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本文报道在650℃的衬底温度下实现了MOCVD在(100)面和(111)面上生长GaAs与Al0.4Ga0.6As的不同选择性。这一衬底温度比国际上以前报道的要低,对制作适于光电器件的GaAs/AlGaAs量子阱层比较有利。用此技术,在GaAs非平面衬底上生长了GaAs/Al0.4Ga0.6As量子阱,并用扫描电镜、低温光致发光谱及偏振激发的光反射率谱技术进行了研究。结果不仅证明了MCCVD外延生 相似文献
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新型NTC热敏电阻材料—含铜Mn系铁氧体的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了含铜Mn系铁氧体的阻温特性,目的是用廉价的铁氧体取代价格昂贵的、传统的Mn Ni Co氧化物、负温度系数热敏电阻。通过Cu~(2+)离子取代Fe~(2+)离子或Mn~(2+)离子,及改变淬火工艺,可以改变Mn系铁氧体整体电阻率ρ和材料参数B,得到可与传统氧化物器件相比拟的性能。 相似文献
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