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近年来,激光雷达应用对探测距离和灵敏度提出了更高的要求。905 nm半导体激光器作为其理想光源也亟待提升峰值功率与光束质量。在这个背景下,基于非对称大光腔结构研究了不同增益区类型和波导结构对905 nm隧道结脉冲半导体激光器的光束质量和功率效率的影响。通过优化增益区类型和波导结构降低了体电阻和内损耗;增强了限制载流子泄露的能力,提高了器件在高电流下工作的峰值功率和电光效率;通过提高高阶模对基模的阈值增益比值,抑制高阶模式激射,降低了远场发散角。在此基础上,研制的800 μm腔长、200 μm条宽的四有源区半导体激光器在100 ns脉冲宽度、1 kHz重复频率的脉冲功率测试中,41.6 A的脉冲电流强度下实现了峰值功率输出177 W;垂直于PN结方向单模激射,远场发散角半高全宽为24.3°。 相似文献
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射电精细结构是太阳爆发动态频谱图中一个重要的观测现象。为了达到更好提取精细结构轮廓,解读物理信息的目的。基于国家天文台怀柔观测站的2.6~3.8GHz频谱仪于2002年4月21日观测到的爆发现象,采用Levelset方法并加以改进,对原始图像进行轮廓提取,克服了以往此方法中存在遗漏检测的问题。此外对图像进行循环检测,取得了良好地检测结果。此后又对图像进行二值化提取,得到了二值化精细结构图像。最终统计出精细结构漂移率这一重要物理信息,为更好的理解太阳爆发机制提供了依据。 相似文献
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《中国科协科普人才发展规划纲要(2010—2020年)》提出,到2020年,要培养和造就一支规模适度、结构优化、素质优良的科普人才队伍,科普人才总量至少比2010年翻一番。科普人才的培养,需要在高等教育环节加强科学传播素质教育。在这方面,以美国麻省理工学院和哥伦比亚大学等为代表的国际知名高校已经开展了多年工作。本文重点介绍了美国麻省理工学院开展科学传播素质教育的情况,并在此基础上,结合中国高等教育的现状,分析了我国在高校中开展科学传播素质教育可从中汲取的经验。 相似文献
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采用分子束外延( MBE)方法在蓝宝石衬底上外延生长m面GaN薄膜。利用原子力显微镜( AFM)、扫描电子显微镜( SEM)分析薄膜表面形貌,发现Ⅴ/Ⅲ族元素比从1∶80降低到1∶90时,外延膜表面均方根粗糙度从13.08 nm降低到9.07 nm。利用光谱型椭偏仪研究m面GaN薄膜,得到了m面GaN薄膜的厚度、折射率和消光系数。拟合结果显示,GaN样品厚度和理论值一致,且Ⅴ/Ⅲ族元素比为1∶90时,所得外延膜折射率较低,透射率大。两种测试方法表明,Ⅴ/Ⅲ族元素比较小的样品晶体质量高。 相似文献
109.
理论仿真和实验制备了AlGaInAs/InP材料1.55 μm小发散角量子阱激光器。为了扩展近场光场并减小内损耗,将一个非对称模式扩展层插入到外延结构的下盖层当中。仿真结果表明,该模式扩展层除了少量增加激光器阈值电流以外,在不影响激光器其它性能的情况下能显著减小激光器的垂直远场发散角。实验结果与理论仿真高度吻合。成功制备出脊宽4 μm,腔长1000 μm的脊波导小发散角激光器。在端面未镀膜的情况下,该激光器阈值电流为56 mA,输出功率为17.38 mw@120 mA,斜率效率可以达到0.272 W/A。实验测得垂直远场发散角为29.6°,相比较传统激光器减小了约35.3%。 相似文献