K_0型合金片几何参数的选择

根据最新部标，K_0型合金片的几何结构及参数，如图1和表1所示。合金片几何参数的修改意见。一、合金片长度（L）合金片长度L，即钎头初径D_k。D_k可由下式确定：D_k=D_H n·D_0（毫米）（1）式中：D_H——钎头终径（报废直径）（毫米）；n——钎头修磨次数（一般定为10～12次）；D_0——磨次直径损耗（毫米/次）；众所周知，钻速与钎头直径的平方成反比。为了提高打眼速度，希望D_k尽可能小些。但是，为了保证钎头有较长的寿命，为了提高合金片的利用率，n值又不能太低。在钎头质量提高，使用技术合理的条     

制订硬质合金整体钎杆国家标准的建议

小直径锥体连接钎头和钎杆存在许多缺点。世界发达国家和一些发展中国家早在30年前，硬质合金整钎已成为小直径凿岩（Ф50mm以下）的主导产品。随着我国“钻孔法”、“热挤压法”、“热穿-带芯热轧法”等新型钎钢相继进入市场．以及加压烧结等凿岩硬质合金片齿质量的提高，国产小直径钎头与钎杆的质量、品种．已达到或接近国际先进水平。制订先进的硬质合金整体钎杆国家标准．对推动国产整钎质量、品种的全面升级，扩大整钎的国内外市场份额，将具有深远的意义。     

轻质多材料动力电池包箱体选材与优化

通过多种材料并用与结构合理设计的途径实现了动力电池包箱体的结构轻量化。首先,建立了系统多材料选材与优化流程方法,基于水平分析的试验设计并利用极差与方差分析选择多材料;然后,采用RBF近似模型拟合,MIGA遗传算法优化系统结构。最后对某实例车型动力电池包箱体改进设计。结果表明:多材料箱体刚度、模态提升显著,并减重8.72 kg,相比原结构减重率达47.3%,验证了系统多材料选材与优化方法的有效性,可为提升电池包箱体结构可靠性与轻量化水平提供参考。     

基于STEL-2000A的基带扩频系统的设计

针对无线通信系统抗干扰性差、抗多径性能弱的缺点,设计了一个抗干扰性强的的高速基带扩频收发系统.该系统以专用扩频芯片STEL-2000A为核心,以EP3C10E芯片为外围控制芯片,辅以高速A/D、D/A芯片,从而实现了系统功能.首先给出了系统总体原理图,并对硬件设计部分进行详细的讨论,其次,在软件设计部分给出了算法总体设...     

渗硼注氮复合处理表面硬化层研究

采用渗硼工艺和新型的等离子体源氮离子注入技术对Cr12MoV钢进行复合处理 ,获得了高硬度的表面硬化层。用XPS对硬化层进行相分析和性能试验 ,结果表明 :硬化层主要由立方氮化硼 (C BN)和FeB组成 ,硬化层具有很高的硬度和耐磨性     

离合器端盖成形工艺及模具设计

图11离合器端盖的工艺难点和关键技术，对成形方案进行了分析和比较。确定了合理的工艺方案和模具结构，分析了关键零件的制造工艺，模具的使用效果和产品质量很好。     

离子束轰击涂层(BDC)对钢材耐海水腐蚀的影响

本文介绍了离子束轰击扩散涂层(BDC)对20~#钢和2Cr13钢耐海水腐蚀的影响。通过人工海水全浸腐蚀实验及电化学性能测试,获得了2Cr13 Cr Ni的表面混层的耐海水腐蚀能力与1Cr18Ni9Ti的耐蚀能力相当的结果。     

TCP Vegas-O:一种新的基于延迟估计的TCP Vegas改进算法

针对TCP Vegas会出现慢启动过早结束、拥塞窗口过小导致带宽利用率下降的问题,以及在与Reno等基于丢包来判断拥塞的算法竞争带宽时的公平性差等问题,文中分别就慢启动和拥塞避免阶段进行了相应的改进,最后将其结合.仿真结果表明,该算法对慢启动过早结束、带宽公平性等TCP Vegas协议的缺陷有了明显的改善,特别是在高带宽时延乘积网络中.     

新型大环冠醚基杂化型晶体材料:分子结构和介电性质

4-氨基丁酸(4-aminobutyric acid,GABA)质子化的氨基基团与18-冠-6醚(18-crown-6)分子中六个氧原子通过N—H…O氢键相互作用,形成超分子阳离子结构,再与高碘酸根IO4-结合形成新型晶体材料[(GABAH+)(18-crown-6)(IO4-)](1)。通过元素分析、红外光谱(IR)、热重分析(TG)、单晶结构X衍射(100K和296K)和变温-介电常数测试等对所获得晶体材料进行结构分析。测试结果显示该晶体结构为单斜晶系,空间群为P21/c,室温条件下a=1.008 41(11)nm,b=2.457 3(3)nm,c=0.964 73(10)nm,α=90.00°,β=99.060(2)°,γ=90.00°,V=2.360 8(4)nm3,Z=4,Dcalc=1.574g/cm,Rint=0.036 2,WR (all data)=0.085 9。高碘酸根IO4-填充在超分子阳离子[(GABAH+)(18-crown-6)]所形成的空隙中,与4-氨基丁酸的羧酸根形成O—H…O氢键。变温-介电常数显示化合物1在280K时,出现明显的介电异常,同时存在25K的热滞现象,表明该晶体为介电新型功能材料。