高密度高导电性ITO靶研制

采用化学共沉淀法掺金属Nb,Ta和P到ITO材料中可使ITO(IndiumTinOxide)靶相对密度达到97%~99%,并且靶电阻率小于3.0×10-4??cm,其质量损失率小于4.0%。采用直接掺杂法将TiO2纳米粉末掺入到纳米ITO粉末中可使ITO靶相对密度达到95%以上。当烧结温度为l500℃时,掺Nb,Ta,P的ITO靶电阻率稍小于纯ITO靶的电阻率。     

计算机辅助设计中的闭环设计方法及其实现

论述了产品的行为特性与其设计参数的关系，提出了通过构建行为特性函数利用设计结果调整设计参数的闲坏设计方法。在计算机辅助设计中，应用闭环设计方法自动完成设计反复，使设计目标达到很高的设计精度，并可以进行可行性、灵敏度分析，实现优化设计。     

基于SDN的高校全光网架构研究

高校信息化建设是教育资源建设的重要组成部分,数字化时代下的教育模式不断趋于智能化,传统的网络架构难以满足高校的信息化建设需求。随着“光进铜退”计划的深入开展,全光网络架构逐渐成为高校基础网络的重要支撑。文中提出了一个基于SDN技术的高校全光网架构的规划设计,旨在为广大高校的网络建设提供参考与借鉴。     

辽宁中部地区水稻干湿交替灌溉试验研究

为了探究干湿交替灌溉在辽宁中部地区水稻生产中的节水增产潜力,在自动遮雨棚条件下进行水稻灌溉试验,明确干湿交替灌溉对水稻生长性状、产量及水分生产率的影响。结果表明:干湿交替灌溉与常规淹灌相比,干湿交替灌溉增加20%的有效分蘖数,且达到分蘖高峰的时间有所延迟;不同灌溉方式下水稻叶面积指数与茎蘖动态均呈现类似的"先增后减"的变化趋势,干湿交替灌溉下的叶面积指数显著高于常规淹灌13.3%;干湿交替灌溉较常规淹灌显著增产6.8%、节水11.21%,干湿交替灌溉处理的水分生产率显著高于常规淹灌20.0%。因此本研究确定干湿交替灌溉可以在辽宁中部地区的水稻生产中推广应用。     

“黑客”如何成为“侠客”——5．19断网事件反思

回望技术发展的进程,应用黑客技术,对提升和检验系统的整体安全性是非常有效的。而黑客技术最大的特点就是其快速的发展和演进,每一次系统和软件的升级,都会同时产生一批新的黑客技术。     

乳状液超声特性的分析

1引言 很多天然或经加工的物质以乳液的形式存在,如食品、化工原料、血液等等.由于乳化物的多样性和应用的广泛性,它们的理化特性也受到了普遍关注.尽管测量乳化液理化特性可用显微镜方法、光谱法等[1,2],但这些方法无法测量高浓缩、不透明的乳液.而超声测量法则没有这种限制,且由于其无损无污染、快速精确、在线检测方便、成本低等优点,近年来受到广泛的关注[3,4].     

论建筑节能与结构一体化

目前,建筑节能措施主要以建筑内外保温及节能与结构一体化两种方式为主。内外保温作为传统的保温节能措施,在防火性能、耐久性、施工质量等方面具有一些弊端。近年来,由于建筑节能与结构一体化的保温措施逐步得到推广应用,在有些地区已作为强制性措施执行。本文主要结合实际设计及施工,论述建筑节能与结构一体化的特点并如何选择合适的方式。     

利用激振装置测定冶金厂灰斗粒位的实验研究

对利用激振装置测定冶金厂灰斗位的可行性进行了实验研究,结果表明,实验中所采集的信号无论是在时域上,还是在频域上都显示一定的规律,且与灰斗料位及激击点位置,测点位置存在一定联系。研究结果为实现自动监测灰斗料位以及利用振动原理解决其它生产实际问题提供了基础。     

一起GIS固体绝缘件局部放电缺陷的定位与分析

随着电气设备状态检修工作的开展,带电检测技术在输变电设备状态检测中发挥了越来越重要的作用。文中介绍了利用带电检测技术发现的一起GIS柱式绝缘子内部气隙放电缺陷的定位与分析过程,首先利用特高频法局部放电检测技术,结合谱图特征对放电类型进行了确认;随后利用高速示波器各通道信号到达的时延同时结合设备内部结构,对缺陷位置进行了精确定位;最后对异常位置绝缘件进行X射线数字成像检测及局部放电测量,发现其内部存在气隙缺陷,放电量严重超标,证明了定位分析的正确性,并对局部放电特征随施加电压的变化情况进行了分析。总结分析了各局部放电检测技术的优缺点,为GIS绝缘缺陷的诊断分析提供参考。     

高电流增益的碳化硅双极型晶体管

A novel 4H-SiC BJT of high current gain with a suppressing surface traps effect has been proposed. It is effective to improve the current gain due to the lower electrons density in the surface region by extending the emitter metal to overlap the passivation layer on the extrinsic base surface. The electrons trapped in the extrinsic base surface induce the degeneration of Si C BJTs device performance. By modulating the electron recombination rate, the novel structure can increase the current gain to 63.2% compared with conventional ones with the compatible process technology. Optimized sizes are an overlapped metal length of 4 m, as well as an oxide layer thickness of 50 nm.