基于Delphi5数据库的故障诊断专家系统

在Delphi5语言平台上 ,以汽车故障诊断为例 ,开发专家系统。本文介绍该系统的知识库建构和推理形式。特别注意到系统的安全和维护。该软件应用在大连轻工业学院的汽车队中 ,运行效果良好     

基于BP神经网络的陶瓷产品质量检验专家系统

介绍一种对陶瓷产品质量进行检验的神经网络专家系统。选用快速傅立叶变换 (FFT)进行特征提取 ,应用专家列表法进行特征参数确定 ,最后由BP神经网络进行状态识别     

铁基钴基非晶合金中硼的分光光度测定

本文应用新的显色剂１－（２－羟基－３－甲氧基苯甲醛缩氨基）－８－羟基－３，６－萘二磺酸，直接光度法测定铁基钴基非晶合金中硼，获得了满意的结果。     

过氧钼酸溶胶制备的MoO3纳米带及其电化学性能研究

以过氧钼酸溶胶为反应前驱体采用简单的水热方法，在没有任何模板剂的条件下合成三氧化钼纳米带，通过XRD，SEM，TEM和IR等测试方法对产物进行结构表征和形貌分析。结果表明，MoO3纳米带的宽度为100～500nm，平均厚度为70nm，长度可达十几μm；其电化学实验结果表明，MoO3纳米带的首次放电比容量可达310mAh·g^-1，循环10次后其放电比容量为265mAh·g^-1，容量保持率达85．5％，循环性能优良。     

广播电视技术维护中的技巧

介绍了广播电视机器设备技术维护中的一些经验,使我们更好、更快捷地维护好广播电视机器设备,确保广播电视节目优质安全地播出。     

下一代网络的三种演进路线比较分析

早在2003年．ITU—TSG13就已经开始了下一代网络相关标准研究工作，而且在2004年还设立了专门的NGN焦点组。ITU—T对下一代网络的研究是以建立GII（全球信息基础设施）为基础的．并将GII称为“计算机、电信和广播电视三种技术融合的中心“。此后，三网融合概念逐渐浮出水面，并逐渐形成了计算机、电信和广播电视三大网络通过融合向下一代网络演进的思路。     

In Situ Growth of Vanadium Oxide on Reduced Graphene Oxide for the Low-Temperature NO-SCR by NH_3

The vanadium oxide/reduced graphene oxide(V_2 O_5/rGO) composite catalyst which determined the selective catalytic reduction activity(SCR) of NO with NH_3 was prepared by a simple solvothermal method. The physicochemical properties of the catalysts were characterized by X-ray diffraction(XRD), scanning electron microscopy(SEM), Raman, X-ray energy spectrometer(XPS) and N_2 sorption isotherm measurement(BET). Results of NH_3-SCR showed that the NO conversion of V_2 O_5/rGO catalyst could reach 54.3% at 100 ℃. And the removal of NO increased to 74.6% when the temperature was up to 220 ℃. By characterizing the microstructure and morphology of the V_2 O_5/rGO catalysts prepared by in-situ growth and mechanical mixing methods, it was further shown that V_2 O_5 nanoparticles were highly dispersed and in situ growth on the rGO surface. Based on X-ray energy spectrometer, V_2 O_5/r GO catalyst had good low temperature denitrification performance due to the chemical adsorption oxygen and low-valent vanadium oxide contained in V_2 O_5/rGO catalyst, which was beneficial to the redox reaction between V_2 O_5 and graphene.     

薄GaAs层化学腐蚀及它的表面结构

用pH=7±O.05的H_2O_2-NH_4OH溶液,在5±1℃,对晶句是(100)的高阻或浓度为2×10~(13)cm~(-3)的n型GaAs衬底进行腐蚀试验.发现腐蚀速率不但与搅拌有关,且在最初半分钟左右或开始250～500(?)的GaAs腐蚀,其腐蚀速率比更长时问或更深腐蚀时要快得多.分析表明,NH_4OH向GaAs与溶体界面的扩散很可能是腐蚀过程的限制步骤.对腐蚀后的残余氧化层进行测试分析,认为化学腐蚀后在表面有一层极薄的氧化物层,接着是过渡层.用HCI或NH_4OH水溶液清洗则可去除氧化物层并缩小过渡层.