ZVS-PWM正激变换器有源箝位磁复位技术的研究

在有源箝位ZVS-PWM正激变换器中,变压器的磁复位技术是其中最关键的一项技术。文章结合仿真和初步的试验结果对有源箝位ZVS-PWM正激变换器的整个工作过程中的能量流动进行分析,总结出使变压器有效磁复位以及开关管ZVS开通的方法。     

宽瞬时带宽脉冲相控阵的校准

1引言 现代相控阵系统要求不断提高带宽。典型地,这些系统采用短脉冲或等价波形。当这种脉冲行经整个系统时,它途经一系列的射频元件,每个射频元件都产生自身的冲击响应,或对等的转换功能。这些射频元件看上去就像滤波器级联,输出脉冲就是每一个元件冲击响应的一系列卷积。这些元件包括宽带相控阵单元。     

宽带一体化接收前端技术的研究

本文构建了一个通用化、标准化、模块化的带射频接收前端,结合指标要求,进行了系统指标的规划及方案 的可行性论证,利用ADS 软件对其关键指标进行了仿真验证,阐述了宽带射端的设计方法及步骤。通过对各个功能模 块的设计、选择、及调试,最终在200MHz-3200MHz 的频率范围内,采用二次变频技术设计了一种超外差接收前端。 介绍了宽带射频前端系统仿真研究、接收机系统的方案选择、大动态范围接收机的实现接收机技术指标的计算与仿真 和发射机系统的设计与仿真。介绍了宽带一体化接收前端技术的系统设计与实现以及2～6GHz 通用接收机研究及关键 电路的设计与实验。     

倾斜角沉积技术制备ZnS双折射雕塑薄膜

使用倾斜角沉积(GLAD)的电子束蒸发技术,制备了倾斜角度在60°~85°之间的ZnS双折射雕塑薄膜(STF)。使用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)检测了ZnS薄膜的结晶状态和断面形貌,使用Lamda-900分光光度计测量了薄膜在不同的偏振光入射时的透过率。研究发现,室温下倾斜沉积ZnS薄膜断面为倾斜柱状结构,且薄膜的结晶程度不高。在相同的监控厚度时,随倾斜角度增大,沉积到基片上的薄膜厚度逐渐变小,但仍然大于余弦曲线显示的理论厚度。根据偏振光垂直入射时薄膜的透过光谱计算了不同角度沉积的薄膜的折射率和双折射。结果显示当倾斜角度为75°时,薄膜的双折射效应最显著,此时Δn=0.044。     

基于0.35 μm SiGe工艺的高速高精度CORDIC处理器的ASIC实现

针对数字信号处理领域高速高精度实时运算的要求,实现了一种16位全流水高速高精度复数运算的通用CORDIC处理器。电路采用半定制设计方法,用0.35μm SiGe工艺库完成综合、静态时序分析、布局布线,最后在200 MHz时钟频率下通过Nanosim后仿真。结果表明,电路达到了高速高精度的设计要求,可广泛应用于信号处理、雷达、通信等领域。     

多层介质膜光栅和介质膜反射镜抗激光损伤阈值研究

对多层介质膜光栅以及介质膜反射镜的激光损伤阈值进行了系统的研究。测试方法采用国际测试标准。测试结果表明,介质光栅的损伤阈值远低于未刻蚀的多层介质膜。对样品损伤形貌的扫描电镜照片分析发现,相比于未刻蚀的多层介质膜,介质膜光栅的初始损伤主要发生在光栅槽形的侧壁,且损伤主要是由驻波场的空间分布引起的本征吸收、制备过程中引入的杂质污染以及刻蚀过程中HfO2的化学计量机失衡引起的。     

飞秒激光作用下啁啾镜膜层内损伤相关动力学

光学元器件的激光损伤问题,一直以来都困扰着超强超短激光系统的进一步发展。飞秒激光领域,激光脉冲引起的光学器件损伤主要由材料的本征特性决定。光学材料内的多光子电离、雪崩电离、导带电子弛豫等一系列非线性过程,与材料的激光损伤过程密切相关。利用泵浦探测技术,采用中心波长为800 nm,重复频率1 kHz的飞秒激光脉冲,对Nb2O5/SiO2啁啾镜介质膜的内部与飞秒激光损伤相关的超快动力学进行了研究。发现强的泵浦光脉冲辐照结束后飞秒乃至几十皮秒的范围内,啁啾镜对探测光的反射率有一定程度的下降。反射率降低的主要原因是泵浦光在介质膜的Nb2O5层内激发的大量的自由电子对探测光吸收所致,且该过程对激光诱导损伤过程起主导作用。通过反射率的变化,对其介质膜内导带电子弛豫过程进行探究,测定得到其衰减寿命,分别为1.31、6.88、22.34 ps。     

EADS正在研制短脉冲多普勒激光雷达

据《国际飞行》2 0 0 3年11月报道,EADS正在研制一种短脉冲多普勒激光雷达系统,据悉,该系统能够探测洁净空气中的大气湍流和飞机尾流旋涡。该项工作是空中客车公司的Awiator(飞机机翼和先进技术操作)项目的继续。Awiator项目包括,利用激光雷达测量机载尘粒反射的激光脉冲的多普     

BST-MEMS移相器开关

为了提高MEMS电容开关性能,介绍了移相器的一种新型结构——分布式电容周期性加载结构。分析发现移相器的相移度和单元可变电容的变化率有关。目前MEMS可变电容单元采用的介质基本上是氮化硅。BST薄膜作为一种性质优良的介电材料,其介电常数远大于氮化硅。从MEMS移相器开关性能的几个关键指标出发,探讨在MEMS移相器开关中,用BST薄膜代替氮化硅介质的可能性。