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151.
采用PECVD法制备的纳米硅薄膜是一种具有特殊性能的人工材料.它是由大量具有纳米量级的硅微品粒构成,纳米硅晶粒镶嵌在由非晶硅构成网络中,其晶粒所占的体积百分比为Xc≈50%,从而决定了其特有的性质.本文通过严格控制薄膜生长的工艺参数,得到了掺磷纳米硅薄膜,并通过原位纳米力学电学测试系统对其力学和电学性质进行测试,发现掺磷纳米硅薄膜的纳米硬度为5 GPa,而其杨氏模量随着压入深度的增加而增大,其接触电阻与薄膜的结构密切相关.这些属性对于纳米硅薄膜微器件的制备具有重要的参考意义. 相似文献
152.
153.
应用装配有限元法,对水平工况下混凝土泵车臂与臂连接处的六连杆机构进行了计算与分析,得到了真实、准确并且直观的应变和应力分布,根据应变与应力分布规律,找出薄弱部分,为改进结构设计提供理论依据. 相似文献
154.
用 Sol- Gel方法研制了 PL T[(Pb0 .83 L a0 .17) Ti O3 ]铁电薄膜 ,结合非挥发性铁电存储器对铁电电容的要求 ,研究了 Au/ PL T/ Pt铁电电容和漏电流、剩余极化、疲劳、开关特性和揭电常数等性能。对厚度为 0 .4 μm的薄膜 ,5 V时的剩余极化强度 Pr=2 2 μC/ cm2 ,矫顽场强度 Ec=6 0k V/ cm,相对介电常数约 130 0 ,漏电流 Id=3.2× 10 -8A/ mm2 ,开关特性优良。疲劳测试表明 ,对Vpp=10 V的锯齿信号 ,经 4 .5× 10 11周期后 ,剩余极化强度衰减 2 0 %。上述性能表明 ,该 PL T膜能用于非挥发性铁电存储器的试制 相似文献
155.
本文设计的高精度闭环数控恒流源,以单片机为核心,采样实际输出值经A/D转换反馈回单片机,经分析、处理后与预置值进行比较,采用PI调节控制D/A输出的电压值并调整负载电流的大小,形成外部闭环动态的误差调整,消除电路中的静止误差,实现高精度的恒流输出。其中,扩流模块采用达林顿管放大电流,达到2A的恒流输出要求,电源模块采用开关电源的设计方法,电流取样采用具有高稳定性阻值的锰铜电阻比作为取样电阻,最后通过软件分析、校正,最终达到精度高、实时性强、稳定度高、输出范围宽的目的。 相似文献
156.
介绍了一种基于ARM控制器芯片AT91RM9200设计的双套微机励磁调节装置的组成,重点讨论了装置脉冲板的设计。针对励磁调节器的关键部分———故障监测和主从切换单元提出了合理的改进。改进后的设计简化了硬件结构,增加了软件的逻辑判断,同时提高了故障切换的稳定性。最后讨论了相关有效的抗干扰技术措施。 相似文献
157.
158.
159.
本文对数据挖掘中关联规则和序列模式的概念和作用进行了研究,论述了在关联规则中寻找大项集的Apriori算法的实现,以及在序列模式基础上对Apriori算法的结果进行了改进和优化,使数据的关联规则与时间和序列之间建立了密切的联系,从而更好的实现了对于大规模数据库中有用信息的挖掘和利用。 相似文献
160.
本文对数据挖掘中关联规则和序列模式的概念和作用进行了研究,论述了在关联规则中寻找大项集的Apriori算法的实现,以及在序列模式基础上对Apriori算法的结果进行了改进和优化,使数据的关联规则与时间和序列之间建立了密切的联系,从而更好的实现了对于大规模数据库中有用信息的挖掘和利用. 相似文献