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31.
许俊华 《微型计算机》2010,(28):112-114
相信读过本刊2010年8月下环保特刊的读者.已经对其中介绍的EuP环保指令有所了解。然而大家的疑问也随之产生,有人问到.文中那些通过EuP/ErP指令的产品在外观上并无特别之处.如通过该指令的富士康H6E-主板在外形、布局上看起来就是一块普通主板。  相似文献   
32.
许俊华 《微型计算机》2009,(33):152-154
与常见的三脚MOSFET.八脚MOSFET不同,近日在一些高端P55主板上出现了一种新型MOSFET.其外形如金属小盒般,完全密封。那么它是整合Mosfet Driver的DrMOS吗?非也,在采用这种MOSFET的主板上我们仍能看到相应的MOSFET Driver芯片。那么这到底是哪种类型的MOSFET?它与其它MOSFET相比有什么不同?会对处理器供电电路带来什么影响呢?  相似文献   
33.
MVC编程模型在Web程序中的应用及Java实现   总被引:33,自引:2,他引:31  
为了克服当前Web应用开发技术的种种弊端,文章将传统的面向对象的编程模型——MVC模型引入Web应用程序的开发中,并使用以Java为核心的技术对其进行具体实现。  相似文献   
34.
近年来,智能代理技术被引入帮助人们处理互联网上的海量商务数据。然而在网上商务自动协商时,智能代理技术仍存在着一些问题。网上商务对话需要智能商务代理具备一套完善的交互模型以应付各种特殊情况。论文通过改进已有的交互模型使其具备协商回溯功能,以提高商务协商的成功率。此外,论文还将讨论如何提高该模型的效率。  相似文献   
35.
NbN/TaN纳米多层膜的微结构及超高硬度效应   总被引:3,自引:0,他引:3  
用磁控反应溅射的方法在不锈钢基片上制备了NbN/TaN纳米多层薄膜,试验采用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)及显微硬度仪对薄膜的微结构和硬度进行分析,结果表明:在NbN/TaN多层膜中,NbN层为面心晶体结构,TaN层为六方晶体结构;NbN/TaN纳米多层膜存在超硬效应,在调制周期2.3~170nm这一放宽的范围内保持超高硬度,硬度最大值HK达51.0GPa  相似文献   
36.
采用射频磁控反应溅射在单晶Si(100)上沉积了一系列不同Al含量的(Zr,Al)N薄膜,利用能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和微力学探针对薄膜的成分、结构、力学和抗氧化性能进行了表征。研究结果表明,当Al含量在0%~20.31%(原子分数)之间时,薄膜是B1型(NaCl)单相结构;当Al含量为31.82%时,同时出现B1和B4型(ZnS)双相结构。当Al含量超过36.82%时,以B4结构为主。随着铝含量的增加,薄膜晶面间距减小,晶格常数变小。薄膜的力学性能测试表明,适当的Al含量可以提高薄膜的硬度。随着Al含量的增加,薄膜的抗氧化性能得到改善,对于B1型(Zr,Al)N薄膜,其结构稳定性也得到增强。  相似文献   
37.
38.
Al元素对Zr-Si-N复合膜的微结构与力学性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用反应磁控溅射方法制备了一系列不同铝含量的Zr-Al-Si-N复合膜,用能谱仪、X射线衍射仪和显微硬度计对复合膜进行表征,研究了铝元素对Zr-Si-N复合膜的微结构和力学性能的影响.结果表明,当铝的原子分数N_(Al) ≤10.84%时,Zr-Al-Si-N复合膜中fcc-(ZrAlSi)N为主要相;当N_(Al) ≥14.67%时,Zr-Al-Si-N复合膜是fcc-(ZrAlSi)N和h-AlN的混合相;铝原子分数为4.80%时,Zr-Al-Si-N复合膜的显微硬度达到最大值43.92 GPa;随着铝原子含量的进一步增加,Zr-Al-Si-N复合膜的显微硬度迅速下降.对复合膜的致硬机理进行了讨论.  相似文献   
39.
通过非平衡磁控溅射的方法制备了不同C含量的ZrCN复合薄膜,采用XPS,XRD,SEM,AFM,纳米压痕仪和摩擦磨损仪等对薄膜的化学成分、微结构、表面形貌、力学性能及摩擦磨损性能进行了研究.结果表明,ZrCN薄膜中(C+N)/Zr原子比对薄膜的相组成、微结构和力学性能都有很大的影响.当(C+N)/Zr原子比小于1时,C进入ZrN的晶格间隙并形成Zr(C,N)固溶体.而当(C+N)/Zr原子比大于1时,多余的C形成非晶态的CN或单质C,ZrCN复合膜呈fcc结构.随着C含量升高,ZrCN复合膜的硬度先增大后减小,而摩擦系数逐渐减小,磨损所产生的磨痕逐渐变窄、变浅.C的加入使得ZrCN复合膜的摩擦磨损形式发生改变,摩擦磨损性能得到提高.含C量为13.2%的ZrCN薄膜硬度达到31 GPa,摩擦系数仅为0.26,综合具备了硬度高、摩擦磨损性能好的优良特点.  相似文献   
40.
采用多靶反应磁控溅射设备制备了一系列不同基体负偏压的W-C-N复合膜.采用X射线衍射仪、扫描电镜、能量色散谱仪、纳米压痕仪和摩擦磨损仪对薄膜进行表征.结果表明:当负偏压小于等于80 V时,薄膜表现出六方α-WCN相结构,增加到120 V时,转变为立方β-WCN相,薄膜硬度、弹性模量和膜基结合力出现对应最佳性能点的峰值;随着负偏压的增大,薄膜质量得到改善,磨损率和摩擦系数明显降低,负偏压达到200 V时,磨损率和摩擦系数分别出现最低值4.22×10-6 mm3·N-1 ·m-1和0.27;薄膜的磨损机制主要是磨粒磨损.  相似文献   
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