基于PLC的交通锥筒收放系统设计

针对国内大城市潮汐车道对交通锥筒自动收放系统的需求,设计了基于PLC的交通锥筒收放系统.采用PLC主从站结构,共使用5轴输出,控制4台伺服电机与一台步进电机,人机交互采用工业触摸屏实现,完成各项作业参数的设置,实现了路面交通锥筒的自动放置与捡拾过程,提高了工作效率.经现场测试,本系统可以满足潮汐车道对交通锥筒自动收放控制系统的需求.     

基于MSP430的多通道温湿度记录仪设计

介绍了一种基于MSP430单片机的多通道温湿度记录仪,用于测量电子元件长期储存环境中的温度和湿度。系统集实时时钟、数据采集与存储、按键、电源处理及USB通信为一体,具有体积小、功耗低、操作简单、多点记录等特点,可以记录电子元件长期储存环境中的温度与湿度,亦可适用于其他需要测量温湿度的场合,具有广泛的应用前景。     

基于多元性能参数的贮存寿命方法研究

针对双极性晶体管在加速贮存过程中的性能退化情况,建立其贮存寿命的外推模型。在该模型中,用维纳过程来模拟每个特征退化量的一元退化过程,用copula函数描述特征退化量之间的相关性。模型中的维纳过程以及copula函数的参数被认为与温度相关,它们的关系可以用转换方程来表示。用极大似然估计得到维纳过程的参数,引入kendall’s tau估计出copula函数的参数,对各应力水平下的参数的估计值做回归分析得出各参数对应的转换方程。基于双极性晶体管贮存试验数据,利用给出的估计方法得到其贮存寿命。     

基于驱动程序的协议栈设计

提出了一种新的协议栈设计思路———基于驱动程序的协议栈设计。在对比传统的协议栈设计方式———基于任务的协议栈设计的基础上 ,说明了其优点为可减少实时操作系统保存和恢复任务上下文的次数、数据和控制信息更简单的在层与层之间传输 ,给出了协议栈设计的基本框架。     

基于ANSYS的IGBT热模拟与分析

根据IGBT的基本结构和工作原理,建立了一种新的IGBT三维热模型.运用基于有限元法的分析软件ANSYS,对功率分别为0.5W,1.0W,1.5W,2.0W条件下的器件热分布进行模拟分析.结果表明,热耦合加剧了器件的自升温,且功率越大,影响越明显.另外,考虑了热导率随温度变化情况下的器件热模拟结果显示:在相同的功率(1W)条件下,器件最高温升高4.8K.由模拟结果得到的热阻与红外实测结果基本一致.     

快速确定微电子器件失效激活能及寿命试验的新方法

提出了一种新的微电子器件快速评价方法--温度斜坡法,建立了确定失效激活能的新模型和寿命外推新模型,使用此模型可计算出单支器件的失效激活能并外推其寿命．同时,该方法的试验温度范围较宽,可以触发不同温度范围的多种退化模式,实现对不同退化机理的研究．     

GaAs MESFET热特性电学法测量与分析

采用快速脉冲技术,研制了ＧａＡＭＥＳＦＥＴ热特性测试仪,并测量,分析了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ冷响应曲线、温升、稳态热阻、瞬态热阻及入曲线。采用该方法,可在器件正常工作条件下,快速、非破坏性地测量分析器件的芯片、粘接及管壳各部分的热阻。     

海洋环境下晶体管的现场贮存可靠性研究

介绍了我国海洋环境的特点及其对双极型晶体管特性的影响.基于典型近海仓库贮存环境,以具有代表性的、用量较大的中小功率晶体管为研究对象,具体分析了近海仓库贮存30～40年的双极型晶体管的性能退化情况和失效模式.研究经过了13个环节的筛选检测,统计并分析了晶体管失效情况,并以失效数目最多的筛选环节中失效的晶体管为例,进行了电学参数测试与开帽检查.研究结果表明,击穿电压、反向漏电流与电流增益是相对较敏感的失效参数.     

AlGaN/GaN HEMT器件的高温特性

研究了AlGaN/GaNHEMT器件在室温、100℃、200℃和300℃下的工作性能。当栅长为1μm时,器件的最大漏源电流和非本征跨导在室温下的数值为1.02A/mm和230mS/mm。温度升高到100℃时几乎没有变化,温度升高到300℃时,最大漏源电流和跨导分别下降到0.69A/mm和118.25mS/mm,下降的百分比分别为:67.6%和51.4%。     

AIGaN／GaN HEMT器件的高温特性

研究了AIGaN／GaN HEMT器件在室温、100℃、200℃和300℃下的工作性能。当栅长为1μm时，器件的最大漏源电流和非本征跨导在室温下的数值为1．02A／mm和230mS／mm。温度升高到100℃时几乎没有变化，温度升高到300℃时．最大漏源电流和跨导分别下降到0．69A／mm和118．25mS／mm，下降的百分比分别为：67．6％和51.4％。