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为提高 BaF2晶体的性能,生长了掺杂 LaF3、NaF、CeF3及纯的 BaF2晶体,测试了其紫外透过谱、X 射线激发发射谱、紫外光激发谱、抗辐照性能及能谱,发现只有掺杂1.0%LaF3的 BaF2晶体能大幅度降低慢成份而对快成份影响不大且在105~106rad辐照剂量之下和纯 BaF2一样在快成份光输出上有抗辐照能力,首次发现掺杂 LaF3的BaF2晶体紫外光激发谱中,385nm 处新激发峰。 相似文献
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对青海格尔木某矿区进行1:1万高精度磁法测量,利用Theta图边界增强方法,圈定可深入勘探的重点目标区及范围。在此基础上,在所圈定的重点异常区中,布设1:2千高精度剖面测量,然后利用剖面欧拉反褶积来估算精测剖面异常体位置和深度,并利用相关成像方法进行地贡体成像。这样形成对高精度磁测数据的快速解释,从而提供钻探和开采的依据。钻孔结果表明,通过这种多比例尺勘探圈定异常,识别异常体赋存状态,有效降低异常误查、漏查的可能性,极大的提高了工作效率和见矿率。为该地区进~步进行磁测提供依据,也可以作为其他铁多金属矿磁测的参考。 相似文献
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采用固相反应法制备Sr_(1-x)La_x Fe_(11.8-x) Zn_x O_(19)(0≤x≤0.42)M型六角铁氧体磁粉和磁体。X射线衍射(XRD)分析表明,La-Zn取代量x在0~0.42范围内磁粉是单一的磁铅石型相。磁体的FESEM观察表明,不同La-Zn取代量的磁体形成了均匀的六角片状结构。随La-Zn取代量的增大,磁体的剩磁B_r和最大磁能积(BH)_(max)先增后降,最大值对应的取代量为0.3,而其内禀矫顽力H_(cj)和磁感应矫顽力H_(cb)则单调下降。 相似文献
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采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p+层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用. 相似文献
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