分布交互式防空作战仿真系统的通信接口设计

在介绍分布交互式防空作战仿真系统总体结构的基础上，论述了DIS仿真系统与武器平台模拟器之问的通信接口设计，实现了DIS仿真系统与武器平台模拟器之间的通信转换。     

一类CI-SAC布尔函数的存在性及其构造

相关免疫且满足严格雪崩准则的布尔函数称为CI-SAC函数。本文利用特征矩阵给出了一类布尔函数为平衡且代数次数达到最大的CI-SAC函数的一个充分必要条件，也就通过特征矩阵给出了具有这类”综合优良性”的布尔函数的一种简单易行的构造方法。     

GaN缓冲层对生长InN薄膜的影响

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长六方相InN薄膜，利用氮化镓(GaN)缓冲层技术制备了高质量薄膜，得到了其能带带隙0.7eV附近对应的光致发光光谱(PL). 通过比较未采用缓冲层，同时采用低温和高温GaN缓冲层，以及低温GaN缓冲层结合高温退火三种生长过程，发现低温GaN缓冲层结合高温退火过程能够得到更优表面形貌和晶体质量的InN薄膜，同时表征了材料的电学性质和光学性质. 通过对InN薄膜生长模式的讨论，解释了薄膜表面形貌和晶体结构的差异.     

4值广义Bent函数的一种递归构造方法

本文利用代数学中P-基分解的方法，研究了4值广义Bent函数的代数结构问题，给出了一元4值逻辑函数为广义Bent函数的一个充要条件，同时利用多值逻辑函数的循环谱分解式，给出了4值广义Bent函数的一种递归构造方法。     

关于“停走"生成器输出序列的大数定律

本文先建立了"停走"生成器输出序列的概率模型,讨论了由这类序列构成的随机变量序列的概率分布、独立性、数学期望和方差等概率性质,证明了此类随机变量序列服从大数定律.     

对特高压交流线路防雷和直线塔电气模型的研究

特高压线路因具有很高的耐雷水平而几乎不存在因雷击杆塔或地线而发生反击,本文根据特高压杆塔比较高的特点,提出了特高压架空线路大多遭受小雷电流侧击(或绕击)主要起因于雷电分岔先导的观点,进一步探讨了特高压线路架设多根地线的必要性和可行性,以及多根地线对造价的影响,并对特高压直线塔电气模型进行了优化设计.     

界面极化效应对AlxGa1-xN/GaN异质结pin探测器光电响应的影响

设计了正面入射的探测波长范围限制在326～365nm的AlxGa1-xN/GaN异质结pin光电探测器.利用自洽求解薛定谔-泊松方程计算了AlxGa1-xN/GaN异质结在无极化、完全极化和部分极化的能带图,结合光电响应谱的模拟,分析了界面极化效应对AlxGa1-xN/GaN异质结pin紫外光电探测器响应特性的影响并提出了改善方法.     

聚焦超声辐照在体兔肝的生物效应Ⅱ——超微结耕变化

以30w/cm~2的聚焦超声辐照兔肝后,轻损害肝细胞的RER出现核糖体部分脱粒,脂质体出现或加多,局部区域脱粒后的RER膨大形成集合体,核略变形,核周隙加宽。重损伤肝细胞的核急剧变形、深陷,核解体或早或晚;RER全部脱粒、膨大;SER消没;终至细胞解体。枯否细胞失去吞噬能力,线粒体极度肿胀,嵴变短或消失。贮脂细胞抗超声能力强,一般不受伤害。肝窦内皮细胞的核内异染色质电子密度加大,集结于核的边缘,胞质中空     

基于元胞自动机理论的硅各向异性腐蚀模型

根据硅各向异性腐蚀在微观尺度下的特点，基于元胞自动机理论提出了新的腐蚀模拟模型．该模型考虑了腐蚀过程中硅不同晶面的晶体结构特点，并通过引入碰撞理论，综合反映了腐蚀温度和浓度对腐蚀的影响作用．该模型可快速准确地模拟分析各向异性腐蚀工艺过程，对优化工艺有着理论指导作用．     

一类CI-SAC(k)布尔函数的存在性及其构造

相关免疫且满足k阶严格雪崩准则的布尔函数称为Cl…SAC(k)函数.本文利用特征矩阵给出一类n+k+l元布尔函数为平衡且代数次数达到最大的CI-SAC(k)函数的一个充分必要条件,也就通过特征矩阵给出了具有这类“综合优良性”的布尔函数的一种简单易行的构造方法。