用于SPICE模拟高频互连效应的RLC电路模型

提出了一个用于ＳＰＩＣＥ模拟高频互连 应的ＰＣＬ互连电路模型,该模型考虑了频率对互连电感、电阻的影响,适用于从芯片间互连到芯片内互连高频效应的分析。基于所提出的互连模型,对频率达１０００ＭＨｚ时芯片内长互连线的延迟、串扰、过冲等互连寄生效应进行了分析,并指出了抑制互连效应的技术途径。     

基于速度饱和的CMOS倒相器延迟模型

提出了一个新的小尺寸CMOS倒相器延迟模型,它考虑了速度饱和效应以及非阶梯的输入信号对延迟的影响并给出了倒相器快输入响应与慢输入响应的判据,模型计算结果与SPICEBSIM1模型的模拟结果吻合得很好.     

二维离子注入的改进模型及数值模拟

本文提出了一个改进的二维离子注入模型.对于在任意形状掩蔽边界下的离子注入分布,我们在纵向采用联结的半高斯分布或修改过的Pearson-IV分布,在横向采用余误差函数分布,并且考虑了在多层掩蔽情况下各种材料阻止本领的不同.利用这一模型发展起来的离子注入模拟器能连续计算多次不同能量、剂量和杂质类型的注入分布,并考虑了多种不同掩蔽边界的影响.通过与其它工艺模拟器的比较,表明我们的模拟器在精度和功能上都有明显的改进.     

为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型

本文提出了一个为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型,适用于0.7—2.0 ×10~(18)cm~(-2)剂量范围和50—300keV能量范围,模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好。本模型对SIMOX工艺优化设计和发展VLSI TCAD具有参考价值,同时给出了在常规氧注入能量(如150keV)下用增大剂量方法制备TF SOI结构的理论依据。     

等离子显示终端电容兼容性技术指标的实现

本文阐述了等离子显示终端机的特点，分析了影响等离子显示终端电磁兼容性技术指标实现的因素，给出了实现等离子显示终端机电磁兼容性的技术指标的方法。     

集成电路工艺和器件模拟的进展

过去20年,从全世界范围看,集成电路得到了迅速的发展。从60年代中的简单门电路和运放等产品开始,经历了70年代以微处理器和模拟数字转换器为代表的发展。在80年代的今天,多兆位高速静态存贮器标志着数字电路的进展,新电子产品开发的广泛需要,促进了专用集成电路的迅猛发展。在上述集成电路的发展中,集成电路的计算机模拟技术已起了重要作用。     

集成电路工艺及器件模拟研究的新进展

集成电路工艺及器件模拟是缩短集成电路工艺及器件设计周期、节省设计成本、提高设计精度的关键技术;同时,这项研究还能深化集成电路工艺及器件物理的研究,得到人们目前还不能用实验手段得到的有关信息。     

一种微机与点钞机连机通讯的方法

本文介绍利用微机的ＲＳ—２２２Ｃ串行接口和点钞机进行连机通讯的方法，使点钞机的计数结果直接输入到微机进行处理。     

CO2压裂后近缝带烃类的相态特征

CO₂压裂与常规水力压裂相比，除具有滤失小、易返排、低伤害等常规优点外，还能降低烃类的露点压力，对易凝析的中间组分产生很强的抽提作用，有效解除了由于温度压力的变化所造成的近缝带凝析油污染。这为提高凝析气藏采收率、制定合理有效的开发手段提供了新的途径。以中原油田白庙凝析气田为例，建立了数值计算模型，研究了CO₂压裂停泵时刻其CO₂量不同时的凝析气藏近缝带烃类的相态变化及各点凝析油饱和度的变化情况。研究结果表明：CO₂气体对凝析气藏烃类的相态影响是CO₂压裂优于常规水力压裂的重要原因，且CO₂量不同时对烃类相态的影响程度存在显著差异。这为现场实际结果的解释及优化凝析气藏CO₂压裂的气体用量和压裂规模提供了理论依据。     

姬塬油田长4＋5储层成岩作用研究

基于岩屑、岩心分析化验及生产动态等资料,对姬塬油田长4＋5储层的岩石学特征、成岩作用进行了研究。该区储层砂岩类型以长石砂岩为主,岩屑质长石砂岩次之;储层岩石经历了机械压实作用、胶结作用和溶蚀作用等成岩作用。根据姬塬油田延长组长4＋5储层成岩作用参数及其定量评价标准,判别长4＋5储层视压实率值范围为43%～64%,属于中等压实,视溶蚀率在40%～80%之间,属中-强溶蚀,视胶结率值均大于70%,均属于强胶结。