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21.
本文试图探讨准解理断裂的本质。联系多晶材料的典型应力一应变曲线,对不同钢的断裂韧度试样的断口分析表明,准解理断裂可以看作是一种过渡的断裂机制。首先,一系列微观解理裂纹在高拉伸应力集中地方生核,然后这些裂纹各自沿着它本身已变形晶粒的解理面上扩展,最后借助于微观塑性聚合方式,这些微裂纹彼此连接。根据上述断裂模型可以认为:解理裂纹与塑性变形间的相互作用是准解理断裂的一种重要性质。借助于断口定量分析方法,有可能把断口形貌和一些力学参数间关系建立起来。  相似文献   
22.
研究了多酚氧化酶催化单宁的氧化聚合反应情况 ,探索了反应条件及 7种化合物对酶活性的抑制效果 ,对产物进行了红外光谱和紫外光谱测试 ,相对粘度法测定了产物的分子量。结果表明 ,反应的最佳条件是pH为 5 .2 9,温度为 3 0℃ ,在所用抑制剂中 ,硫酸铜的抑制作用最强 ,与单宁酸的IR图相比 ,产物的 -OH吸收带变窄 ,在 12 60cm-1处吸收峰增强 ,而紫外吸收无变化。产物平均分子量为 3 5 41,说明多酚氧化酶能催化单宁的氧化聚合  相似文献   
23.
基于电涡流的基本原理,以镍铬合金导线为涡流线圈,将导线绕制在陶瓷骨架上构成涡流探头,结合电源模块、放大模块和显示模块,设计制作了电涡流位移传感器。实验结果表明:该传感器能实现对金属位移的测量,具有结构简单、抗干扰能力强和测量精度较高等特点。  相似文献   
24.
魏伯荣  蓝立文 《橡胶工业》1994,41(3):144-147
对四氟化乙丙橡胶(TP-2)和氟橡胶(FKM-246G)进行了耐280℃水蒸汽试验。结果表明:以过氧化二异丙-三烯丙基异氰脲酸酯为硫化体系的TP-2硫化胶的耐高温水蒸汽性能,明显优于以N,N'-双肉桂叉-1,6-己二胺为硫化体系的FKM-246G硫化胶和以过氧化苯甲酰为硫化体系的FKM-246G硫化胶。  相似文献   
25.
本文提出了等效机组的概念,有效地解决了发电系统短期可靠性评估中的“状态爆炸”难题该方法不仅提高了短期可靠性评估的速度和精度,而且极大地压缩了计算存贮量,使发电系统短期可靠性评估更趋于实用化.通过对示例发电系统进行短期可靠性评估,其结果证明了该方法的正确性和有效性.  相似文献   
26.
元坝地区长兴组气藏采出水矿化度、含盐量高,氯离子含量尤其高,在温度、压力等条件发生变化时有结垢产生沉淀的可能;气田水呈酸性或碱性、悬浮物含量超标;净化厂生产废水含有多种有机物和H2S,具有高危险性、高COD值等特点。根据水质特点,参考同类气田(普光气田、龙岗气田等)的污水处理经验,比选污水处理指标、处理方案、回注方案、回注层位及回注井,优选出适合元坝气田的污水处理及回注方案。  相似文献   
27.
本文基于最大平均相关高度算法设计了一种归一化模板,解决了联合变换相关器的畸变目标识别问题。该方法通过对最大平均相关高度频域滤波器的控制参数优化,映射到空域获得初始模板,归一化后得到归一化模板。相比于初始模板,归一化模板大大提高了模板与待测目标的灰度相似性。仿真实验表明,该模板能有效增强待探测目标的相关峰亮度,在联合变换相关器上可实现对畸变目标的识别,其比例畸变容差为53%,旋转畸变容差为20°。通过实验,给出了畸变飞机的相关识别结果。  相似文献   
28.
通过溶胶-凝胶和高温固相法制备了SiO@TiO_(2)/C复合材料。结果表明:由于TiO_(2)对界面稳定性及锂离子扩散过程的促进作用,SiO@TiO_(2)/C材料拥有优良的循环和倍率性能。在1 A/g的电流密度下循环150次,材料表现出710 m A·h/g的比容量;在4 A/g的高电流密度下可逆比容量仍能达到430 m A·h/g。  相似文献   
29.
借助于金相显微镜和扫描电镜,探讨了bcc金属中蚀坑形状和晶粒位向的关系。晶粒的位向采用扫描电镜电子通道花样技术确定,实验结果表示在单位赤面投影三角形中。 采用矢量分析和坐标变换方法,推导了一组描述蚀坑形状和晶粒位向的关系式,并用理论计算数据制成图表。应用这些图表,可以迅速地确定晶粒位向。 因为蚀坑形状是以方位角(θ,φ)的连续函数来描述,故晶粒位向的分析结果可直接表示在单位赤面投影三角形中,且易于确定晶界的变换矩阵。 应用本文的蚀坑分析技术,曾对一些冶金问题进行了探讨。  相似文献   
30.
A RAPID METHOD FOR INDEXING THE ELECTRON CHANNELLING PATTERN   总被引:1,自引:0,他引:1  
蓝芬兰  廖乾初 《金属学报》1980,16(1):104-108
<正> 在扫描电子显微镜中,利用晶体试样对高能电子的电子通道效应所获得的图样,称为电子通道花样,它在外貌上,颇类似于从透射电子显微镜所获得的菊池花样,也是由一系列规则分布的、具有明显不同衬度的带组成,这些具有不同衬度的带称为某(hkl)晶面的电子通道带(或简称为通道带)。电子通道花样中所显示的衬度和角分辨率同晶体的表面状态和完整性有关;在几何关系上,每一通道带是同晶体试样中一定的(h  相似文献   
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