MEMS在惯性测量中的应用

对MEMS在惯性测量中的应用状况进行了总结 ,介绍了加速度计和陀螺仪的基本工作原理和商业化情况 ,提出了我国发展微机械惯性传感器的一些发展思路     

一种基于不变量的工作流协同模型分解方法

现代企业计算的业务过程越来越复杂,有很多分散且相对独立的组织机构,为了协同来自不同组织的业务过程,文中提出一种IOPN模型(面向交互的Petri网)用于描述跨组织的工作流协同,该模型包含组织内的过程模型和组织间的交互关系.为了确保IOPN模型能够被正确地执行,文中提出IOPN模型的弱合理性(relaxed soundness)作为IOPN模型的正确性标准之一.IOPN模型是一种复合模型,其规模一般较大,采用基于状态空间的分析方法,容易产生状态空间爆炸问题,为此文中提出基于不变量的分解方法,能够将一个弱合理的无回路IOPN模型分解为一组顺序图,并提出相关定理:一个无回路IOPN模型是弱合理的当且仅当其可以被分解为一组合法的顺序图.     

虚拟白桦纯林的雷达后向散射模拟

首先联合利用森林生长模型和分形树模型系统建立白桦纯林的空间虚拟场景并记录场景中每个散射体的方位和坐标信息,然后将此信息输入到森林植被雷达相干散射模型中进行后向散射模拟,最后分析不同的白桦结构分布对雷达后向散射的影响,以便对白桦纯林的雷达图像进行定量分析。     

三角旋回算法求解梯级电站群短期优化调度

提出一种新的全局优化方法——三角旋回算法,其具有结构简单、鲁棒性强和快速收敛的特点。算法的寻优过程采用历史最优目标函数值进行指导,利用三角变换进行迭代使其能够快速收敛到全局最优。文中用一个典型的算例对三角旋回算法进行了性能分析,并将该算法应用于梯级电站群短期（目前现货市场）优化调度中,通过与其他几种常见算法结果进行比较,认为该算法综合性能优越,在优化方法领域具有广阔的应用前景。     

HTTP协议与JSON格式在ZStack中的实现与应用

ZStack是TI公司推出的符合ZigBee标准的协议栈,专注于构建低功耗、低速率的无线传感器网络。针对该协议栈无法直接接入互联网,提出了HTTP协议在ZStack中的应用方案。首先通过以太网芯片ENC28J60将uIP协议栈移植到ZStack中,实现了ZigBee网络便捷接入互联网;其次对 uIP协议栈中的 TCP客户端模式进行封装,实现了HTTP协议的POST请求,采用互联网中通用的JSON标记语言传输数据到PC数据库,保证了通信的简单高效;最后采用此方案采集温湿度信息并传输到后台,在WEB端实现温湿度曲线的实时绘制与ZigBee网络的拓扑显示。     

15W线列阵连续激光二极管泵浦的窄脉宽大峰值功率调QNd:YAG激光器

我们研制的15W连续激光H极管泵浦调QNd：YAG激光器,重复率3kHZ时脉冲宽度为6．4us,峰值功率为60．4kw,最大重复率达到65kHz。采用的15W连续激光二极管一维线状排列24个发光区,每个发光区面积ZOOumXIvm,相邻区域的间隔190urn。24个发光区域的总长度为10mm。二极管激光的发散角为40“X10”。对激光二极管的整形包括两个部分。第一步采用多根光纤耦合,将24个光斑分别耦合进直径300tim的24根独立的光纤,将光纤输出端按圆状排列,获得直径约1．2mm,发散角16“的端面输出。第二步采用组合透镜对该光束耦合,获得直径小于lmm,景深…     

高重复频率二极管泵激光器窄脉宽调Q技术

文中介绍了二极管泵浦激光器谐振腔中的声光调Q技术,计算了超声波渡越时间及其对输出光脉冲的影响。在此基础上,设计的调Q二极管泵激光器在15W泵浦下,获得了脉宽7ns,峰值功率34kW,重复频率10kHz的脉冲输出。     

基于用户驱动创新的文创产品设计

在信息技术快速发展、市场需求多元化的背景下,用户驱动创新已成为应对市场变化、提高竞争力的有效方法,并为文创产品可持续发展提供了新思路。文章基于对用户驱动创新的比较研究,分析文创产品的需求集中于差异化、情感化、数字化,并提出丰富设计内容、打破传统样式、融入数字设计的设计策略。指出文创产品设计的蓬勃发展应以用户为中心,优化用户体验及增加文创产品的创新力,从而真正做到文创产品服务于用户。挖掘用户需求、激发用户创新力,同时也为文创产品的发展添砖加瓦。     

测量激光束横模结构的方法研究

分析了根据激光场强度相对分布计算激光束横模结构的方法,根据分析结果设计了利用光场分布测量激光束横模结构的实验方法。对所设计的方法进行了仿真验证,同时通过具体实验,对一款调Q激光二极管抽运固体激光器(DPL)的激光束横模结构进行了测量。实验中,在不知道谐振腔参数的情况下,根据设计的方法测量了激光束的各阶横模比例。以测量出的横模比例为基础,理论上重构出激光束,该光束和实际光束的空间传输过程基本吻合。     

pMOSFET中栅控产生电流的衬底偏压影响研究

研究了pMOSFET中栅控产生电流(GD)的衬底偏压特性。衬底施加负偏压后,GD电流峰值变小;衬底加正向偏压后,GD电流峰值增大。这归因于衬底偏压VB调制了MOSFET的栅控产生电流中最大产生率,并求出了衬底偏压作用系数为0.3。考虑VB对漏PN结的作用,建立了包含衬底偏压的产生电流模型。基于该模型的深入分析,很好地解释了衬底负偏压比衬底正偏压对产生电流的影响大的实验结果。