矩阵变换器输入电流的状态反馈线性化控制

在电压不平衡和负载不平衡等非正常工况下,矩阵变换器(MC)的输入电流波形不稳定,总谐波畸变率较大,严重影响负载的安全运行。为此,设计了一种全新的基于状态反馈线性化的矩阵变换器非线性控制器。首先根据矩阵变换器输入侧的拓扑结构,构建了矩阵变换器的数学模型,经过Park变换,得到了标准的仿射非线性系统,验证它符合反馈线性化条件后将它转化成线性系统并设计出状态反馈线性化控制器。MATLAB仿真结果表明,该方法可以有效地改善矩阵变换器在三相输入电压不平衡、三相负载不平衡等非正常工况下的输入电流性能,降低总谐波畸变率。     

一种新颖的DC～50GHz低插入相移MMIC可变衰减器

介绍了一种新颖的 DC～ 5 0 GHz低相移、多功能的 Ga As MMIC可变衰减器的设计与制作 ,获得了优异的电性能。微波探针在片测试结果为 :在 DC～ 5 0 GHz频带内 ,最小衰减≤ 3 .8d B,最大衰减≥ 3 5± 5 d B,最小衰减时输入 /输出驻波≤ 1 .5 ,最大衰减时输入 /输出驻波≤ 2 .2 ,衰减相移比≤ 1 .2°/d B。芯片尺寸 2 .3 3 mm× 0 .68mm× 0 .1 mm。芯片成品率高达 80 %以上 ,工作环境温度达 1 2 5°C,可靠性高 ,稳定性好     

用于手机砷化镓MMIC射频开关的研制

报道一种用于手机的高功率、低插损砷化镓 MMIC射频开关。该产品在 870～ 970 MHz下 ,线性功率容量 >3 3 d Bm,插入损耗 (IL) <0 .6d B,隔离度 (Iso)≥ 1 7d B,反向三阶交调 (PT0 1 )≥ 70 d Bm,控制电压 :(0 ,-4) V。     

宽带GaAs三栅MESFET开关模型

提出一种三栅MESFET开关的模型--附加栅控开关模型,模型是根据三栅MESFET开关器件的结构,考虑了栅极对微波信号的影响,适用于MMIC开关电路的设计,具有很好的宽带微波特性.器件测试值与模型模拟值吻合较好.     

一种新颖的多倍频程180°GaAs MMIC数字移相器

数字移相器在许多电子系统和电子设备中得到广泛应用 ,南京电子器件研究所最近研究出一种新颖的多倍频程 1 80°Ga As MMIC数字移相器 ,初步获得了优异性能。这种数字移相器采用了新颖的宽带移相电路拓扑 ,运用了独到的 CAD优化技巧和独特的 Ga As MMIC工艺制造技术 ,并借助于南京电子器件研究所 76 mm Ga As MMIC工艺线电路模型参数提取系统和计算机电路模型参数拟合技术 ,设计制造了 1 80°Ga As MMIC数字移相器 ,在微波探针测试系统中 ,测得其主要电性能为 :在 4～ 2 0 GHz频率范围内 ,相移精度≤ 1 80± 5°;两态插入损耗…     

宽频带毫米波匹配型PIN衰减器

<正>PIN电调衰减器可分匹配型和反射型二种.常用的是匹配型衰减器;而反射型衰减器一般要配有隔离元件才能使用,所以实用价值较小.有关毫米波段PIN电调衰减器,迄今虽未见有产品报道;但实验型毫米波段的PIN电调衰减器已有报道,其结构均是采用鳍线插入单脊或双脊波导中.对毫米波段匹配型PIN衰减器,文献[1]作了尝试;采用了双向鳍线结构,将衰减管与匹配管分别接于鳍线的两面;这种结构的衰减器,其缺点是衰减量受到限制.这是由于微波能量不可能集中到双向鳍线的一个侧面的衰减管上.文献[1]所报导的典型结果是:工作频带为28—40千兆赫,零偏插损     

宽带GaAs MESFET开关模型

提出了一种 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,适用于 MMIC电路的设计 ,具有很好的宽带微波特性。在 0 .1～ 2 0 GHz频率范围内 ,器件测试值与模型模拟值吻合较好     

宽频带毫米波匹配型PIN衰减器

本文采用有向图理论分析了匹配型多管阵PIN衰减器。直接从电网络的有向图中求得电调衰减器的衰减特性和驻波特性。对玻璃钝化无封装棒状型PIN管进行了研究。在较高的微波频率上,所使用的无封装二极管装入微波电路引起的寄生电抗,其重要性显著增加。极端情况下,这些寄生电抗将确定电路工作频率的上限。然而,这个上限频率尚未清楚;为此,本文采用某些独特的技术,将匹配型PIN衰减器的工作频率扩展到毫米波频段。文中给出了五管匹配型PIN衰减器产品的典型性能。工作带宽为26.5—40千兆赫,零偏插损和零偏下的电压驻波系数分别小于1分贝和1.4。衰减量的动态范围大于25分贝,动态衰减下的最大电压驻波系数小于1.4。     

GaAs MESFET开关模型

本文提出了一种MESFET开关的模型———附加栅控开关模型 ,适用于MMIC电路的设计 ,其具有很好的宽带微波特性。开关单片的设计值与模型模拟值吻合较好。