300 MVar空冷调相机热机专业设计要点

近年来,特高压电网成为西电东送的电力大动脉,新一代300 MVar大容量调相机因突出的双向及动态无功输出能力成为特高压电网的"定心丸"。随着新基建的到来,大容量调相机也将迎来大发展。文中从热机专业视角,介绍大容量空冷调相机的系统与设备,并结合笔者自身设计经验,归纳总结了第一批大容量调相机在实际使用中出现的问题,为后续同类调相机工程设计提供参考。     

桂花精油微胶囊制备工艺优化

通过单因素实验考察了喷雾干燥技术对桂花精油微胶囊包埋率的影响,确定了壁材配比、均质压力、进口风温度和进料速度四个因素的取值范围;在芯材与壁材配比保持1:6 (g:g)不变的条件下,采用Box-Behnken实验设计,优化桂花精油微胶囊的制备工艺。结果表明:壁材阿拉伯胶与麦芽糊精的配比1:2.5 (g:g)、均质压力40 MPa、进口风温225 ℃、进料速度8 mL/min。在此条件下,桂花精油微胶囊包埋率预测值为98.23%,实际包埋率为97.67%,相对误差小于1%。且桂花精油微胶囊产品具有良好的感官及物化特性,桂花精油含量为12.62%。     

渗硼注氮复合处理表面硬化层研究

采用渗硼工艺和新型的等离子体源氮离子注入技术对Cr12MoV钢进行复合处理 ,获得了高硬度的表面硬化层。用XPS对硬化层进行相分析和性能试验 ,结果表明 :硬化层主要由立方氮化硼 (C BN)和FeB组成 ,硬化层具有很高的硬度和耐磨性     

离合器端盖成形工艺及模具设计

图11离合器端盖的工艺难点和关键技术，对成形方案进行了分析和比较。确定了合理的工艺方案和模具结构，分析了关键零件的制造工艺，模具的使用效果和产品质量很好。     

离子束轰击涂层(BDC)对钢材耐海水腐蚀的影响

本文介绍了离子束轰击扩散涂层(BDC)对20~#钢和2Cr13钢耐海水腐蚀的影响。通过人工海水全浸腐蚀实验及电化学性能测试,获得了2Cr13 Cr Ni的表面混层的耐海水腐蚀能力与1Cr18Ni9Ti的耐蚀能力相当的结果。     

TCP Vegas-O:一种新的基于延迟估计的TCP Vegas改进算法

针对TCP Vegas会出现慢启动过早结束、拥塞窗口过小导致带宽利用率下降的问题,以及在与Reno等基于丢包来判断拥塞的算法竞争带宽时的公平性差等问题,文中分别就慢启动和拥塞避免阶段进行了相应的改进,最后将其结合.仿真结果表明,该算法对慢启动过早结束、带宽公平性等TCP Vegas协议的缺陷有了明显的改善,特别是在高带宽时延乘积网络中.     

新型大环冠醚基杂化型晶体材料:分子结构和介电性质

4-氨基丁酸(4-aminobutyric acid,GABA)质子化的氨基基团与18-冠-6醚(18-crown-6)分子中六个氧原子通过N—H…O氢键相互作用,形成超分子阳离子结构,再与高碘酸根IO4-结合形成新型晶体材料[(GABAH+)(18-crown-6)(IO4-)](1)。通过元素分析、红外光谱(IR)、热重分析(TG)、单晶结构X衍射(100K和296K)和变温-介电常数测试等对所获得晶体材料进行结构分析。测试结果显示该晶体结构为单斜晶系,空间群为P21/c,室温条件下a=1.008 41(11)nm,b=2.457 3(3)nm,c=0.964 73(10)nm,α=90.00°,β=99.060(2)°,γ=90.00°,V=2.360 8(4)nm3,Z=4,Dcalc=1.574g/cm,Rint=0.036 2,WR (all data)=0.085 9。高碘酸根IO4-填充在超分子阳离子[(GABAH+)(18-crown-6)]所形成的空隙中,与4-氨基丁酸的羧酸根形成O—H…O氢键。变温-介电常数显示化合物1在280K时,出现明显的介电异常,同时存在25K的热滞现象,表明该晶体为介电新型功能材料。     

等离子体源氮离子注入层的组织与性能

采用等离子体源离子注入技术，对Ｃｒ１２Ｍｏｖ钢进行了氮离子注入。用俄歇谱仪和透射电镜对注入层的成分和组织进行了分析，分析结果表明：注入层的氮浓度分布具有类高斯分布特征；注入层中的马氏体组织被细化并有非晶态组织形成。显微硬度和摩擦性能测试结果表明，注入层的显微硬度和摩擦性能得到了明显的提高和改善。     

新型弹簧动态密封研究

对新型弹簧设计与使用关键技术进行了详细的阐述，并对几种可用于新型弹簧的动态密封设计的结构形式、密封原理及特点进行了分析说明。     

一种MCU的测试解决方案

对MCU进行测试时,如何高效生成测试向量是测试的难点.文章以8位MCU STC12C5410AD为例,详细地介绍了通过使用仿真环境,以C语言编写功能测试程序,完成芯片寄存器控制和主要逻辑单元运算,然后使用集成电路测试系统直接生成测试向量的解决方案.使用此解决方案,可根据测试要求,在较短时间内开发出MCU测试程序,节约测试开发成本.