多栅砷化镓单片集成双刀双掷功率开关

南京电子器件研究所业已研制成功的GaAsMMICDPDT开关采用全离子注入、全平面干法技术，它是一种多栅结构的MESFET功率开关。具有承受功率大、功率线性好、插人损耗小、单片集成面积小等优点。设计中采用实验建模方法取得了三栅FET的等效模型。建模中选择的三栅的椰长为1μm，椰宽为3060μm，源漏间距为11μm。GaAsMMICDPDT开关的芯片尺寸为1．41mm×1．25mm×020mm。获得的典型结果见表1。此开关的突出优点是受控电压低、功率线性好，非常适合于移动通讯中数字手机用的双刀双掷开关。多栅砷化镓单片集成双刀双掷功率开关@陈继义…     

多栅GaAs MESFET开关

论述多栅开关的结构和特点。开关设计中需要考虑的一个重要因素是提高开关功率处理能力的同时减小插损 ,多栅开关由于其特殊的结构 ,很好地解决了这一问题。采用多栅结构 ,设计的移动通讯用 DPDT开关在 DC-2 GHz:IL<0 .75 d B,ISO>1 3 d B,VSWR<1 .5 ,P- 1 >1 0 W。开关芯片面积小、成品率高、封装成本低 ,适宜批量生产 ,并已在手机上试装成功。     

X波段上变容二极管参数的测量

本文研究了X波段上半导体变容二极管在负偏压下的等效电路,提出了测量二极管Q_d值和等效电路各参数值的三种方法。第一种方法是测量二极管在各偏压点下的输入阻抗与管壳阻抗。这种方法的突出优点是适合于二极管串联电阻r_s随负偏压而变化的情况。第二种方法,在已知等效管壳电容的条件下,由测得的输入阻抗就能直接求得二极管的Q_d值和等效电路的各参数值;但此法要求串联电阻r_s不随负偏压而变化。第三种方法是测量二极管在各负偏压点下的输入阻抗与低频结电容C(V)来求得二极管的结参数;因而,为某些二极管,如砷化镓二极管,提供了一种测试方法。实验结果表明用上述三种方法所求得的Q_d值和等效电路的各参数值有很好的一致性。     

高性能DC-20GHz反射型GaAs MMIC SPST和SPDT开关

GaAsMMIC SPST和SPDT开关,由于其体积小、重量轻、无功耗,在许多电子系统和电子设备中得到广泛应用,南京电子器件研究所最近研究出高性能DC-20 GHz超宽带反射型GaAsMMIC单刀单掷(SPST)和单刀双掷(SPDT)两种开关,获得了优异电性能.     

三种新颖的适合不同控制信号的超宽带单片移相器

GaAsMMIC控制电路中的开关MESFET通常是在栅极加0V或是负极性的夹断电压Vp来控制电路工作的。这样在许多电子系统的中会遇到将控制信号(如TTL电平)变换成0V和负极性的Vp,或使用两路互补的控制信号,从而实现对这种MMIC的电信号控制。为此,必须在芯片外设计专用的驱动电路或控制电路。这就会增加系统的成本、体积和功耗,也会降低开关速度和增加系统的复杂性。南京电子器件研究所最近设计制造出三种新颖的高性能超宽带单片移相器,在超宽带频率范围内解决了这个问题。这三种移相器均设有一个直流电位参考点,可以根据系统控制电平极性…     

GaAs多芯片多倍频程矢量调制器

众所周知 ,矢量调制器其相位和幅度均连续可调 ,因此在许多先进的电子系统中 (如空间分集的智能天线系统、移动通信码分多址系统基站中实时控制的超线性功率放大器及雷达系统等 )已广泛应用。采用 Ga As MMIC的矢量调制器 ,由于其体积小、重量轻、开关速度快、几乎无功耗、抗辐射、可靠性高和电性能批量一致性好等显著优点而倍受欢迎。南京电子器件研究所采用 Ga As MMIC多倍频程数字和模拟移相器及低相移 DC～ 5 0 GHz Ga As MMIC压控可变衰减器构成多倍频程矢量调制器 ,获得了较好的结果。在这种多倍频程矢量调制器中 ,根据不同…     

采用共面波导的高性能反射型MMIC SPST和SPDT开关芯片系列

众所周知 ,共面波导具有低色散、宽频带的显著优点 ,而 Ga As MMIC开关由于其体积小、重量轻、开关速度快、低功耗、抗辐射、可靠性高等显著优点 ,在当今许多先进的电子系统中获得广泛应用 ,将共面波导和 Ga As MMIC开关的优点结合在一起 ,南京电子器件研究所最近研制出采用共面波导的高性能 DC- 2 0 GHz,DC- 35 GHz Ga As MMIC反射型单刀单掷 ( SPST)和单刀双掷 ( SPDT)开关芯片系列 ,获得了非常优异的电性能和非常高的工艺成品率。这种采用共面波导的 Ga As MMIC反射型 SPST和 SPDT开关芯片系列均采用了反射型宽带开…     

S波段单片四位数控移相器

描述了Ｓ波段单片四位数字移相器的电路设计、工艺制作和性能。采用集总元件的高通／低通网络构成移相网络和ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ作为开关控制器件,利用南京电子器件研究所标准的离子注入微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）制造工艺,研制出Ｓ波段单片四位数字移相器。该移相器在设计工作频带内１６个移相态具有移相精度高（均方根误差小于１°）、输入输出驻波好（＜１．４）和较低的插入损耗（＜５．５ｄＢ）与插损变化（均方根误差小于０．２ｄＢ）等优良的电特性。芯片尺寸为６．４５ｍｍ×１．４ｍｍ×０．２ｍｍ。     

宽带GaAs三栅MESFET开关模型

提出一种三栅MESFET开关的模型--附加栅控开关模型,模型是根据三栅MESFET开关器件的结构,考虑了栅极对微波信号的影响,适用于MMIC开关电路的设计,具有很好的宽带微波特性.器件测试值与模型模拟值吻合较好.     

矩阵变换器输入侧端口受控耗散哈密尔顿算子建模及无源控制

矩阵变换器无中间直流环节,易受电网扰动和负载扰动的影响.针对这一问题,本文设计了矩阵变换器输入侧无源性控制器以改善控制系统特性.首先,在直–交坐标系下建立输入侧的端口受控耗散哈密尔顿(port-controlled Hamiltonian with dissipation,PCHD)算子模型.然后,设计了基于互联和阻尼配置的无源性控制器,用来实现对输入电流快速准确的跟踪.重新配置了系统的平衡点,通过注入阻尼提高系统的收敛速度,并从理论上对闭环系统的渐进稳定性进行了分析.仿真结果表明,系统在非正常工况下仍能保证输入电流为正弦,相比传统偏差修正法,该控制策略具有更好的动态性能和抗干扰能力.