使用液压拉伸器时螺柱预紧力回弹分析

大缸径柴油机通过液压拉伸器拧紧螺母时,施加到螺柱上的预紧力有一定量的回弹量,最终预紧力小于设计值,其差值是设计过程中确定液压拉伸器施加油压大小的重要参考因素。分别采用有限元分析和试验测试的方法对该差值作了对比分析。分析表明:回弹量均为设计值的10%,设计时应预以充分重视。     

转炉氧枪系统改造与应用

介绍小型转炉氧枪系统改造方法,分析新氧枪的运行效果,证明改造后的氧枪能满足冶炼及溅渣护炉的工艺要求。     

10kV配电架空绝缘导线雷击断线问题的探讨

本文分析了10kV架空绝缘导线遭受雷击断线的原因，并提出防雷措施及避免断线的对策。     

实验室开放管理系统设计与实现

为更好培养学生创新能力提高实验室利用率,设计并开发了一种基于B/S结构的实验室管理系统。该系统在逻辑上分为数据层、逻辑层、表示层,采用ASP技术和MS SQL Server数据库技术实现。通过浏览器用户操作界面,实现学生网上实验,教师网上阅卷,管理员对实验信息的管理,超级管理员对各实验室、管理员信息管理并统计学生实验学分和教师工作量。该系统在长安大学多个实验室进行了应用,实现实验数据网上传递、数据共享,大大提高实验室开放效率。     

CAE技术在船用柴油机连杆设计中的应用现状及发展方向

CAE技术在众多领域已得到广泛应用,但仿真精度与仿真方法、物理模型转换、边界条件模拟等因素密切相关。就CAE技术在船用柴油机连杆设计中的应用现状进行阐述;介绍并分析了目前所采用的几种分析方法。针对普遍采用的静态分析,从分析模型、边界条件和载荷及其处理方法等方面展开讨论。总结了当前连杆分析技术的应用能力,指出了存在的不足和未来发展方向。     

GaN/6H-SiC紫外探测器的光电流性质研究

本文研究了以金属有机物化学气相沉积方法生长在６Ｈ－ＳｉＣ衬底上的ＧａＮ外延薄膜制成的光导型紫外探测器的光电流性质．通过对其光电流谱的测量，获得了ＧａＮ探测器在紫外波段从２５０～３６５ｎｍ近于平坦的光电流响应曲线，并且观察到在～３．４ｅＶ带边附近陡峭的截止边，即当光波长在从３６５ｎｍ变到３７５ｎｍ的１０ｎｍ区间内，光电流信号下降了３个数量级．在３６０ｎｍ波长处，我们测得ＧａＮ探测器在５Ｖ偏压下光电流响应度为１３３Ａ／Ｗ，并得到了其响应度与外加偏压的关系．通过拟合光电流信号强度与入射光调制频率的实验数据     

氧化对 GaN 基LED透明电极接触特性的影响

研究了热退火对InGaN/GaN 多量子阱LED的Ni/Au-p-GaN欧姆接触的影响.发现在空气和 N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/Au接触特性显示出可逆现象. Ni/Au-p-GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小,在随后的 N2 中的热退火后会使该串联电阻增加,但在空气中再次热退火能使接触特性得到恢复.同时对Ni/Au-p-GaN 接触在空气中合金化过程中的层反转的成因进行了讨论.     

金属-铁电体-GaN结构研究

以铁电体Pb(Zr0.53Ti0.47)O3取代传统绝缘栅氧化物制备了GaN基金属-绝缘层-半导体(MIS)结构.由于铁电体具有较强的极化电场和高介电常数,GaN基金属-铁电体-半导体(MFS)结构的电容-电压特性与其他GaN基MIS结构相比较得到了显著的提高.GaN基MFS结构中GaN激活层达到反型时的偏压小于5V,这和硅基电子器件和集成电路的工作电压一致,而且结果表明GaN层的载流子浓度比其背景载流子浓度减小了一个数量级.因此,GaN基MFS结构对于GaN基场效应晶体管的实际应用具有重要的意义.     

金属-铁电体-GaN结构研究

以铁电体Pb(Zr0.53Ti0.47)O3取代传统绝缘栅氧化物制备了GaN基金属-绝缘层-半导体(MIS)结构.由于铁电体具有较强的极化电场和高介电常数,GaN基金属-铁电体-半导体(MFS)结构的电容-电压特性与其他GaN基MIS结构相比较得到了显著的提高.GaN基MFS结构中GaN激活层达到反型时的偏压小于5V,这和硅基电子器件和集成电路的工作电压一致,而且结果表明GaN层的载流子浓度比其背景载流子浓度减小了一个数量级.因此,GaN基MFS结构对于GaN基场效应晶体管的实际应用具有重要的意义.     

中速大功率柴油机活塞设计技术的新发展

介绍了近年来中速大功率柴油机活塞的发展新动态,特别对活塞的新类型-钢顶钢裙组合活塞进行了描述,同时分析了活塞设计技术的发展趋势。