14MeV中子引发SRAM器件单粒子效应实验研究

在中国原子能科学研究院的高压倍加器装置上开展了SRAM器件的14 MeV中子单粒子效应实验研究。介绍了中子的产生、中子注量率的测量和调节以及中子单粒子效应的测试等的实验方法,获得了HM628512BLP型和R1LV1616HSA型SRAM器件的14 MeV中子单粒子效应截面。前者与文献的单粒子效应截面在误差范围内一致,验证了实验方法的科学性和可行性。后者与由效应机制出发获得的理论分析结果在量级上一致,对实验结果给出了定性的解释。     

PLS的红外无损检测电磁激励的数学模型

主动式电磁激励红外无损检测中,电磁激励参数的选择是决定无损检测效果的重要因素之一.研究首先通过正交实验分析了激励功率、线圈总长、线圈等效直径、提离距离、激励时间等电磁激励参数对材料激励热效应的影响;基于偏最小二乘构建了各参数与材料激励热效应的数学模型,并分析了二者之间的关系;最后利用15组验证样本对模型进行了验证.研究结果表明;所构建数学模型的平均误差为9.79%,各激励参数中,提离距离对材料激励热效应的影响最大,其次分别为线圈总长、线圈等效直径、激励时间和激励功率.     

数据定价研究综述

数据定价是把数据作为资产并对资产进行定价的行为.在当前的数据市场中,由于买家和卖家之间几乎没有透明度、信息严重不对称,造成数据定价的混乱.如果存在数据定价的标准流程和评估方法,买家就能够以合理的价格获得需要的数据,同时也能改善数据交易市场的效率.检索了近年来关于数据定价的相关文献,在此基础上,总结了数据定价的定义、特点...     

一种基于V58300平台的集成电路功能测试系统设计

基于中科院微电子所自主研发的V58300硬件平台，设计实现了一种集成电路功能测试系统。该系统包含上位机与下位机两部分，通过在上位机实时更改测试系统相关I/O的定义和输入的测试向量文件，即可自动完成对各种运行频率在25 MHz及以下，I/O数量在48位及以下双列直插(DIP)封装集成电路的功能测试，实现了测试系统的通用化和低成本化。最后通过实验证明本测试系统可以有效地对相关芯片进行功能测试。