GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs_(1-y)P_y异质结晶格匹配研究

本文报告GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器制造中,用两种液相外延方法把三元系Ga_(1-x)Al_xAs变成四元系Ga_(1-x)Al_xAs_(1-y)P_y.用X射线衍射仪测试结果表明:最佳的GaAS-Ga_(1-x)Al_xAs_(1-y)P_y异质结晶格失配可减至1×10~(-5),相应的失配应力为1.4×10~7达因/厘米~2.用扫描电子显微镜显示结界面很平整.此法大大改善了异质结的制造质量,可望获得高效率长寿命的双异质结激光器.     

用俄歇电子谱仪测量半导体

俄歇(Auger)电子谱仪是一种新型的综合性分析装置,利用它作半导体材料和器件的组分与表面的分析,是一个很有力的工具,也是一门新技术.本文将叙述采用俄歇电子谱仪,对光电子器件常用的化合物半导体镓铝砷(GA_(1-x)Al_xAs)、镓铝砷磷(Ga_(1-x)Al_xAs_(1-y)P_y)等多元化合物材料的组分,进行定性分析和定量测量,通过与标准样品作比较而推导出组分x、y值的计算公式,给出了实验方法与实验结果.一、概述俄歇电子谱仪是一种普遍适用于分析各种固体材料所含元素的新设备.它可以对半导体材料进行表面     

开放引进推动广东光纤通信

本文报道了通过对外开放和技术引进推动广东光纤通信迅速发展的状况,以及我们在光纤通信技术中的研究工作。     

液相外延新方法

本文详细介绍了在半导体激光器制造中采用控制蒸汽压温差法进行液相外延的原理、工艺过程以及实验结果的检测分析。这是一种按化学计量组分与晶格常数补偿生长完美晶体和晶格匹配的异质结的方法。我们制得的GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs_(1-y)Py异质结晶格匹配达1×10~(-5),激光谱宽达1.61 A。用此法生长单层外延片,已获得室温载流子浓度～10~(15)(厘米)~(-3),室温迁移率～8000(厘米)~2/伏特·秒的高纯GaAs单晶。用腐蚀坑密度为5000(厘米)~(-2)的掺硅GaAs作衬底,可生长出腐蚀坑只有500(厘米)~(-2)以下的GaAs近完美晶体。这种液相外延新方法,用于制做半导体激光器和发光二极管,可获得高量子效率长寿命工作的器件。     

光纤传输用的GaInAsP/InP注入式半导体激光器

一、前言作为光纤传输系统用的光源,最近长波长(与0.8～0.9μm 的 Ga As 半导体激光器振荡波长相比)半导体激光器方面的研究工作迅速活跃起来。对此,可认为有如下的背景。(1)由于 Horiguchi,Osanai等人的努力,使导致光纤传输损耗大的主要原因的OH 根含量得到降低,从而使传输损耗最小的波段向长波长方向移动,并使光纤的传输损耗得到进一步降低。最近,在1.2～1.4和1.5～1.6μn 波长区域获得了0.5db/km 的超     

光纤通信用的长波长半导体激光器

一、前言近几年来,光纤通信发展很快,受到国际上普遍重视。作为光纤通信的光源,最初是从 GaAs-GaAlAs 双异质结半导体激光器开始研究的,其波长范围是0.8～0.9微米。但是,近来发现,在1.2～1.6微米波段的光纤通信具有更多的优越性。因此,在这一波段的光源是人们所关心的一个重要课题。我们把比0.8～0.9微米更长的     

一种高辐射率的GaAs-AlGaAs双异质结侧面发光二极管

永川光电研究所去年研制成功了一种高辐射率的GaAs-AlGaAs双异质结侧面发光二极管,它采用了SiO_2掩蔽的条形电极结构。在掺硅的N型GaAs单晶的<100>面上相继外延生长出N型Al_xGa_(l-x)As,P型Al_yGa_(l-y)As,P型Al_xGa_(l-x)As和P型GaAs四层外延层,所构成的双异质结来实现对光和载流子的纵向限制;在P型面上进行闭管Zn扩散,然后溅射出厚为0.4μm的SiO_2层,光刻出宽度为60μm的电极引线条,这样来实现对光和载流子的横向限制。有源区掺硅的厚度为0.3μm左右。解理出的管芯的宽度对