军用电子装备的电磁防护新技术

对现代军用电子装备的电磁防护的最新技术－－抗核电磁脉冲（NEMP）与雷电电磁脉冲（LEMP）的对策技术以及防信息电磁泄露（TEMPEST）技术等进行了综述。     

溅射SiO_2膜的剥离图形

<正>日本电气公司武藏野电气通信实验室最近报导了溅射SiO_2膜的剥离作图方法,他们用这种方法成功地作成了具有斜侧壁的SiO_2图形,与过去用的湿法化学腐蚀和圆筒形等离子体腐蚀方法相比,没有侧向腐蚀而产生的钻蚀,图形精度高。该实验分以下几个步骤(见图):(a)使用一般光刻法在Si衬底上形成正性抗蚀剂(AZ-135)图形,在140℃下进行后烘,这些图形为微米厚,并有60°斜侧壁。(b)用平面rf磁控管溅射装置,在衬底上淀积SiO_2膜。(c)用缓冲氢氟酸轻微腐蚀(30℃,30s),除去淀积     

A study of hadronic shower development in the ECAL of the alpha magnetic spectrometer Ⅱ

In this paper, we studied the development of hadronic shower in an electromagnetic calorimeter of Alpha Magnetic Spectrometer Ⅱ. Two parametrized empirical formulae were proposed to describe the hadronic shower shape in calorimeter. Using 100 GeV proton b     

提高ZXJ10V10接通率的几种方法

接通率是衡量设备运行和服务质量的一个综合性指标,它是电话网的全程全网的统计数据,不仅反映具体交换设备的交换能力和运行质量,也牵涉到相关设备如传输、电源等的运行状况,同时也是程控局设备服务质量的一个直接反映。本文中笔者根据平时的工作经验对影响接通率的因素和解决方法做如下介绍。     

超高速的VLSI测试系统

日本阿德邦测试公司最近开发了一种超高速的VLSI的测试系统——“T6691”.在进行管脚的多种传输(分时驱动)时,设备的测试频率最高可以达到1GHz的超高速度;不进行多路传输时,测试频率最高也可以达到500MHz的高速度.它具有如下几个特点:     

俄罗斯的半导体产业

直到前不久在莫期召开的首届东西方微电子学会会议上,世界各国才真正了解到俄罗斯的半导体产业的实际状况;目前俄罗斯的半导体产业的产值已达到12亿美元;为了鼓励军品向民品转变,俄政府给予1200亿卢布的援助;具有可以检测0.8～0.6μm的工艺技术水平;产品以用于钟表和台式电子计算机的LSI为主,并且主要向东南亚各国出口。另外,其生产成本非常低廉,例如,4英寸的晶片,在西方需花约250美元,而在俄罗斯,则仅需35卢布左右。     

灵芝菌丝胞内多糖提取条件研究

以灵芝菌丝体为实验材料,采用单因素分组实验法对胞内多糖提取工艺(水提法、碱提法和超声提取法)进行了初步探讨。确定超声波提取法是菌丝体胞内多糖提取的最高效方法,其最佳提取条件为:料液比为1:30,提取温度70℃,超声功率为400W,提取时间20min,多糖提取率为3.36%。超声波提取法与水提法、碱提法相比,提取时间缩短5/6,提取温度降低20℃,提取效率分别高出44.8%和11.3%。     

TiO2纳米管的制备及应用研究进展

TiO2纳米管由于其表面积大、吸附能力强和电子迁移率高等特点而在光催化、太阳能电池、锂电池和传感器等领域中展现出巨大的应用潜力.综述了TiO2纳米管常用的几种制备方法,以及TiO2纳米管在相关应用领域中的最新研究进展.