阴离子聚合制备窄相对分子质量分布聚苯乙烯的工艺研究

采用阴离子聚合法，以正丁基锂为引发剂，采用工业原料在常压和惰性气体条件下制备了一系列窄相对分子质量分布且分子质量可控的聚苯乙烯(PS)。研究了反应工艺条件对窄分布PS的相对分子质量及其分布的影响，为国产化制备聚苯乙烯标准物质材料和它的衍生高分子材料奠定了基础。     

高性能PWM控制器FAN7554及其应用

1　引言ＦＡＮ75 5 4是美国仙童半导体公司最新研制的一款电流型脉宽调制 (ＰＷＭ )控制器。与同类产品相比 ,ＦＡＮ75 5 4具有工作稳定性好 ,抗干扰能力强的显著特点 ,适合于离线功率ＭＯＳ场效应管、ＤＣ ＤＣ转换和其他开关状态电源 ,特别应用于桌面电脑、显示器和电源变压器等。该芯片的引脚定义如下表所示。表　引脚号引脚名称引脚功能描述1ＦＢ ＰＷＭ比较器的倒相 ( -)输入 ,开 /关控制和ＯＬＰ检测端2Ｓ/Ｓ软起动3ＩＳ ＰＷＭ比较器的非倒相 ( +)输入 ,ＯＣＬ检测端4Ｒｔ/Ｃｔ 振荡器时间常数 (Ｒｔ/Ｃｔ)5ＧＮＤ接地6ＯＵＴ门驱动…     

北非切里夫盆地油气成藏组合及勘探方向

北非切里夫(Cheliff)盆地为中、新生界叠合盆地,以海相石灰岩、白云岩和滨岸砂岩沉积为主,资料证实白垩系泥灰岩有机质丰度高,为主要烃源岩。其有机质类型、热演化程度均表明该套烃源岩处于生烃成熟阶段,中新统海相滨岸砂岩为主要储层。盆地主要成藏组合划分为白垩系石灰岩、砂岩和泥灰岩自生自储成藏组合、白垩系—中新统下生上储成藏组合、中新统自生自储成藏组合。提出了盆地的下一步勘探方向:位于切里夫盆地Tliouanet隆起埃利赞弧形带和主力生烃坳陷的中央低隆背斜带是下一步勘探的有利区带;北部山前背斜带也是较为有利的勘探区带,可作为勘探的接替区。     

WT8043及其在显示器自动行幅度控制电路中的应用

ＷＴ８０４３系列芯片是台湾伟诠公司制造的多频同步显示器专用同步信号处理ＩＣ，具有行频与场频鉴别、显示状态选择、同步脉冲极性检测等功能。使用该器件可实现多频同步显示器的自动幅度控制及行频范围的自行设定。本文介绍了该系列芯片的功能及应用。     

剖析静电放电现象与危害

本刊2O05年第2期报道了近期i865主板频频发生南桥芯片烧毁的事件这一事件引发了业界对静电放电（ElectroStatic Discharge，ESD)问题的关注、那么ESD是怎样造成硬件损坏的，厂商会采取哪些措施来防范ESD？电脑用户在使用过程中该如何避免ESD的危害呢，所有答案都在本文的深入剖析中。     

“串行”为何更胜一筹？

“众人拾柴火焰高”是句老话，但电脑领域却出现了多根线比不过1根线的怪事。因为无论从通信速度、造价还是通信质量来看，现今的串行传输方式都比并行传输方式更胜一筹。     

神奇的LightScribe技术

2005年1月25日，全球首台内建LightScribe技术的DVD刻录机HP DVD640面世它不仅能刻录数据，还能在光盘上直接绘出美丽的图案本刊今年第5期和第10期相继对具有这种功能的刻录机产品进行了报道但是对于该技术的细节，各媒体都还没有给出准确的回答，有鉴于此，本刊特别组织了这篇文章以飨读者。     

CCD怎么了？

2005年是日系数码相机厂商的黑夜．在2002年夏至2004年上半年销售的产品中．均不同程度地暴露出质量问题。消息一出．舆论大哗。面对突如其来的问题，人们不禁会问．向来以制造高质量产品闻名于世的日本企业，为什么会发生大面积的产品质量事故，是因为技术不够成熟．还是因为生产工艺存在缺陷？[编者按]     

用于硅衬底隔离的选择性多孔硅厚膜的制备

在硅衬底上形成高阻隔离层对于提高硅基射频电路的性能具有重要意义。采用多孔硅厚膜作为隔离层 ,能够极大地降低衬底高频损耗。本文对n+型硅衬底上选择性多孔硅厚膜的制备进行了研究。通过在阳极氧化反应中采用不同的HF溶液的浓度、电流密度和反应时间来控制多孔硅的膜厚、孔隙度等特性。有效地减少了多孔硅的龟裂失效 ,得到的多孔硅最大膜厚为 72 μm。并测量了多孔硅的生长速率与表面形貌     

闪存技术大比拼

NOR和NAND是现在市场上两种主要的闪存类型．在性能方面可谓各有千秋。在2005年岁末NAND型闪存的市场份额首趺超越NOR，九有后来居上之势（图1），闪存市场的格局开始改变。是什么原因导致了这种趋势昵？是NAND技术优于NOR技术吗？要回答这些问题，还得从存储技术原理说起。