出口系列三相异步电动机机座铸造模的工艺结构和制造

出口系列三相异步电动机机座铸造模的工艺结构和制造广州电机厂工艺科罗海辉机座是电机生产的主要铸件之一，其铸造模的工艺结构是否合理，直接影响铸件的生产和质量．现结合我厂出口系列三相异步电动机机座铸造模的工艺结构和制造方法分述如下．一、工艺分析我厂出口系列...     

3 300V SiC SBD嵌入式MOSFET研制

研制了一种3 300 V 碳化硅（silicon carbide, SiC） 肖特基二极管（schottky barrier diodes,SBD）嵌入式金属-氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field effect transistors,MOSFET）,即在传统MOSFET结构中集成一个由钛形成的肖特基接触。在芯片制造过程中,通过增加Ni退火后的表面处理工艺,使得栅源短路失效率降低约58%。研究发现,当二极管电流密度J_SD=100 A/cm²时,嵌入式二极管电压降V_SD（SBD）=2.1 V,寄生二极管的开启电压约为8 V,这说明嵌入式SBD可以抑制MOSFET寄生二极管开启,降低碳化硅MOSFET“双极退化”风险。另外,该芯片的阈值电压为3.05 V,比导通电阻和阻断电压分别为18.9 mΩ·cm²和3 955 V,在高压轨交市场具有广阔的应用前景。