浅析日本风景园林专业硕士教育评价体系*

2012年3月3日,日本造园学会发布了《环境·造园类专业研究生院评价基准》。首先,本文从概述和内容等方面对该基准进行了介绍;其次,对评价基准的特点进行了分析总结;最后,结合我国“风景园林硕士教育”的现状,借鉴日本造园学会发布的《环境·造园类专业研究生院评价基准》的基础上,提出了教育目标的设定、教学课程的设置、教师队伍的建设、对学生的支援等四个方面的建议,期待为我国的风景园林硕士教育提供借鉴和参考。     

天津移动通信局基于Informix平台改进业务模式

本文介绍了Ｉｎｆｏｒｍｉｘ平台以及天津移动通信局基于Ｉｎｆｏｒｍｉｘ平台改进业务的情况。     

浅谈卫生间涂膜防水的施工工艺

由于卫生间内管道多、阴阳角多且工作面狭小常采用涂膜防水。它具有防水效果好、施工方便、冷作业等优点。本文就涂膜防水施工工艺谈一下自己的见解,以供参考。     

天津移动通信局基于Informin平台改进业务模式

本介绍了Ｉｎｆｏｒｍｉｘ平台以及天津移动通信局基于Ｉｎｆｏｒｍｉｘ平台改进业务的情况。     

Characterization of the ZnO thin film prepared by single source chemical vapor deposition under low vacuum condition

ZnO has attracted much attention recently due to its large band gap n-type semiconductor exhibiting, c-orientation, transparent conductivity, optical and luminescence properties[1]. There has been a surge of interest in the growth of high quality thin films of ZnO for its wide applications[2]. Thin films of c-axis oriented zinc oxide have been prepared using various deposition techniques, including sputtering, pulsed laser, ion-beam assisted deposition and atomic layer epitaxy[3]. However, al…     

基片表面朝向对ZnO纳米线生长机理的影响

采用热蒸发ZnO粉末法,以金膜为催化剂,在两片表面分别朝上和朝下的Si(100)基片上生长ZnO纳米线(样品分别标为1#和2#)。X射线衍射(XRD)图谱上只存在ZnO的(002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿(001)择优取向。通过扫描电子显微镜(SEM)表征发现,ZnO纳米线整齐排列在Si基片上,直径在100nm左右,平均长度为4mm。通过分析得出,两种基片上生长的ZnO纳米线的生长机理是不相同的:1#样品,在基片表面上先生长ZnO薄膜,再在薄膜上生长ZnO纳米线;2#样品,ZnO纳米线直接外延生长在基片表面。结果显示基片表面的朝向影响ZnO纳米线的生长机理。     

热处理对ZnO六棱微管结构及发光特性的影响(英文)

采用水热法在p-Si(111)衬底上生长出六棱ZnO微管,在空气中进行了300～600℃不同温度的热处理,并用XRD、XPS、PL谱研究了热处理对ZnO微管的结构、发光性能的影响。结果表明经过热处理后,ZnO微管的晶体质量显著改善。室温下的光致发光测试显示,在可见发射几乎消失的情况下,近带边发射的强度显著增大。与原位生长的ZnO微管相比,在泵浦密度为28kW/cm2时,热处理400℃的样品在近紫外区产生一个新的发射峰P。通过验证发射峰A与P之间的相对能量位置,认为新发射峰P可能是由激子-激子碰撞引起的。     

2002～2003年经检测合格的低压电器类产品和企业名录

检测报告编号企业名称产品名称型号规格签发日期低压配电柜2(X) 2001北京电联力光电气有限公司户外综合配电箱XLWI一l(X)/30,150A,无功补偿容量30 kvar2(X) 2 .01.14 北京供电福斯特开关设备有限公司 箱变配套低压配电柜 JYm创洲〕G,1 250A,额定短路分断电流50 kA,额定短时与额定峰值耐受电流(30、63 kA)2(X) 2 .01.15河南新乡像北电器有限公 低压组合型抽出式开关柜 GCY,3 150A,额定分断电流(30 kA),额定短时与额定峰值耐受电流(50、105 kA)2(X) 2 .02.01 安钢集团福利实业有限责任公司 低压组合型抽出式开关柜 GCY,3 150A,额定…     

钙钛矿型氧化物SrTiO3/BaTiO3多层膜的激光分子束外延生长研究

用激光分子束外延技术在SrTiO3(001)衬底上外延生长SrTiO3/BaTiO3多层膜,通过反射式高能电子衍射(RHEED)原位实时监测并结合原子力显微镜(AFM),研究了不同基片温度下所生长薄膜的表面平整度,利用X射线衍射(XRD)对外延薄膜进行了结构分析,结果表明薄膜具有二维生长模式,在基片温度为380～470℃之间生长的薄膜具有原子级光滑,并且具有完全C轴取向.同时运用X射线光电子能谱(XPS)研究了薄膜界面的互扩散,结果表明降低制备薄膜时的基片温度有利于减少互扩散.     

低维材料的研究

主要论述了低维材料的制造方法、特异性能及在光电子和微电子器件领域的应用,包括介质超晶格、金属超晶格和一维量子线;介绍了我们分别采用激光分子束外延制备的BaTiO3/SrTiO3介质超晶格及其介电性能、直流磁控溅射法制备的强紫外光反射的Cu/Ti超晶格和宽禁带的一维ZnO量子线;描述了低维材料的发展前景.