阴极电弧离子镀ZrN梯度膜和Zr/ZrN多层膜的腐蚀特性

采用阴极电弧离子镀技术在1Cr13不锈钢表面制备了ZrN梯度层和Zr/ZrN多层膜,并用电化学腐蚀方法和中性盐雾法检测了1Cr13基体、ZrN梯度层和Zr/ZrN多层膜的耐腐蚀性能.结果表明:Zr/ZrN多层膜和ZrN梯度层均能提高1Cr13基体的抗腐蚀能力,而Zr/ZrN多层膜的效果更明显:镀层的内部缺陷(如微孔)和液滴导致薄膜发生孔蚀、隙缝腐蚀和电偶腐蚀;镀层保护的实质是物理屏障作用,细化晶粒、减少膜层中的液滴及针孔等缺陷能显著提高薄膜的抗腐蚀性能.     

改性蓝蒽酮溶致液晶的偏振性能研究

采用氯磺酸磺化对蓝蒽酮进行改性处理，其水溶液在一定浓度下出现了溶致液晶相，织构呈带状和条状分布。无水乙醇改善了溶致液晶的涂布性能，它是黏稠溶致液晶涂布湿膜时一种良好的添加剂。试验结果表明，厚度为1～1．5μm磺化蓝蒽酮剪切固态薄膜是一种良好的偏光材料。     

镶嵌结构界面金刚石涂层研究进展

对平面结构和镶嵌结构界面金刚石涂层的界面结构特点、受弯曲应力应变时的失效方式进行了分析,指出镶嵌结构界面金刚石涂层是提高膜/基体结合力的有效方法;综述了镶嵌结构界面金刚石涂层的国内外研究现状,并指出了今后镶嵌结构界面金刚石涂层的发展方向。     

Gd99.75Fe0.25合金的大磁热效应及应用特性研究

采用X射线衍射、物理性能测试系统、显微硬度计及电化学工作站研究了经氩弧熔炼、1123K均匀化热处理168h的Gd99.75Fe0.25合金的磁热效应及应用特性。结果表明:Gd99.75Fe0.25合金仍保持纯Gd的六方晶体结构;Gd99.75Fe0.25合金的居里温度为294K,且在居里点附近发生铁磁到顺磁的二级相变,2和5T外场下的最大磁熵变分别为4.99和9.37J·kg-1·K-1,均大于纯Gd;Gd99.75Fe0.25合金的显微硬度(HV0.2)590MPa,与纯Gd相当,但少量Fe的掺杂提高了Gd的耐蚀性。含少量Fe的Gd99.75Fe0.25合金具有大的磁热效应及良好的应用特性,是一种有很大应用潜力的室温磁致冷材料。     

铜基体预沉积铜-金刚石复合过渡层金刚石膜的制备与表征（英文）

在铜基体表面电沉积铜-金刚石复合过渡层,采用电镀铜加固突出基体表面的金刚石颗粒,最后利用热丝化学气相沉积(HFCVD)法在复合过渡层上沉积大面积的与基体结合牢固的连续金刚石膜。采用扫描电子显微镜、拉曼光谱和压痕试验对所沉积的金刚石膜的表面形貌、内应力及膜/基结合性能进行研究。结果表明:金刚石膜由粗大的立方八面体颗粒与细小的(111)显露面颗粒组成,细颗粒填充在粗颗粒之间,形成连续的金刚石膜。复合过渡层中的露头金刚石经CVD同质外延生长成粗金刚石颗粒,而铜表面与粗金刚石之间的二面角上的二次形核繁衍长大成细金刚石颗粒。金刚石膜/基结合力的增强主要来源于金刚石膜与基体之间形成镶嵌咬合和较低的膜内应力。     

低温反应溅射Al+α-Al2O3复合靶沉积α-Al2O3薄膜

低温沉积α-Al₂O₃薄膜是拓展其实际工程应用的关键。本研究以Al、α-Al₂O₃和Al + 15wt% α-Al₂O₃为靶材, 用射频磁控溅射在Si(100)基体上沉积氧化铝薄膜。用掠入射X射线衍射(GIXRD)、透射电子显微镜(TEM)、能谱仪(EDS)对所沉积薄膜的相结构和元素含量进行研究, 用纳米压痕技术测量薄膜硬度。结果表明, 在550 ℃的基体温度下, 反应射频磁控溅射Al+α-Al₂O₃靶可获得单相α-Al₂O₃薄膜。靶中的α-Al₂O₃溅射至基片表面能优先形成α-Al₂O₃晶核, 在550 ℃及以上的基体温度下可抑制γ相形核, 促进α-Al₂O₃晶核同质外延生长, 并最终形成单相α-Al₂O₃薄膜。     

电弧离子镀TiN薄膜中的缺陷及其形成原因*

分析了电弧离子镀（ALP）TiN薄膜中的主要缺陷-熔滴、孔洞和疏松等。结果表明：这些缺陷存在于晶内、晶界或者贯穿于整个薄膜；缺陷的存在极大地影响了薄膜的性能；缺陷密度与镀膜方法及具体的工艺参数有密切关系；使用磁过滤器镀制薄膜可显著减少上述缺陷，从而提高薄膜的各种性能。认为使用磁过滤器镀制TiN及其各种复合或多层薄膜是一种切实有效的方法，是今后制备高性能TiN及其复合膜的发展方向，另外，缩短脉冲电弧在高值时的时间，用人工来减少薄膜缺陷也是一种行之有效的方法。     

CuCr0.5表面制备Cu-Diamond层及其性能的研究

在CuCr0.5基体上复合电沉积Cu-Diamond“上砂”层,用模压法将“上砂”层中的金刚石压入基体中,在纳米铜悬浮液中补粉+模压来填充“V”型沟槽,最后烧结形成与基体结合牢固的Cu-Diamond复合层。用扫描电镜对不同制备阶段的Cu-Diamond进行研究,并用电阻应变分析法对Cu-Diamond的表面热膨胀系数进行了评估。结果表明：用W40金刚石粉制备的Cu-Diamond层模压后金刚石/基体界面出现“V”型沟槽,在纳米铜悬浮液中补粉+模压,填充在“V”型沟槽中的铜粉疏松,经900 ℃+60 min烧结后,“V”型沟槽得到完整填充。当Cu-Diamond复合层中金刚石体积含量约为40～45%时,表面热膨胀系数为11.7×10_-6/℃。     

金刚石薄膜热导率的研究现状

分析了金刚石薄膜热导率的声子导热机理,从金刚石薄膜晶体结构的角度总结了影响热导率的因素,例如晶界、晶内杂质、缺陷、晶粒尺寸、晶粒取向、同位素;从金刚石薄膜合成工艺角度探讨了影响金刚石薄膜热导率的因素,例如基底材料及预处理、合成温度、气源及添加气体(氧气、氮气)、工作压强、功率等.     

流动温压成型时间和温度对粘结钕铁硼/铁氧体复合磁体性能的影响

采用快淬NdFeB磁粉和铁氧体磁粉复合,流动温压成型制备出各向同性粘结钕铁硼/铁氧体复合磁体,研究了流动温压工艺对磁体密度和磁性能的影响.结果表明,随着流动温压成型时间的延长和温度的增高,磁体剩磁Br、内禀矫顽力Hcj、最大磁能积(BH)max和密度增大,当达到一定值后开始减小.矫顽力温度系数β随成型时间的延长有下降的...