蒸汽辅助注射成型技术的现状与发展

介绍了蒸汽辅助注射成型技术的基本原理与特点,利用它可以很好地解决传统注射成型塑件的一些缺陷,如熔接痕、表观质量差、翘曲变形等,探讨了该技术需要研究的主要内容,并提出一些解决方案。该技术的推广应用对提升注塑行业的水平将会有积极的作用。     

Sol—Gel V2O5薄膜的成膜和取向研究

采用溶胶－凝胶法在SiO2/Si衬底上沉积V2O5薄膜,详细介绍了对衬底表面作亲水处理的方法。以不同浓度溶胶,在不同温度和不同气氛下对薄膜进行热处理,得到以＜001＞向为主取向的高取向薄膜,从理论上解释了V2O5薄膜的取向机理,并与相同衬底上的热蒸发和PLD氧化钒薄膜的取向作了比较。     

二氧化锡衬底上Sol—Gel PLT膜的性能研究

用Sol-Gel钛酸镧铅 (PLT)溶胶 ,在CVD法沉积生成的二氧化锡 /玻璃衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退火 (RTA)处理后 ,用X射线衍射 (XRD)测试了膜的结晶取向 ,用RT66A测试了膜的电学性能。结果表明 ,Sol-GelPLT膜在SnO2 衬底上能正常结晶 ,结晶温度与在Pt衬底上一致 ,结晶取向以〈10 0〉为主取向。 10V时 ,SnO2 衬底上厚度为 0 5 6μm的PLT膜的漏电约为 5 6× 10 - 7A/mm2 ,比Pt衬底上同等厚度的PLT膜高约一个数量级。膜的剩余极化强度Pr=2 4μC/cm2 ,比Pt衬底上的高。PLT/SnO2 的疲劳特性优于PLT/Pt结构。     

退火条件对ZnO薄膜结构和光学性能的影响

采用溶胶-凝胶法在单晶硅Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜,研究了退火温度对ZnO结构和光学性能的影响.实验发现,退火可以明显地改善ZnO薄膜的结构和光学性能.随着退火温度的升高,ZnO薄膜的晶粒增大,同时在室温下观察到明显的紫外发光现象,其紫外PL谱峰值变强,并有红移现象.     

L-3-(4-吡啶基)-丙氨酸钝化钙钛矿太阳电池界面缺陷

近年来钙钛矿材料因其优异的光电性能而成为光伏领域的研究热点, 但调控钙钛矿太阳电池内界面缺陷仍是亟需解决的关键问题之一。本研究在溶液两步法制备钙钛矿光吸收层的过程中引入有机小分子添加剂(L-3-(4吡啶基)-丙氨酸(L-3-(4-pyridyl)-alanine, (PLA))。测试结果显示引入PLA可提高器件的各光电性能参数, 含PLA器件的最优能量转换效率为21.53%, 而参照器件为20.10%。进一步研究表明引入PLA可延长荧光寿命, 降低器件的陷阱态密度(从5.59×10¹⁶cm^-3降至3.40×10¹⁶cm^-3), 促进界面电荷抽取, 抑制载流子复合。器件性能的提升是由于PLA促进PbI₂在钙钛矿薄膜晶界处富集及PLA在界面处锚定起到了钝化缺陷的作用。本研究可以为进一步调控钙钛矿太阳电池的缺陷提供借鉴。     

16×16纳米陶瓷/聚合物复合敏感膜热释电面阵研制

用三维集成CMOS工艺研制了 16× 16有机 /无机复合敏感膜红外热释电面阵。用掺钙和镧的钛酸铅 (PCLT)纳米粉粒与聚偏氟乙烯 三氟乙烯 [P(VDF TrFE) ]均匀复合 ,作面阵的敏感膜。用PMOS场效应管作热释电元件的阻抗转换 ,用双 16位移位寄存器作敏感元件信号读出的选址。用 6μm厚的聚烯亚胺薄膜作为热释电面阵与CMOS读出电路间的热隔离。用 4 0nm厚的Ni Cr膜作面阵的上电极及吸收层。测得该面阵单元在 6 0 0Hz下探测率峰值为 2 .6× 10 7cmHz1/2 /W。     

K-L变换在磨粒特征参数优化中的应用

长期以来人们主要是利用专家的经验和知识,通过特征选择来建立磨粒的特征参数描述体系,此方法人为因素影响很大,而且缺乏理论依据。通过K-L变换则不同,它可以消除特征之间的相关性,从而有可能去掉那些带有较少信息的特征,同时保证不会带来很大的误差。研究表明K-L变换完全可以达到降低特征向量维数,建立最优特征参数体系的目的。     

40ft新型铁路运输发电箱制造工艺

40ft新型铁路运输发电箱作为一种新型铁路运输发电装备,为各种铁路运输装备提供电能,文中介绍了此发电箱的技术要求、结构特点、工艺难点保证,明确了整箱制造工艺和有效的工艺方法,保证了箱体结构尺寸、各系统功能等均符合设计技术要求和客户需求。     

模具锻坯备料时的注意事项

模具是工业生产中用来制作具有一定形状和尺寸的零件或制品的重要工艺装备,是由若干个零件按一定的规则排列的组合体。模具制造的第一步便是模具零件坯料的配备。由于模具零件形式、规