AlxGa1-xN/GaN肖特基二极管的高温特性

High-temperature characteristics of the metal/AlxGa1-xN/GaN M/S/S （M/S/S） diodes have been studied with current-voltage （I-V） and capacitance-voltage （C-V） measurements at high temperatures. Due to the presence of the piezoelectric polarization field and a quantum well at the AlxGa1-xN/GaN interface, the AlxGal-xN/GaN diodes show properties distinctly different from those of the AlxGa1-xN diodes. For the AlxGa1-xN/GaN diodes, an increase in temperature accompanies an increase in barrier height and a decrease in ideality factor, while the AlxGa1-xN diodes are opposite. Furthermore, at room temperature, both reverse leakage current and reverse breakdown voltage are superior for the AlxGa1-xN/GaN diodes to those for the AlxGa1-xN diodes.     

国产晶体管的长期贮存可靠性

测试了存贮24-37年的国产14种型号晶体管的输出特性.贮存37年的3DK7F 100只中,1只发生致命性失效;4只晶体管的共射极直流电流放大倍数hFE减小超规范失效,其最大退化率为-50%,年均退化率-1.35%.存贮29年的3DG101F,7只中有3只hFE的减小超过-30%,占该批晶体管43%,hFE最大退化从110减小到73,退化率为-34%.年均退化率-1.2%.存贮30年的J3AX54B hFE增加幅度最大,从120增加到134,增加了12%.年均增加0.4%.测试结果表明:在长期贮存中,晶体管的输出特性会发生退化;hFE值即有增加,也有减小.     

半导体功率发光二极管温升和热阻的测量及研究

通过电学测量方法得到了半导体功率发光二极管温升与热阻的加热响应曲线.曲线出现一个或多个台阶,反映了其内部的热阻构成与器件物理结构.同时采用遮光法对器件温升及热阻进行了修正.还应用瞬态加热响应原理对功率管的封装结构进行了监测.     

三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET性能比较

对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究，结果表明：常规结构的材料生长简单、容易控制，倒置结构的直流性能低于常规结构，而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂，但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.     

一种DDS任意波形发生器的ROM优化方法

提出了一种改进的基于直接频率合成技术(DDS)的任意波形发生器在现场可编程门阵列(FPGA)上的实现方法。首先将三角波、正弦波、方波和升/降锯齿波的波形数据写入片外存储器,当调用时再将相应的数据移入FPGA的片上RAM,取代分区块的将所有类型波形数据同时存储在片上RAM中的传统方法;再利用正弦波和三角波的波形在4个象限的对称性以及锯齿波的线性特性,通过硬件反相器对波形数据和寻址地址值进行处理,实现了以1/4的数据量还原出精度不变的模拟信号,从而将整体的存储量减小为原始设计方案的5%。经验证,这种改进方法正确可行,能够大大降低开发成本。     

InP 层对正面及背面入光 PIN 探测器响应度影响研究

InP盖层对光的吸收及入射光在探测器多界面间的多次反射,使InP层对InGaAs/InPPIN探测器的响应度产生了很大的影响。本文测量了正面和背面入光PIN探测器的响应度,并与测量的InP晶片透射率及模拟的透射率进行比较,分析了InP层对正面及背面入光PIN探测器响应度的影响。结果表明,随着InP层厚度的增加,响应度峰与峰的间隔Δλ不断减小,波形越来越密集。所以正面入光探测器的响应度起伏比较明显,且随着InP层厚度的增加,响应度极值对应的波长发生红移。背面入光探测器的响应度非常密集而成为准连续的带状。     

基于DDS技术的波形发生器ROM压缩优化算法

针对DDS芯片因存储空间开销大导致功耗增加,可靠性降低的问题,设计了一种对直接数字频率合成（DDS）波形发生器在现场可编程门阵列（FPGA）上的ROM存储空间压缩优化算法。在不改变波形精度的前提下,通过存储幅度序列的相对增量来减少波形数据位宽的方式对ROM进行压缩,再利用幅度累加器就可以还原出真实的幅度序列。在Quartus II 13.0开发环境下搭建工程,并在FPGA开发板上测试通过。经过测试,该DDS信号发生器可产生五种不同的波形,共占据存储空间9240bit。结果表明,这种DDS优化算法比传统DDS波形发生器节省资源96%以上,能够减少系统功耗,提高系统运行速度。     

半导体功率发光二极管温升和热阻的测量及研究

通过电学测量方法得到了半导体功率发光二极管温升与热阻的加热响应曲线.曲线出现一个或多个台阶,反映了其内部的热阻构成与器件物理结构.同时采用遮光法对器件温升及热阻进行了修正.还应用瞬态加热响应原理对功率管的封装结构进行了监测.     

双极型晶体管电流增益温度特性的研究

修正了电流增益表达式。对样品3DK105B在不同温度点下进行测试分析。考虑样品理想因子n随温度的变化、VBE随温度的变化,以及禁带宽度随温度变化对电流增益的影响,对电流增益表达式进行了修正,使修正后的结果更加接近实际测试结果。     

晶体管电流增益的表达式修正及电流增益在可靠性评估中的应用

Considering the impacts of ideal factor n, VBE and band gap changes with the temperature on current gain, the current gain expression has been corrected to make the results closer to the actual test. Besides, the accelerating lifetime study method in the constant temperature-humidity stress is used to estimate the reliability of the same batch transistors. Applying the revised findings from the expression, the current gains before and after the test are compared and analyzed, and, according to the degradation data of the current gain, the transistor lifetimes in the test stress are respectively extrapolated in the different failure criteria.