含有分布时滞的T-S模糊系统的时滞依赖法鲁棒H∞滤波

设计一个时滞依赖的模糊滤波器,使得滤波器不仅满足系统稳定性要求而且满足给定滤波误差系统的H∞性能要求.文章由线性矩阵不等式方法(LMI)得到了滤波器存在的充分条件,并给出了该类变时滞模糊系统的H∞滤波器设计方法,最后给出数值算例验证文中方法的有效性.     

TIG弧焊机器人系统在宇航大型铝合金贮箱箱底拼焊中的应用

对TIG弧焊机器人应用于宇航大型铝合金贮箱底的拼焊技术进行了初步探讨，介绍了机器人系统的构成，研究了机器人的示教，再现过程，选定了焊拉工艺参数，认为弧焊机器人焊接宇航大型铝合金贮箱箱底有很好的应用价值与前景。     

三维刚塑性有限元法中摩擦边界条件的处理方法

介绍了三维刚塑性有限元法中摩擦边界条件中处理方法，给出了相应的计算公式。     

2004年起中国将启用新的金属废料分类目录及报关方法

在交流条件硅酸钠溶液中利用微等离子体氧化技术合成了陶瓷涂层。通过XRD，EPMA分析了所得陶瓷涂层在不同层面上的相组成、微观结构及元素分布。由陶瓷涂层截面的背散射图看出陶瓷涂层较致密、与基体结合强度高。XRD分析结果显示，陶瓷涂层的最外层由莫来石及γ-Al2O3相组成，随着向陶瓷涂层内部的移动，莫来石的含量逐渐减少，α-Al2O3，γ-A12O3相的含量逐渐提高，而且陶瓷涂层的颜色由白色逐渐变为黑色。硅元素在陶瓷涂层的外侧及陶瓷涂层与基体的交界处陶瓷涂层一侧含量较多，在陶瓷涂层中间含量少。而陶瓷涂层的硬度变化也出现了中间高，两侧低的分布情况。     

稀土元素对M_(80)X_(20)喷涂层抗腐蚀性能的影响

通过电化学测试技术和扫描电镜对显微组织和腐蚀形貌的观察,探讨了稀土元素对M_(80)X_(20)合金喷涂层抗腐蚀性能的影响。试验结果表明,加入稀土元素可以明显改善喷涂层的抗腐蚀性能。     

挤压后硼酸铝晶须增强铝复合材料表面的腐蚀特征

利用原于力显微镜观察了挤压态Al18B4O33 w／pure Al复合材料早期腐蚀过程中表面形貌的变化特征．研究了沿与挤压方向成不同角度截取的Al18B4O33 w／pure Al复合材料在3．5％NaCl溶液中的腐蚀规律．结果表明：晶须与基体的界面是腐蚀易于发生的地方．点蚀首先在晶须的端部产生，随后沿着晶须与基体的界面扩展．挤压后沿与挤压方向成不同角度截取的Al18B4O33 w／pure Al复合材料表面腐蚀坑的深度存在差别．     

MOCVD外延Al2O3基AlGaN/GaN超晶格的结构和光学特性

通过X射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积（MOCVD）的方法,在带有GaN缓冲层的蓝宝石（Al2O3）衬底上生长的AlGaN/GaN超晶格材料的微观结构、光吸收性质和发光特性.X射线衍射结果表明,GaN基材料均为纤锌矿六方结构,薄膜具有良好的结晶质量,薄膜生长沿c轴择优取向.透射电镜观察表明,超晶格试样的周期结构分布均匀,实际周期为13.3nm，且观察到高密度的位错存在于外延膜中。通过光学试验数据，确定了试样的光学吸收边都是在370nm附近，理论计算显示试样为直接跃迁型半导体，禁带宽度约为3．4eV。试样的折射率随光子能量的增加而增加、随波长的增加而减小，计算表明消光系数的极小值位于370nm处。光致发光测试分析表明，超晶格有很好的发光性能，并发现存在黄带发光。     

Effect of growth-interrupted method on quality of AlGaAs/GaAs multiple quantum wells prepared by MBE

AlGaAs/GaAs multi-quantum well （MQW） was prepared by molecular beam epitaxy（MBE） with growth-interrupted heterointerface （GIH） method and continuous growth （CG） method, respectively. The microstructures Of the MQWs were characterized by double-crystal X-ray rocking curve （DCRC） and atomic force microscopy （AFM）, and the photoluminescence （PL） properties of the MQWs were also studied. The MQWs grown with GIH method show that higher order satellite peaks of Pendelloesung fiinges are observed in DCRC, the roughness of surface is much reduced in AFM, and the full width at half maximum （FWHM） of exciton line is much narrower in PL. The results indicate that the GIH method reduces the monolayer growth step density at the heterointerface due to the migration of surface atomsfor a few minutes grower interruption, and substantially improves the quality of AlGaAs/GaAs MQWs.     

较大),除薄片状马氏体外,还出现部分蝴蝶状的爆发型马氏体。随淬火冷却介质温度下降,爆发型马氏体量增大,至-70℃时全部为爆发型马氏体。试验确定,形状记忆效应仅与薄片状马氏体的行为有关,而爆发型马氏体没有形状记忆效应。用光学显微镜直接观察了合金在弯曲时应力诱发马氏体的增长和消失过程。

本文研究了Cu-32.23％ Zn-1.84％Al合金的马氏体转变和形状记忆效应。结果发现,合金在温度较高的冷却介质中淬火时(即     

INFLUENCE OF MARTENSITE MORPHOLOGY AND CRYSTAL STRUCTURE ON THE PSEUDOELASTICITY IN A Cu-Al-Zn-Mn-Ni ALLOY

本文研究了Cu-Al-Zn-Mn-Ni合金的伪弹性变形行为,并用金相和X射线衍射法观察分析了变形及时效前后马氏体组织结构的变化。结果表明,合金在母相状态时的伪弹性与其原始马氏体组织结构密切相关;通过改善原始马氏体组织结构的自协作性和适当的时效处理可以显著提高合金的伪弹性。