2011年江西电网计算分析建议

本文以电网规划设计为基础,以电网建设项目进度为条件,以潮流和稳定计算分析为核心.对2011年江西电网的短路电流、潮流(包括全网N-1可靠性)、稳定(包括主要断面单一元件故障、500 kV变电站母线故障以及同杆并架双回线的异名两相同时发生单相接地故障等)进行详细分析,找出存在的问题,在此基础上提出了提高电网稳定性和保障电...     

为智能电网提速插上翅膀

驱车从张家口出发,行至位于张北县的国家风电研究检测中心试验基地,一路上随处可见迎风而立的白色风力发电机组。60多米高的塔筒上,巨型桨叶匀速转动,为盛夏的坝上地区增添了一丝丝清凉与活力。不时在路上驶过的运送塔筒和扇叶的加长货车,让我着实感受到了这里风力发电发展的速度与规模。     

风舞张北——追风旅程

一边,是对风电的殷殷期盼。 今年,华东、华北、华中地区出现淡季区域性电荒,西北和东北电力却有富余。人们疑惑：为什么西北大量的风电不能通过电网输送到缺电地区？     

三坐标测量机测量腔盘模具曲线轮廓度关键点分析

给出了腔盘模具曲线轮廓度测量的3个关键点。即在分析测量基准与加工基准怎样重合的基础上,给出了坐标系建立方法。在建立过模具旋转中心的平面的基础上,确定了母线扫描路径。在考虑模具加工后轮廓与建模轮廓存在偏差的基础上,正确处理了实测值,给出了所测母线的曲线轮廓度。     

单片机在机械元件测量中的应用

以C8051F020单片机为控制中心,设计并实现了机械元件的参数测量系统。C8051F020具有很高的硬件集成度,通过片内的A/D转换通道与外部的采集传感器进行连接。只要接不同的传感器就可以采集不同数据源的数据,做到系统与数据源的无关性,因而系统具有很强的通用性。     

有序能对Ni75Al15Cr10合金Cr替代行为影响的微观相场研究

通过微观相场方法研究了Ni75Al15Cr10合金在1073 K时效时,不同原子间有序能下Cr原子的替代行为.结果表明,在γ'有序相中,同时存在Ni-Al原子反位和Cr原子对Ni和Al原子的替代行为,其中以替代行为为主;随着第1,3层Ni-Al和Ni-Cr有序能的增大,Cr原子替代Al位的趋势增大,替代Ni位的趋势减小;第2,4层Ni-Al和Ni-Cr有序能增大时,Cr原子替代Ni位的趋势增大,替代Al位的趋势减小;第1,3层Al-Cr有序能增大时,Cr替代Ni位的趋势增大,替代Al位的趋势减小;第2,4层Al-Cr有序能增大时,Cr替代Ni位的趋势减小,替代Al位的趋势增大.     

一种适用于COFDM系统的低复杂度噪声功率估计算法

本文分析了噪声功率对Turbo码COFDM系统（TCOFDM）和LDPC码COFDM系统（LCOFDM）性能的影响,基于判决反馈的原理,提出了一种适用于COFDM系统的噪声功率估计算法,它能够对噪声功率平稳变化的信道做出准确的噪声功率估计。仿真结果表明,该算法性能可逼近已知真实噪声功率理想系统性能,且复杂度较低,尤其是针对LCOFDM系统,利用LDPC码的自校验性可进一步降低算法复杂度。     

因子定理在计算机集成制造系统网络可靠性分析中的应用

为了快速有效地分析计算机集成制造系统网络可靠性,提出了一种基于因子定理的计算机集成制造系统网络可靠度计算方法,并扩展了因子定理中的可靠度不变缩减原则.根据计算机集成制造系统子网络的特点,运用网络拓扑理论分别将办公自动化网络和制造自动化网络抽象为网络拓扑图,借助边因子定理、点因子定理及可靠度不变缩减原则,在可靠度不变的前提下简化了网络拓扑图,提高了计算计算机集成制造系统网络可靠度的速度.通过对算法的计算复杂度及应用实例的分析,说明这种分解和化简算法是快速有效的.     

基于凸集的结构非概率可靠性度量研究

结构非概率可靠性分析中,结构的可靠性是通过非概率可靠性指标度量的.文中研究结构非概率可靠性的度量方法,对比分析基于区间的非概率可靠性模型和基于凸集合模型的非概率可靠性模型两种情况下的非概率可靠性指标,证明它们之间存在着确定的函数关系,揭示两种指标之间的差异是由不确定因子所决定的本质,并对其进行定性解释.同时得到一些有用的结论.     

Ni-Al-V合金L12相间有序畴界面的微观相场模拟

利用微观相场动力学模型模拟Ni-Al-V合金沉淀过程中L12(Ni3Al)相间有序畴界面,对界面结构及其界面处原子的行为进行了研究.结果表明:L12相间存在3种稳定的平移界面以及2种过渡界面;界面的迁移性与界面结构有关,一个L12相的(100)和另一个L12相的(200)对应且有两个Ni原子面的界面以及(100)和(100)对应且有两个Ni原子面的稳定界面可以迁移,迁移前后界面结构保持不变,迁移的过程中形成过渡界面;而(100)和(200)对应且有一个Ni原子面的稳定界面则不可迁移.合金元素在不同的界面处有不同的偏聚和贫化倾向,Al原子在所有界面处贫化,V原子在所有界面处偏聚,Ni原子在可迁移界面处贫化,而在不可迁移界面处偏聚,且各元素在不同的界面处偏聚以及贫化程度不同.