不同硫载体对轮胎用NR胶料性能的影响

研究了添加不同载体化合物二辛基多硫代磷酸酯（SDT／S）、二丁基二硫代磷酸锌（TP／S）、二硫代己内酰胺（S／G）、二硫代二码啡啉（M／G）以及SDT／S的用量对轮胎用NR胶料的加工性能、硫化特性、拉伸性能、动态生热和压缩永久变形等性能的影响规律,并与传统硫黄硫化体系进行了比较。结果表明,加入SDT／S和TP／S会缩短门尼焦烧时间,但能提高硫化平坦模量和改善抗硫化返原能力;较低硫化温度（145℃下）,传统硫化体系赋予NR硫化胶较低的拉伸强度和300％定伸应力,提高硫化温度（175℃）,会使加入硫载体的NR硫化胶具有较高的拉伸性能保持率;加入SDT／S和提高其用量,可提高NR胶料的抗硫化返原性能,降低硫化胶的动态生热和改善压缩永久变形性能。     

集成锁相环调幅同步解调

数十年来,调幅同步解调技术一直为人们所重视.但是,只有当价格低廉的集成锁相环(PLL)出现之后,才使得这种技术能够广泛应用.下面以国产单片模拟集成PLLKD801为例,说明集成PLL的应用.     

不同方向交替干扰方法对抗雷达旁瓣对消技术

由于现代雷达采用了旁瓣对消技术，使得传统方式的旁瓣干扰几乎完全失去效果。本文提出了一种针对旁瓣对消雷达的交替干扰方法，即在不同方向布置干扰机对同一部旁瓣对消雷达实施时间上的交替干扰。通过理论分析和模拟可知，其干扰功率甚至高于双方都不采用特殊技术时（即干扰方采用一般的旁瓣干扰，雷达方不采用旁瓣对消）的旁瓣干扰功率14dB以上。     

卫星通信中心站在资源池化架构下的系统可靠性分析

卫星通信中心站是卫星通信系统中的核心组成部分,既担负着网系管理的控制功能,又承载了地面网络接入的业务职能。它的系统架构可靠性的高低将直接决定整个卫星通信系统的运行是否稳定,所以可靠性同通信效能、经济成本一样,已经成为衡量中心站性能的一个重要指标。因此,针对中心站现有"烟囱"式架构下存在的问题,介绍一种基于资源池化的解决方案,并通过对两种系统架构可靠性的对比分析,证明了基于资源池化的系统架构具有更高的可靠性。     

中频交流脉冲等离子体源的研究

采用中频交流脉冲等离子体源进行了抑制弧光放电和空心阴极效应以及离子渗氮工艺的实验。结果表明,交流脉冲放电在抑制弧光放电和空心阴极效应方面是非常有效的,对于高铬钢材料表面的离子渗氮作用是明显的。它为解决材料表面处理中的难点(小孔、深孔、狭缝的处理)提供了一种新的探索方案;也为等离子体技术应用领域中处理不导电的基体或薄膜以及磁控溅射新工艺(交流孪生溅射技术)提供了研究设备。     

延展表面高分辨率形貌测量方法综述

当前,以高密度点云为目标的三维形貌测量正在取代传统离散坐标测量成为几何量测量的新发展方向。除了狭义制造环境,高密度点云提供的多空间分辨率特性在以高铁、飞机、隧道为代表的机械装备、大型工程运行状态监控领域同样显现出广泛的应用前景。但与制造场景中静态条件下的点云形貌测量问题不同,对于处于服役状态的被测量对象,相关测量需求表现出点云需要伴随运动高速连续延展、高分辨率获取等新特点,所形成的延展表面测量新问题对传统测量方法提出了严重挑战。以线阵CCD、CMOS为代表的一维图像传感器可在运动状态下快速连续成像,为三维形貌测量系统提供满足高速、连续、高密度等测量要求的硬件潜力,近年来得到了持续发展和广泛关注。对基于一维图像的延展表面高分辨率形貌测量方法及涉及的参数标定、一维图像匹配、多传感器布局与同步、运动误差补偿等关键技术进行综述,并探讨它们未来可能的发展方向。     

未知辐射源识别技术研究进展

随着各种新型辐射源的出现或战时预留模式的采用,实际战场电磁环境日益复杂,大概率会出现未知辐射源,传统辐射源识别方法的准确率必将受到较大影响。文中首先分析了未知辐射源对识别精度影响的机理;然后,重点从领域自适应和开集学习两个方面综述了未知辐射源识别方法;最后,对未知辐射源识别的发展方向提出几点思考。     

加工误差对齿廓重迭干涉的影响

应用具体实例,研究了加工误差对少齿差内啮合齿廓重迭干涉的影响,并提出相应的解决方法。     

棉针织物酶整理应用实践

本文介绍了棉针织物用酸性纤维素酶进行酶整理的具体生产工艺,以及酶整理效果的测试方法,并介绍了经过两整理后的棉针织物的风格特征,分析了影响酶整理的各种因素.     

电子信息技术与物联网以及大数据技术的交互融合应用

当前,我国科技水平快速上升,各种创新技术已经深度融合于城市发展和人们的日常生活、生产工作中,且不同技术之间开始融合发展,促使原有的科学技术发挥出了更为重要的作用和效果,这对于国内社会经济的发展具有重要的现实意义和价值,需要高度重视。其中,实现电子信息技术与物联网以及大数据技术的交互融合应用,可以促使其作用和价值得到全面发挥,也有利于相关技术的革新,这是现代科学技术发展过程中的必经之路。