化学水浴沉积CdS薄膜晶相结构及性质

采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,研究了溶液组份的浓度对CdS结晶结构的影响.增加乙酸胺的浓度、提高溶液的pH值有利于生成立方晶CdS,反之则易于生成六方晶CdS.无论立方相还是六方相CdS薄膜,电阻率均在104～105Ω·cm范围,结晶均匀细致.用六方晶为主和立方晶为主的CdS制备的CIGS太阳电池最高效率分别达到12.10%和12.17%.     

OVC薄膜材料及其对CIGS薄膜太阳电池异质结的改进

通过实验制备得到OVC薄膜材料,并对其进行掺Cd处理,以提高其载流子浓度.然后根据CuIn0.7Ga0.3Se2、OVC、CdS、ZnO这4种半导体的相关材料参数和实验数据,画出了它们形成异质结前后的能带图,并计算得到它们的能带边失调值△Ec、△Ev.由此得出,在CIGS薄膜太阳电池中形成OVC后,大大改善了其异质结的结特性,从而也可以改善电池的性能.     

孪生对靶溅射ZnO∶Al薄膜的研究

采用对向孪生靶溅射ZnO∶Al(ZAO)薄膜可减少等离子体对基底薄膜轰击损伤,沉积速率与结晶程度高;不同气压溅射的ZAO薄膜,其透光率在波长小于700 nm时基本相同,在可见光范围内(400～700 nm),都大于80%.其中,在550 nm时的透过率大于90%;入射光大于700 nm时,ZAO较厚的薄膜对红外的吸收更多;溅射气压为2 Pa比1 Pa沉积速率低,但薄膜电子迁移率较大、电阻率低,更适合做CIS薄膜太阳电池窗口层或透明导电膜.     

溶液PH值对CdS薄膜结构特性的影响

采用化学水浴沉积(CBD)工艺在玻璃衬底上制 备CdS薄膜,研究溶液PH值对CdS 薄膜结构特性的影响。薄膜的厚度、组份、晶相结构和表观形貌分别由台阶仪、X射线荧光 光谱(XRF)、X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FESEM)来表征。溶液的 PH值为11.26、 11.37和11.48时,CdS薄膜的晶相以六方相为主,薄膜的厚度先增大后减小; PH值为11.62、11.66时,薄膜的晶相以立方相为主,薄 膜的厚度进一步减小。同时,随着溶液PH值 增大,CdS薄膜的晶格常数也逐渐增大。两种晶相的CdS薄膜缓冲层与CIGS薄膜分别构成异 质 对形成异质结时的晶格失配分别为32.297%和1.419%,界面态密度分别为2.792×10¹⁴和8.507×10¹²,因此高效CIGS薄 膜太阳电池更需要立方相的CdS薄膜。     

Morphology of CIGS thin films deposited by single-stage process and three-stage process at low temperature

Cu（In,Ga）Se2 （CIGS） thin films are prepared by a single-stage process and a three-stage process at low temperature in the co-evaporation equipment. The quite different morphologies of CIGS thin films deposited by two methods are characterized by scanning electron microscopy （SEM）. The orientation of CIGS thin films is identified by X-ray dif- fraction （XRD） and Raman spectrum, respectively. Through analyzing the film-forming mechanisms of two prepara- tion processes, we consider the cause of such differences is that the films deposited by three-stage process at low tem- perature evolve from Cu-poor to Cu-rich ones and then back to Cu-poor ones. The three-stage process at low tempera- ture results in the CIGS thin films with the （220）/（204） preferred orientation, and the ordered vacancy compound （OVC） layer is formed on the surface of the film. This study has great significance to large-scale industrial production.     

Modification of deposition process for Cu(In, Ga)Se2 thin film solar cells on polyimide substrate at low temperature

We fabricate polycrystalline Cu(In, Ga)Se₂ (CIGS) film solar cells on polyimide (PI) substrate at temperature of 450 °C with single-stage process, and obtain a poor crystallization of CIGS films with several secondary phases in it. For improving it further, the two-stage process is adopted instead of the single-stage one. An extra Cu-rich CIGS layer with the thickness from 100 nm to 200 nm is grown on the substrate, and then another Cu-poor CIGS film with thickness of 1.5–2.0 μm is deposited on it. With the modification of the evaporation process, the grain size of absorber layer is increased, and the additional secondary phases almost disappear. Accordingly, the overall device performance is improved, and the conversion efficiency is enhanced by about 20%.     

孪生对靶溅射ZnO：Al薄膜的研究

采用对向孪生靶溅射ZnO：Al(ZAO)薄膜可减少等离子体对基底薄膜轰击损伤，沉积速率与结晶程度高，不同气压溅射的ZAO薄膜，其透光率在波长小于700nm时基本相同，在可见光范围内(400-700nm)，都大于80％。其中，在550nm时的透过率大于90％；入射光大于700nm时，ZAO较厚的薄膜对红外的吸收更多；溅射气压为2Pa比1Pa沉积速率低，但薄膜电子迁移率较大、电阻率低，更适合做CIS薄膜太阳电池窗口层或透明导电膜。     

无线网络优化的难题与发展动态研究

笔者在当前存在多网的背景下，阐述无线网络优化过程中存在的难题，并且在本文中支出无线网络优化的发展动态是来自于客户感知，并且对此优化效果的评估，应当通过集中化的无线网络优化平台在闭环优化流程下来展开无线网络优化的工作。     

磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe_2薄膜工艺条件的优化

采用四因素四水平的正交实验法优化了磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe2 薄膜的工艺条件 .调节四个较为重要的影响因素 ,即Cu/In比、硒化时间、硒化温度和硒源温度制备得到 16个CuInSe2 样品 .用Hall效应仪对薄膜的电学性能进行了研究 ,并且通过XRD研究了薄膜的结构性能 .得到了制备具有较好电学性能的CuInSe2 薄膜的优化条件为 :Cu/In比 1 133,硒化温度 4 2 0℃ ,硒化时间 2 0min ,硒源温度 2 0 0℃ .在此优化条件下得到的薄膜Hall迁移率可以达到 3 19cm2 /(V·s) ,XRD结果表明薄膜中没有杂相存在 .     

CdS薄膜的结构特性及其对Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的影响

报道了CdS薄膜的CBD法沉积及其结构特性,其中的水浴溶液包括硫脲、乙酸镉、乙酸铵和氨水溶液.研究了水浴溶液的pH值、温度、各反应物溶液的浓度和滴定硫脲与倾倒硫脲等基本工艺参数对CdS薄膜结构特性的影响.其中,溶液的pH值对CdS薄膜的特性起着关键的作用.XRD图显示了随着溶液pH值的变化,薄膜的晶相由六方相向立方相转变.CdS薄膜的这两种晶相对CIGS薄膜太阳电池性能的影响不相同.c-CdS(立方相的CdS)与CIGS之间的晶格失配和界面态密度分别为1.419%和8.507×1012cm-2,而h-CdS(六方相的CdS)与CIGS之间的晶格失配和界面态密度则分别为32.297%和2.792×1012cm-2.高效CIGS薄膜太阳电池需要的是立方相CdS薄膜.