羟基化SBS嵌段聚合物模板制备银纳米粒子

针对嵌段聚合物合成过程复杂且成本高的问题,以国产SBS（苯乙烯〖CDF*3〗丁二烯〖CDF*3〗苯乙烯嵌段聚合物）为基本原料,通过大分子化学反应,制备得到了羟基化SBS.以羟基化SBS为模板,N〖CDF*3〗二甲基甲酰胺（DMF）为溶剂,硝酸银为原料,在一定反应条件下制备得到了银纳米粒子.采用紫外〖CDF*3〗可见吸收光谱及透射电子显微镜对银纳米粒子的尺寸和形貌进行了表征.研究结果表明：所合成的银纳米粒子可以产生纳米银所具有的表面等离子态的特征吸收峰,羟基化SBS可以为银纳米粒子的成核及晶体长大起到较好的模板作用,实验过程中所得到的银纳米粒子具有球状形貌特征,且具有较窄的尺寸分布.     

ZnO一维纳米材料的制备与表征

首先以乙醇为溶剂,乙酸锌为前驱体,油酸钠为表面修饰剂,采用溶液化学法,制得ZnO纳米粒子。以自制ZnO纳米粒子为基体,通过煅烧方法制备针状ZnO纳米线束。通过紫外-可见吸收光谱(UVVis)、荧光光谱(FL)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等方法对合成的样品进行表征。结果表明,所合成ZnO纳米粒子样品UV-Vis吸收光谱在355nm给出ZnO纳米粒子的特征吸收峰,FL光谱显示在400和550nm处产生荧光发射。ZnO纳米粒子尺寸约为5nm且粒径分布较窄。自制ZnO纳米粒子样品经500℃煅烧后可得到针状ZnO纳米线束。纳米线为六方晶系纤锌矿结构ZnO单晶纳米线,长度约为10μm,直径约为100nm,长径比约为100,且具有良好的紫外发光性能。     

基于李雅普诺夫函数的微电网下并网逆变器的自适应控制

为了保证并网逆变器的全局稳定,改善系统的控制性能,提出了一种基于Lyapunov函数的并网逆变器自适应控制策略。该策略以系统状态变量(电感电流i1、并网电流ig、电容电压vc)误差构造Lyapunov函数V,将并网逆变器的控制器稳定性问题转化成求解李雅普诺夫函数V在平衡点(原点)的全局渐近稳定性问题,通过求解李雅普诺夫函数V的导函数得出控制规律;此外,对时变的电网阻抗进行在线辨识,根据电网阻抗实时优化控制器的输出,从而获得较好的控制效果。研究结果表明,所提控制策略能在电网阻抗变化的情况下保证系统的全局稳定,同时改善逆变器的控制性能。所提策略可为微电网下单相并网逆变器的自适应控制器设计提供参考。     

弧焊逆变器频域设计的一般方法

提出了利用状态空间平均法建立弧焊逆变器小信号模型的一般方法 ,并根据自动控制理论的频域设计方法 ,利用该电路模型对恒流输出的手弧焊机进行设计 ,并给出相应的试验结果。     

弱电网下LCL型单相并网逆变器的鲁棒延时补偿策略

考虑到控制延时，LCL型光伏并网逆变器传统电容电流反馈有源阻尼(CCFAD)仅能保证采样频率f_s的1/6以内系统稳定。弱电网中，电网阻抗的变化会导致实际谐振频率f_r偏移，若f_r大于f_s/6，系统鲁棒性将会变差。为解决传统CCFAD有效阻尼区间不足的问题，提出一种基于延时补偿的改进CCFAD控制策略，通过在电容电流反馈通道串入级联超前相位补偿器，补偿控制延时引起的相位滞后，将有效正阻尼区扩展至(0,f_s/3)频段，扩大系统稳定域。此外，电流控制环采用比例复数积分(PCI)控制策略，提高了并网电流跟踪性能，仿真和实验验证了所提策略的可行性。与传统CCFAD方法相比，所提延时补偿策略扩大了有效阻尼区，增强了系统鲁棒性。