“老师”如今50期!

今年3月,我被报社指派为负责采访公安口的记者时,说实话,我对公安消防部队职能的了解,仅限于“灭火”这么简单、肤浅的认识。作为一名职业记者,如果对自己的“口岸”缺乏了解,这无疑是致命的。因此,我决定先学习、了解有关消防的知识。 我记得那天是3月28日,我来到云南省公安消防总队,找到了《云南消防》编辑部副主任何平老师。虽然是初次见面,何老师给我一见如故的感觉,他热情、耐心地解答了我的种种疑问。还带我认识了《云南消防》编辑部的张嵘、李纲等编辑,他们跟我是同龄人,又是同行,我们即刻犹如好朋友。     

A14—11辊道轴承失效分析

我厂NO_2初轧机的输入辊道A14—11轴承是日本KOYO 公司的产品,材质为高碳铬轴承钢,经锻造—球化退火—机械加工—淬火和低温回火—磨削加工制成。内径×外径×宽度为220×370×120mm,额定动负荷为125000kgf,转速115r/min,使用硫磷极压锂基脂NO_2进行集中油脂润滑,工作条件是输     

通信、网络、计算融合的天地一体化信息网络体系架构研究

随着人类活动范围从大陆向海洋、太空的不断扩展,世界各国纷纷开始布局全球无缝覆盖、连接无处不在的天地一体化信息网络建设。天地一体化信息网络是天基网络与地面网络的深度融合,不是简单的地面向空间的拓展与叠加。从融合的角度出发,首先梳理了地面互联网、移动通信网、天基信息网络发展现状以及存在的问题与挑战;然后总结分析了天地一体化信息网络体系架构研究现状以及新型网络架构向云化、智能化发展的趋势;最后提出了通信、网络、计算融合的天地一体化信息网络的体系架构,并从物理架构、功能架构、物理与功能架构映射等多个维度进行了阐述,提出了一体化信息通信系统、一体化网络系统、一体化信息系统的3层功能架构模型,以期为后续天地一体化信息网络的研究、建设和标准化提供有价值的建议和参考。     

阴离子型抗静电剂的合成及其性能

为丰富高分子抗静电剂的组成并探讨其在涤纶材料上的应用，选用多种功能单体合成了非离子和阴离子型两类抗静电剂，并将其与聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)切片熔融共混制备了抗静电PET注塑样品，表征了非离子型抗静电剂的热学以及抗静电性能，重点考察了阴离子型抗静电剂中的磺酸盐组分对抗静电剂的热学性能、抗静电性能的影响以及阴离子型抗静电剂质量分数对PET基体的抗静电性能、表面亲水性能以及力学性能的影响。结果表明：非离子以及阴离子型抗静电剂具有较好的热稳定性；阴离子型抗静电剂的抗静电效果优于非离子型抗静电剂，当添加的磺酸盐摩尔分数为14%时，阴离子型抗静电剂的抗静电效果相对最优；当阴离子型抗静电剂质量分数达到20%时，PET注塑样品的表面电阻率下降了4个数量级，表面接触角下降了50.81%,其抗静电性能以及表面亲水性能得到显著提高，但力学性能有所下降。     

晋古13井钻井液技术

晋古13井是华北油田一口预探井,目的层为奥陶系,完钻井深为5099 m,井底温度超过160 ℃.该井地层情况复杂,馆陶组地层有大段燧石砾岩、石英;沙河街组有多层盐岩、膏质泥岩和油页岩,易发生缩径、坍塌,邻井曾发生过缩径卡钻等事故,钻井施工难度大.该井二开强造浆地层采用劣质固相容量高的聚硅氟钻井液,三开盐膏地层采用聚磺欠饱和盐水钻井液,并配合使用甲酸钠以改善钻井液性能,增强钻井液抑制性和稳定井壁能力,四开采用低密度低固相保护油气层钻井液.应用结果表明,该套钻井液技术满足了晋古13井的地质条件,全井无事故,电测成功率为100%.     

单板机控制球磨机分级机组的实时模拟实验

目前,在我国选矿厂中用常规DDZ电动单元组合模拟仪表控制球磨分级机组的技术已经成熟并推广使用。近年来,微型机突飞猛进地发展,性能/价格比不断提高。为了尽快应用微机控制又尽量少影响生产,我们首先在实验室成功地进行了单板机控制球磨分级机组实时模拟实验,从而为现场应用打下了坚实的基础。     

UJ27/b型携带式直流电位差计的检修方法

本文全面地提出了检修UJ7／b型携带式电势差计的方法。     

介绍优乐诺两种新型SBQ感光胶

2008年至2009年，美国Ulano（优乐诺）国际在我国市场上隆重推出了SBQ单液型油性感光胶—QX3（DP398）和USBQ厚膜型油性感光胶－QLT两种新型SBQ感光胶。新的Ulano QX3（DP398）、厚膜型QLT是一种特别设计广泛应用于各印刷工业上，含有二元硬化特殊成分的感光胶，并使用一种纯净的感光性树脂（SBQ）敏化剂来代替重氮基，所以同时具有纯净感光性树脂的曝光速度快、便利性以及含有特殊的二元硬化感光胶的良好的成像特性及耐印性。     

化学量传感器

<正> 二、pH-ISFET的基本结构与工作原理 氢离子敏场效应晶体管(pH-ISFET)与MOSFET的区别仅在于后者的金属栅被氢离子敏感膜所代替,二者都是建立在半导体表面场效应基础上的器件,有许多相似之处,因而可将MOSFET的理论分析及其结果直接用于对pH-ISFET的分析上。为此,有必要首先介绍一些MOSFET的有关问题。