利用EGR技术生成薄膜

半导体制造工艺中的薄膜生长,迄今广泛应用的是热CVD法(Chemical VaporDeposition)和等离子CVD法,而这些方法是在高温状态下进行的,因此,对那些衬底耐热性较差或者经高温处理其性能和可靠性要降低的器件来说,利用这些方法有一定的困难。为了提高大规模集成电路、超大规模集成电路的性能、集成度和成品率,迫切需要一种能在低温下形成高质量薄膜的薄膜生长新技术。     

回忆傅作义部长

1949年10月1日中华人民共和国成立,水利部第一任部长就是傅作义将军。北平解放以后,在酝酿成立中央人民政府的过程中,由于北平和平解放傅将军有功,周总理曾请他考虑职务。傅部长由于长期转战在历史上靠引黄河水灌溉的河套地区,对“黄河富一套”之说,对“水利是农业的命脉”的名言,有较深的体验,所以当周总理征求他的意见时,他毅然自选为水利部长。我是1950年初调到水利部工作的,二十多年来在傅作义部     

JT—60U氘实验的最新成果和辐射安全

ＪＴ－６０在１９８９年－１９９１年经强电流化改造成ＪＴ－６０Ｕ后，实验主要围绕着“约束性能改善”和“稳态化”两大研究课题进行。其目的是通过改善等离子体约束性能和研究托卡马克装置的稳态化，对国际热核聚变实验堆ＩＴＥＲ物理研究的主要课题作出贡献，同时推进和实施对未来动力堆设计不可缺少的前期研究。     

两种具有电双稳态的全有机络合物

首次发现两种在室温下即具有电双稳态的全有机（有机-有机）络合物，分别称为MCA＋TCNQ和BBDN＋TCNQ。它们可在真空中制备成薄膜，在数伏电压的作用下，从高电阻至低电阻的跃迁时间小于100ns，因此可作为一次写入的存储器材料。根据我国目前最小刻线宽度的水平，可望在1．6cm2的SiO2平面上做出64Mb的存储器。     

1995年半导体市场中DRAM将增长68%

据WSTS（世界半导体市场统计）报道，1995年的半导体市场比上年急增39．7％，这在10年中增长率最高的，约达12兆日元（1400亿美元）。除去影响美元稳定的因素外，实际增长率为30％。产品类别，占1994年结构比例32％的MOS存储器1995年将增长57％，其中，DRAM1995年将增长68％，使整个半导体市场上升。约占23％的微处理器等MOS微处理1995年将增长37％。整个半导体市场1996年增长18．7％，1997年增长16．3％，1998年增长18．6％，都将保持二位数的增长。1995年半导体市场中DRAM将增长68%@一凡…     

易加工高韧性阻燃PS配混料

美国Dow塑料公司用新的橡胶组分开发出阻燃PS配混料Styron A-Tech 6079,与老的阻燃PS树脂比,具有更好的流动性,制品表面外观好,并仍保持极好的韧性,应用目标是各种日用消费品、办公自动化设备和电子电器。流动性好则适用于加工大型薄壁和复杂形状制品和部件,如32时、40吋电视机外壳、信息技术设备、便携式电子设备的小型复杂部件,阻     

信息与动态

Bayer推出汽车内饰件用PC合金全新牌号德国Bayer(拜耳)公司生产的聚碳酸酯(PC)/苯乙烯系列树脂合金新牌号BayblendKU2-1522已被选用于汽车内饰件的制备,与目前大量应用的老牌号BayblendT88-2N相比,其熔体流动性高40％。BayblendKU2-1522的优良性能还包括:高耐热老化性和耐长期脆性,耐长期脆性是从安全要求考虑用于安全气囊止回瓣的重要性     

液晶高分子新型材料：Ⅱ 液晶高分子的合成

1 液晶基元、连接基团和液晶单元合成的任务在于先用适当的聚合方法将小分子的液晶基元通过刚性连接基团连接成较大分子量的液晶单元,将这些液晶单元再通过刚性连接基团连接成刚性液晶大分子链或通过亚甲基连接基团连接成重复单元并进而聚合成为半刚性液晶性大分子链,最后由这些大分子链构成聚合物本体并赋予其液晶性。