽管在GaAlAs层中加入少量磷作应力补偿,但组成的GaAlAsP四元层在压应力和张应力条件下都出现了大量失配位错。在InP衬底上外延生长InGaAsP/InP双异质结构时,在压应力和张应力条件下也可能产生失配位错。 相似文献
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286.
本文介绍了一种用不同计算机语言编码的多模块程序结构的打印曲线程序。在飞行控制全数字式闭环实时仿真中,本程序把随不同采样周期而不断刷新的数组中的若干个参数,同时打印输出成若干条曲线。 相似文献
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用X射线回摆曲线图,研究了在(110)GaAs衬底上,汽相外延(VPE)生长In_xGa_(1-x)As层的晶格失配和晶面倾斜,计算的失配应变在10~(-3)数量级,其弹性应力在10~9达因/厘米~2数量级。由此,还可以很容易确定其组分X值,本实验样品的X值为3—8%左右。 相似文献
290.