基于STM32F207VG的多功能生理信号产生测量仪

为了克服医学电子仪器往往不能同时产生和测量生理信号的缺陷,提出一种多功能生理信号产生及测量仪。该仪器以STM32F207VG微处理器为核心器件,软件用c语言编写,采用Keil C进行编译。不仅能够产生相位可控的正弦、方波、三角波等常用信号和心电、心音和脉搏波等常规生理信号以及临床上常见的异常生理信号,而且还能够同时测量多达8道的生理信号。本仪器可广泛应用于科研、教学、测试和仪器维修等。     

基于 RLWE 的全同态加密方案简

基于Kristin Lauter等人的somewhat同态方案,提出“带密钥转换的重线性化技术”。结合该技术与“模转换”,设计了一个基于RLWE的非自举的层次化全同态加密方案。该方案的同态操作简单,而且给出的平凡门操作使得电路层结构更清晰。最后利用自举技术作为优化提升了方案的同态运算能力。     

高功率涡旋拉曼光纤激光器EI北大核心CSCD

近年来,携带轨道角动量的涡旋光束在激光加工、光学微粒操纵、超分辨成像、大容量光通信等领域应用广泛,目前已在稀土掺杂光纤激光器中得到了广泛研究。基于声致光纤光栅,实验搭建了全光纤结构拉曼光纤激光器,实现LP_(01)模与LP_(11)模的有效调控,并进一步通过偏振控制实现环形径向偏振光和拓扑荷数l=±1的涡旋光束输出,最高输出功率~70 W,中心波长为1134 nm。文中提出的激光器有利于拓宽涡旋光束输出波段,在多维光通信、光场和物质相互作用等领域具备较大研究价值和应用潜力。     

PHS数据通信技术的发展及业务运营探讨

文章概述了个人手持电话系统(PHS)的发展过程,对其最新技术进行了介绍,并在对PHS数据通信业务的发展及运营策略进行深入分析和探讨的基础上,展望了该业务的应用前景.     

顺丁橡胶装置原料中杂质对聚合反应的影响分析

在顺丁橡胶生产中,原料中的杂质能导致丁二烯分子链及其分子量的改变,破坏链增长,导致链转移或链终止。通过分析原材料中各种杂质对聚合反应、聚合胶液门尼、成品胶物性指标的影响,得出相应的改进措施以调整聚合反应,稳定聚合胶液门尼,提高了橡胶产品的质量。     

M50436—560SP遥控系统的静噪功能及其在彩电上的应用

用于遥控系统的微处理器一般都具有静噪功能。但不同的微处理器其功能的强弱,动作机制以及如何在整机上运用都不尽相同。从整机使用性能出发,完全的静噪功能应包括以下几项内容。 1.在搜台过程中,不论搜到电台与否,都不应出现伴音或噪声。此时音量增减按键不起作用。搜索完毕转入正常使用时,出现正常伴音,音量增减的作用恢复。 2.正常使用中,切换频道时,在切换瞬间伴音中止,扬声器中不应出现切换噪声。 3.开启或关断电源时,也不出现电冲激噪声。 4.电视节目结束之后,或因某种原因电视     

低剂量CO_2激光对茄子种子活力影响的研究

低剂量激光照射种子对其发芽率、发芽势、酶活性均有一定的刺激效应。郝丽珍等曾在青椒上作过研究。本文在茄子上也得到了类似的结果,进而为蔬菜种子播前处理提供了依据。 1 材料和方法 茄子品种为七叶X紫茄,含水量为8.33％,试验均选用饱满的大小均一的中等种子。将种子置于自制的种盘内照射,CO_2激光扩束后功率为4.05W,光斑直径为2.5cm,照射距离为     

空位缺陷对TKX-50感度、力学性能及爆轰性能影响的分子动力学模拟

采用分子动力学方法探究了一系列空位缺陷浓度(0%,1.56%,6.25%和12.5%)对1,1’-二羟基-5,5’-联四唑二羟胺盐(TKX-50)感度、力学性能和爆轰性能的影响。首先建立TKX-50完美晶体模型和空位缺陷模型,并验证研究所采用的Dreiding力场的正确性和有效性。然后对模型进行几何优化和分子动力学模拟,研究发现,空位缺陷导致TKX-50的内聚能密度减小、总氢键数目减少,表明含空位缺陷的TKX-50感度增加,安全性降低;并且随着空位缺陷的增多,羟胺阳离子间的氢键数目几乎不变,联四唑阴离子上以氧原子为氢键受体的氢键数目与其他氢键相比明显减少。另外,空位缺陷使得TKX-50的体积模量(K)、拉伸模量(E)和剪切模量(G)分别降低了1.530～4.122 GPa、3.066～10.652 GPa、1.216～4.202 GPa,表明随空位缺陷浓度的增加,TKX-50晶体的刚度下降。所有模型的柯西压(C₁₂-C₄₄)为正,表明所有模型均表现出延展性,且K/G值与泊松比(γ)随空位缺陷浓度的增加而增加,表明空位缺陷的增多使得TKX-50...     

蓝宝石上横向外延GaN薄膜

在蓝宝石衬底上利用金属有机物气相外延(MOCVD)方法对横向外延(ELO)GaN薄膜的生长条件进行了研究.在蓝宝石衬底上利用化学腐蚀的方法刻饰出图案,再沉积低温GaN缓冲层作为外延层的子晶层,以降低外延层与衬底的晶格失配与热失配,制备出低位错密度的GaN外延层.分别利用X射线衍射、原子力显微镜及湿法腐蚀对外延层进行检测.