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Tensile tests of solid solution treated 7050 aluminum alloy were conducted to different strain degrees (0.1, 0.4, 0.6 and failure) at 460 ℃ with the strain rate of 1.0×10^-4-1.0×10^-1s^-l. The boundary misorientation angle evolution during hot deformation of the 7050 aluminum alloy was studied by EBSD technique and the fracture surfaces were observed using SEM. A linear relationship between the increase in the average boundary misorientation angle and the true strain at different strain rates is assumed when aluminum alloy is deformed at 460℃. The increasing rate of average boundary misorientation angle is 15.1°, 15.7° and -0.75° corresponding to the strain rate of 1.0×10^-4, 1.0×10^-2 and 0.1 s^-1, respectively. The main softening mechanism is continuous dynamic recrystallization when the strain rates are 1.0×10^-4 and 1.0×10^-2 s^-1, and it is dynamic recovery when strain rate is 0.1 s^-1. 相似文献
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系统地研究了Cu-1C-1Cd粉末复合体制备过程中,原始粉末状态,压制压力,烧结温度等工艺参数对材料相对密度的影响。结果表明,原始粉末的差异对制备工艺的全过程均产生规律性的影响。压制压力对压坯密度的影响符合粉末冶金材料的一般压制规律,在烧过程中,镉和孔隙扩散对烧结密实化过程起着重要作用。 相似文献
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本文利用射线光电子能谱(XPS)对Cp/CuCd电接触材料表面氧化膜的组成进行了研究。结果发现,当氧化膜较薄时,氧化物为氧化亚铜(Cu2O);只有在氧化膜很碍时,才有氧化铜(CuO)出现,Cp/CuCd电接触材料原始太表面氧化膜厚度约为10nm,主要由氧化亚钢*(Cu2O)和铜(Cu)构成。 相似文献
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Cp/Cu—Cd电接触材料氧化膜的导通性 总被引:3,自引:0,他引:3
本文在建立Cp/Cu-Cd电接触材料表面膜模拟材料的基础上,研究了铜含蜈达44(wt)%时CuOCu金属陶瓷电导率δ的变化规律,所得定性和定量的结构均符合导通理论。当铜的体积份数达0.30 ̄0.32时,δ值发生5 ̄7个数量级的跃迁,导电特征也由半导体型转化为金属导电,从而证明由铜粒子构成了无限导通带所致。对所研制的新型材料进行了性能测试。 相似文献
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颗粒增强铜基复合材料由于其低成本、良好的导电性、导热性和力学性能而成为最有希望替代Ag基电接触材料的候选材料。然而增强相与铜基体之间的润湿性较差,降低了铜基电接触材料服役过程中的稳定性和可靠性,从而限制了其应用。采用锑掺杂的SnO_2(ATO)作为增强相,研究了La元素在不同温度下对Cu和ATO颗粒之间润湿性的影响。同时对La含量不同的铜基复合材料进行组织和性能分析。结果显示,La元素能够有效改善Cu/ATO体系润湿性。随着La元素的增加,材料硬度略有提升,而电导率下降。提高基体中La元素含量,铜基电接触材料的接触电阻降低。此外通过TEM观察发现,La能够与ATO结合生成一种新的化合物。清晰地揭示出,La元素对ATO/Cu电接触材料润湿性及组织性能具有重要影响。 相似文献
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通过OM、SEM、力学试验以及电化学试验研究了固溶温度对核电海水循环泵叶轮用双相不锈钢材料GX2CrNiMoN22-5-3组织及性能的影响.结果表明:在1050~1250℃固溶,γ相呈岛状或长条状弥散分布在α相基体上,α相含量随固溶温度的升高而增大,组织中无析出相出现,而抗拉强度大都在700MPa左右,拉伸断口形貌以韧窝为主,随固溶温度的升高,韧窝逐渐变浅变大.不同固溶温度下的点蚀电位保持在1.0V以上,在1150℃和1200℃时有较好的抗点蚀性能. 相似文献
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研究了热处理温度和保温时问对GH4169合金晶粒长大规律和硬度的影响。结果表明,δ相对晶粒长大有显著阻碍作用,在低于δ相完全溶解温度热处理时,未溶解的δ相使晶粒长大缓慢;在高于δ相完全溶解温度热处理时,合金为单相奥氏体组织,晶粒随温度的升高迅速长大。晶粒长大动力学表明:在热处理温度高于1050℃时的晶粒长大激活能为157.6kJ/mol,晶粒长大机理为Ni基合金的晶界扩散过程所控制同时也建立了相应的晶粒长大动力学方程。 相似文献
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以热模拟压缩试验的应力-应变数据为基础,根据DMM模型(dynamic materials model,动态材料模型)建立固溶态粗晶GH4169合金的热加工图;结合光学显微镜(OM)及电子背散射衍射(EBSD)分析,确定合金压缩变形的稳定区和失稳区,研究不同变形条件下的微观变形机制,并提出工艺参数范围.结果表明,粗晶GH4169合金在应变速率为10-0.25~1 s-1、变形温度为950~1100℃的条件下发生热加工流变失稳,失稳原因主要与局部塑性流动引发的裂纹有关;粗晶GH4169合金在中、低应变速率区有3个典型的动态再结晶区域,在应变速率为l0-3s-1、变形温度为950℃时局部能量耗散效率(η)的极大值主要与晶界析出δ相对动态再结晶的促进作用以及局部的晶内形核有关;综合考虑能量耗散效率、伸长率和组织状态,建议粗晶GH4169合金的始锻和终锻分别在应变速率为10-2.7~ 10-1.5s-1、变形温度为1087.5~1100℃和应变速率为10-2.5~10-1.5s-1、变形温度为1000~1065 ℃的条件下进行. 相似文献
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以α-Si3N4粉末为原料,分别以Y2O3-La2O3和Y2O3-CeO2为烧结助剂,利用热压烧结法制备了Si3N4陶瓷。研究了Si3N4陶瓷样品在空气中高温下的氧化行为。结果表明:原始的α-Si3N4在烧结过程中完全转化为β-Si3N4。在1000~1350℃氧化100h后,用Y2O3-La2O3烧结助剂制备的样品表现为质量增加趋势,质量变化小于0.389mg/cm2,其氧化过程符合抛物线规律。用Y2O3-CeO2烧结助剂制备的样品,在1000℃氧化后表现为质量减小,为-0.248mg/cm2;在1230℃和1350℃表现为质量增加,分别为0.024mg/cm2和0.219mg/cm2,并且其氧化过程不符合抛物线规律。样品的氧化过程主要受2个扩散过程的控制,即稀土元素的向外扩散与氧的向内扩散。 相似文献