复合功率晶体管——新颖音放功率管

一、概述目前,半导体功率器件基本上分为两部分:一为双极型功率晶体管,它的历史长,工艺成熟,应用时间长,占领了功率器件的大部分市场;另一部分为MOS功率晶体管,主要由VMOS、DMOS等组成,它是在大规模,超大规模工艺成熟之后逐步发展起来的.MOS功率晶体管输入阻抗高,且没有双极型晶体管的电荷存     

基于电平检测的上电复位电路

目前基于延时的上电复位电路,其延时电容在掉电后,所储存的电量影响了下一次上电的延时,容易出现复位电平太窄甚至无法产生复位电平的问题;并且电源电位的上升速度,也会影响到复位电路的可靠性;针对此类问题,提出一种基于电平检测的上电复位电路,利用电源回路中本身具有的RC延迟时间作脉冲宽度,可以达到较长的复位时间;并且本电路的复位电平与工艺参数相关,能保证实际电路在复位电平消失后的可靠工作;探讨了本电路的复位特征及可靠性,并从流片结果得到验证。通过理论上的分析和实际结果的测量,本复位电路具有良好的可控性和优秀的复位能力;而且还具有较小的芯片面积。在某些情况下,还可以替代欠压检测电路。     

MOS/双极型复合功率管的应用

MOS/双极型复合功率管的出现,使双极型功率晶体管的高输入阻抗成为现实.MOS/双极型复合功率管利用MOS器件与双极型器件的各自特点,采用MOS与双极型器件以达林顿形式组合成复合功率管,具有高输入阻抗,低输入驱动,高跨导,低导通阻抗,大电流特性好等优点.《PMOS/     

栅控pn结表面效应及其应用

栅控效应即绝缘栅场效应MOS器件及集成电路的理论基础,是半导体工程中研究广泛手一个课题。pn结是整个半导体器件及集成电路的核心,尤其是双极型器件及电路赖以发展的基础,对它的研究受到最大的重视是理所当然的。但是,对于三种效应的互相结合和互相作用所产生的综合效应——栅控pn结表面效应,并没有受到应有的关注,在半导体器件尤其是大规模、超大规模集成电路迅猛发展的今天。对于这种效应的深入研究已经是势在必行的了。     

会议十二 ROM,PROM和EROM

目前,正在研究提高单片ROM,EPROM和EROM位数的问题。这里将要报告的是一个晶片尺寸为3英(?)的4MbROM,它使用了标志着单片集成度新水的冗余电路,反映了最近的研究动向。 多半用作查表的ROM的作用已大大发挥了。在微处理机系统中,软件的主要部分存贮在ROM中。这些软件由样机原型和最初状态的特殊变化而定。这些需要的变化可以由EPROM来完成。随着微处理机的迅速增加,使用EPROM的器件也迅速发展。反过来,这些发展又必须需要EPROM的工艺水平有相当的发展,去改善其特性,提高其密度。今年所研制出的64K位的EPROM标志了EPROM集成化的一个新水平。采用双层多晶硅的微NMOS已经应用到主EPROM技术中。此外,减少功耗,缩小面积,改进性能,新技术的发展使这些器件成为现实。     

电站级水平跟踪系统的设计与分析

在准赤道坐标系统下,详细讨论了光伏跟踪系统的最佳跟踪角度.给出了具有方位角和坡度偏差校正功能的最佳跟踪角度的表达式.提出了准赤道坐标系统下的Back-Tracking的跟踪算法.利用该坐标系统计算出的太阳位置与MICA水平坐标系数据对比,误差在0.7°内.基于上述最佳跟踪角度,开发了1套可适应不同地形、容积可变的电站级水平光伏跟踪系统,并详细讨论了系统的跟踪策略,在中国6个典型性气象地区对该系统进行了性能分析与讨论.相对于固定安装系统,该系统在无Back-Tracking算法情况下可平均提高21.85%,在具有Back-Tracking算法情况下可平均提高24.71%.     

硅高效太阳电池的效率限制

提高硅太阳电池的转换效率主要在于提高开路电压Ｖ（ｏｃ）和短路电流密度Ｊ（ｓｃ）。采用减薄硅片衬底厚度和光陷阱技术可望使转换效率达到２９％。     

一种新型准静态D─触发器设计

本文将介绍一种新型的ＣＭＯＳ准静态Ｄ─触发器的结构，这种新结构结合了ＮＭＯＳ结构和ＣＭＯＳ结构的优点。在这篇论文中将这种新型结构与ＮＭＯＳ传输门Ｄ─触发器、普通ＣＭＯＳ传输门Ｄ─触发器在结构、功能、集成度和特性等方面进行了比较，讨论这种新结构中ＭＯＳ管尺寸的设计，并且通过电路模拟软件ＳＰＩＣＥ对电路进行特性分析和比较。