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991.
A 4-9 GHz wideband high power amplifier is designed and fabricated, which has demonstrated saturated output power of 10 W covering 6-8 GHz band, and above 6 W over the other band. This PA module uses a bal-ance configuration, and presents power gain of 7.3 ± 0.9 dB over the whole 4-9 GHz band and 39% power-added efficiency (PAE) at 8 GHz. Both the input and output VSWR are also excellent, which are bellow -10 dB. 相似文献
992.
993.
994.
我们设计研制了一个基于Al GaN/GaN HEMT大功率放大器的混合集成电路.这个电路包含了1个10×120μm的HEMT晶体管,以及输入和输出匹配电路.在偏置条件为Vds=40 V,Ids=0.26 A时,输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到37 dBm(5 W),最大的PAE为35.6%.在偏置条件为Vds=30 V,Ids=0.22 A时输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到36.4dBm(4.4 W),最大的PAE为42.7%. 相似文献
995.
提出了一种新颖的主天线座的轴承环结构形式,针对此种重载、高精度的转盘式轴承环的设计要点作了较详细的分析,并提出了一些新的观点,可以作为类似的高精度,重载伺服传动系统轴承设计的技术铺垫。 相似文献
996.
997.
雷达通信一体化有利于提高设备硬件资源利用率和频谱利用率,改善频谱拥挤现象,成为近年来研究的热点.针对直接信息调制一体化信号旁瓣较高、扩频信息调制一体化信号带宽较大的缺点,提出了一种加权预处理一体化波形优化方法.分析了多符号正交频分复用雷达通信一体化信号的模糊函数及其相关函数对模糊函数的影响,利用鲸鱼优化算法选择加权系数... 相似文献
998.
The transition among multiple charging states of a semiconductor's localized intrinsic/impurity defects is considered as phase transitions, and the concept of transition Gibbs free energy level (TGFEL) is proposed. Dependence of the cross section of TGFEL on its charge state is discussed. Introduction of TGFEL to replace acti- vation energy has fundamentally important consequences for semiconductor physics and devices. TGFEL involves entropy. What is to be included and not included in the entropy term consistently for all defect levels is an unre- solved open question, related to correct interpretation of various experimental data associated with various defect levels. This work is a first step towards resolving this question. 相似文献
999.
冯小江 《电信工程技术与标准化》2013,(2):35-37
本文通过分析移动通信运营企业四网协同发展的困难,提出通过共建共享政策将通信基站规划建设与城市路灯、监控杆规划建设相结合,解决通信基站建设困难,促进四网协同发展,提高电信基础设施投资利用率。 相似文献
1000.
在电子电路中,弱电开关漏电的故障,时常发生在潮湿、粉尘环境工作的电器设备,严重影响生产生活。笔者对强迫风冷的中波发射设备,由粉尘引发弱电开关漏电的故障,进行故障分析处理与大家交流。 相似文献